Patenty so značkou «submikrometrových»

Zariadenie na tvorbu mikrometrových a submikrometrových častíc látky, dýzy na zavedenie roztoku látky do nádoby na tvorbu mikrometrových a submikrometrových častíc látky a spôsob tvorby mikrometrových a submikrometrových častíc látky

Načítavanie...

Číslo patentu: 287659

Dátum: 18.04.2011

Autori: Di Palma Cesare, Putrignano Matteo, Di Giacomo Gabriele, Del Re Giovanni

MPK: B05B 7/08, B01J 2/04

Značky: zariadenie, látky, roztoku, částic, spôsob, nádoby, tvorbu, tvorby, submikrometrových, mikrometrových, dýzy, zavedenie

Zhrnutie / Anotácia:

Zariadenie na tvorbu mikrometrových a submikrometrových častíc látky s použitím GAS procesu, zahŕňajúce nádobu (22) na tvorbu častíc a prostriedky na zavedenie roztoku látky a nadkritickej tekutiny do nádoby (22) na tvorbu častíc, pričom uvedené prostriedky zahŕňajú dýzu (27) s centrálnym ústím (39), ktoré slúži na vedenie prúdu roztoku, a s viacerými oddelenými vonkajšími ústiami (41), ktoré slúžia na vedenie prúdu čistej nadkritickej tekutiny...

Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60

Načítavanie...

Číslo patentu: 286519

Dátum: 12.11.2008

Autori: Vincenc Oboňa Jozef, Kostič Ivan, Chromik Štefan

MPK: H01L 39/24, H01L 39/14, C23C 16/04...

Značky: kryoelektronike, využitím, tvarovania, struktur, submikrometrových, spôsob, fullerénu

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.

Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr

Načítavanie...

Číslo patentu: 218176

Dátum: 15.09.1984

Autori: Chromik Štefan, Osvald Jozef

Značky: vytvárania, struktur, spôsob, submikrometrových

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektromechanických metód ovrstvenia tenších odpovedajúcich štruktúr a odstraňuje nutnosť používať pomerne hrubé vrstvy elektrónových rezistov, ktoré znemožňujú presné vytvorenie obrazcov submikrometrových rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike.