Patenty so značkou «leptání»
Prostředek pro vytváření ochranné vrstvy při leptání tištěných spojů
Číslo patentu: 260595
Dátum: 15.12.1998
Autor: Tůma Věroslav
MPK: C09D 11/00, C08L 93/04
Značky: vytváření, vrstvy, prostředek, ochranné, tištěných, spojů, leptání
Text:
...je znjištěno vytvoření rovnomerné, kompaktní s nepłeruiovsné oohrsnnć vrstvy,ktera má vysokou ohemiokou odolnost proti ponžívsným leptaoím prostŕedkům. Je zajištěno vytvoření dokonalého tištěného spoje, ktorý má dále velmi dobou pňjitelnost.Pro vytváření ochranná vrstvy je možno použít moderní psscí, krsslicí a rýsovecí prostředky, zejména pak technická trubičková pero. Tím je umožněno vytvořit všechny typy tiitěných...
Zařízení k leptání částí plochých dílců
Číslo patentu: 260551
Dátum: 15.12.1998
Autor: Boháček Tomáš
MPK: C25F 7/00
Značky: zařízení, leptání, částí, plochých, dílců
Text:
...1 vystačí jeden obsah nádoby l a kdy tedy bude nutno leptącí médium vymenit, pokud nebude použito systému s jeho průběžnou reqenerací.B hlediska produktivity práce pri provádění působu leptaní podle A 0 245 603 bude účelne leptnt větší počet dílců současně. Reěení, které by bylo nejspíše nasnadě, totiž umístit na hřídel Ag ve vzájemném odstupu dva nebo více dílců a zařízení konstrukčně upravit tak,aby pracovní po 1 ohahfíde 1 e lg byla...
Zařízení pro elektrochemické leptání detektorů stop v pevné fázi
Číslo patentu: 277532
Dátum: 17.03.1993
Autori: Turek Karel, Novák Miroslav
MPK: C25F 7/00
Značky: zařízení, leptání, pevně, elektrochemické, fázi, detektoru
Způsob leptání vícevrstvého kontaktu výkonových polovodičových struktur
Číslo patentu: 274946
Dátum: 17.12.1991
Autori: Homola Jaroslav, Louda Jaromír, Říčařová Daniela
MPK: C23F 1/44, H01L 21/28
Značky: výkonových, struktur, leptání, způsob, kontaktů, polovodičových, vícevrstvého
Způsob leptání hliníkového kontaktu pasivovaného chromem na výkonových polovodič ových strukturách
Číslo patentu: 274947
Dátum: 17.12.1991
Autori: Louda Jaromír, Říčařová Daniela, Homola Jaroslav
MPK: H01L 21/28, C23F 1/44
Značky: ových, chromem, leptání, kontaktů, strukturách, pasivovaného, způsob, výkonových, polovodič, hliníkového
Způsob leptání mikrostruktur na povrchu n-křemíku
Číslo patentu: 275001
Dátum: 17.12.1991
Autori: Myslík Vladimír, Rybka Vladimír, Švorčík Václav
MPK: H01L 21/306, H01L 21/268
Značky: povrchu, leptání, způsob, n-křemíku, mikrostruktur
Zařízení pro řízené elektrochemické leptání polovodičových struktur
Číslo patentu: 274227
Dátum: 11.04.1991
Autori: Mareš Jiří, Veselý Miroslav, Šmíd Václav
MPK: H01L 21/306, C25F 3/12, G01R 27/22...
Značky: zařízení, řízené, elektrochemické, struktur, polovodičových, leptání
Zapojení pro řízení elektrochemického leptání polovodičových materiálů typu n
Číslo patentu: 272684
Dátum: 12.02.1991
Autori: Veselý Miroslav, Hrdlička Lubomír
MPK: C25F 3/12, H01L 21/306, H01L 21/268...
Značky: zapojení, materiálů, leptání, řízení, polovodičových, elektrochemického
Lázeň pro leptání vrstev silicidu chromu pro integrované obvody v pevné fázi
Číslo patentu: 272371
Dátum: 15.01.1991
Autori: Bok Karel, Valíček Jaromír, Holoubek Jiří
MPK: C23F 1/24, C23F 1/44, H01L 21/306...
Značky: obvody, integrované, lázeň, leptání, chromu, vrstev, fázi, silicidu, pevně
Způsob leptání povrchu součástí pro přípravu mikroelektronických a optoelektronických struktur z n-arsenidu galitého
Číslo patentu: 270018
Dátum: 13.06.1990
Autori: Myslík Vladimír, Švodčík Václav, Rybka Vladimír
MPK: H01L 21/268, H01L 21/302
Značky: galitého, leptání, přípravu, mikroelektronických, způsob, n-arsenidu, optoelektronických, struktur, povrchu, součástí
Text:
...leptíní n-ereenídu galitóho v proetředí vodného roztoku Near o konccntraci 1,0 mo 1.11. Po 1 mínutöleptíní byla zjíčtöna hloubka vyleptanc díry 5,35 /un po 2 minutách 0,45 /un a po 3 minutách 06 ,umBylo provedeno leptàní n-araenídu galíteho V proetředí vodného roztoku Nacl o koncentrocl lO n 1.1 . Po l minutě leptúní byla zjíätěna hloubka vyleptanó díry 0,3 /ua,po 2 nínutách 06 /um o po 3 minutách 08 /um.Bylo provadono lapténi n-oraonidu...
Způsob leptání předmětů, zvláště kovových a zařízení k provádění tohoto způsobu
Číslo patentu: 269992
Dátum: 14.05.1990
Autori: Herman Henryk, Bistron Stanislaw, Bilinski Wojciech, Laskowski Jerzy, Zaluski Maciej
MPK: C23F 1/00
Značky: způsobu, provádění, zvláště, tohoto, kovových, způsob, leptání, předmětů, zařízení
Text:
...od bočních etên nádob g, v nichž probíhá leptací proces, čímž se vytváří protokový prostor kapaliny procházející nádobami 3. Po dosažení vrchního okraja poslední nadoby g se vytvorená pána rozpade v nejvyšší části vlastního reakčního pásma, přičemž se plyn odvádí ze svislého reaktoru L potrubím 1 a kepaline stáká vlastní tíží přepadem do dolní části svielého reaktoru 1.plynu dochází uvnitř svisláho reaktoru 1 k uzavřená cirkulaci...
Zařízení pro leptání a mytí dutých skleněných výrobků, zejména kalíškoviny
Číslo patentu: 269624
Dátum: 11.04.1990
Autor: Veselý Karel
MPK: C03C 23/00, B08B 3/08
Značky: leptání, dutých, mytí, sklenených, zejména, výrobků, zařízení, kalíškoviny
Text:
...nad leptecí lázní v sekci IX, a při nalepování výrobků v sekci I, obr. 6 ovielý řez B-B sekcí IX a sekcí I, s ponořenými výrobky v leptací lázni v Iekoi IX, e při eouběžném nalepování výrobků v sekci I, obr. 7 svislý řez C-C sekcí XII při překládání výrobků z leptací palety do mycího koše, obr. S svislý řez C-C sekcí XII po překlopení lepteoí palety na nalepovecí dopravník, obr. 9 svislý řez D-D sekcí XIII při stahování ochranné voskové...
Způsob leptání hliníkového kontaktu Al výkonových polovodičových součástek
Číslo patentu: 269214
Dátum: 11.04.1990
Autori: Pojman Pavel, Kačer Jan, Říčařová Daniela, Zamastil Jaroslav, Andrš Vladimír
MPK: H01L 21/28
Značky: výkonových, polovodičových, hliníkového, kontaktů, způsob, součástek, leptání
Text:
...nedoleptají celé části motívu, která je nutné mechanicky odetraňovet, jinak vodou ke zkratom na kontaktovans etruktuře.Uvedená nevýhody odstraňuje způsob leptání hliníkového kontaktu A 1 výkonových polovodičových součáatek podle vynálezu, jehož podstate spočíva v ton, že povrch polovodičoveho systemu opatřený hliníkovou kontaktní vrstvou se selektívně loptá přes fotorezis~ tovou masku ve směsi kyselín orthofosforečne, dusíćné s octovó v...
Zařízení pro leptání velmi tenkých křemíkových destiček
Číslo patentu: 265107
Dátum: 13.10.1989
Autori: Ptáčková Jiřina, Svobodová Rimma, Srnka Dušan
MPK: H01L 21/306
Značky: tenkých, křemíkových, destiček, leptání, velmi, zařízení
Text:
...tohoto uspořádání lze spatřovat především v tom, že řetězový pohon je ponořen do leptací lázně, což omezuje jeho životnost a klade zvýšené nároky na volbu použitého materiálu. Konstrukce kazety a způsob míchání nezajištuje rovnoměrné odleptání obou stran destiček a to jak v kvalitě tak i v rychlosti leptání. Konstrukční řešení je relativně složité.Výše uvedené nedostatky odstraňuje zařízení pro leptání velmi tenkých křemíkových...
Způsob zpracování vyčerpaných leptacích lázní na leptání mědi
Číslo patentu: 263985
Dátum: 12.05.1989
Autori: Varencev Valerij, Špalek Otomar
MPK: C22B 15/12
Značky: leptání, způsob, vyčerpaných, mědi, leptacích, zpracování, lázni
Text:
...mědi, v nichž je měd obsažena v komplexní formě.Podstata vynálezu spočíva v pracovním postupu, Jřĺ němž se vyčerpaná leptací lázeň, v níž byl obsah mědi snížen elektrolyzou na 1 až 5 g/dm 5 podrobí následující elektrolýze za nepřístupu -vzduchu, »přičemž lázeň preteká porézvní katodou z uhlíkaté nebo grafitové plsti, čímž se měd téměř kvantitativně odstrainí. Vzníkle roztoky Olbsahující NH 4 Cl, NHs a jen stopy mědi okolo 1 mg/dm 3) lze použít...
Leptací roztok pro výrobu ofsetové tiskové formy na vícekovových podložkách pro leptání za normální teploty
Číslo patentu: 259834
Dátum: 15.11.1988
Autori: Václavková Jitka, Pazúr Vilém, Svoboda Ladislav, Huječek Milorád
MPK: B41N 3/00
Značky: podložkách, normální, výrobu, formy, leptací, teploty, leptání, vícekovových, roztok, tiskové, ofsetové
Text:
...jehož podstatu tvoří kyselina chlorovodíková ve směsi s chloridem vápenatým a dvojsytnými nebo trojsytnými alkoholy nebo jejich směsmi, a se stimulátorem leptání, kterým je sira, sloučeniny síry z oblasti sulfidů, polysulíidů, thiosíranů a organických slçučenin, nebo rePřitomností dvojsytných nebo trojsytných alkoholů nebo jejich směsi, např. 1,2,3-propantriolu, ve směsi s chloridem vápenatým a kyselinou chlorovodíkovou za přítomnosti...
Roztok pro leptání mědi
Číslo patentu: 259694
Dátum: 17.10.1988
Autori: Samek Zdeněk, Volf Radko, Karlík Milan, Kosar Petr, Šťastný Miloslav, Zehle Ivan
MPK: C23F 1/34
Text:
...nebo chloridu amonného,-5 až 350 g/1 uhličitanu aúonného, 0,1 až 50 g/1 hydroxidu amonného a 0,1 až 5 g/1 i peroxidu vodíku. 0Základní výhoda vynálezu spočívá v obzvláštní vhodnosti pqužití roztoku pro leptané mědi za laboratorní teploty a ponorem.V Roztok pro leptániĺmědí,jeho výhody jsou dále blíže popsény na základě porovnávacích zkoušek a připojených tabulek I a II.K porovnávacim zkouškám byla připravena řada leptacích roztoků....
Zařízení pro jednodeskové plazmochemické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů
Číslo patentu: 244071
Dátum: 01.06.1988
Autori: Polievka Milan, Kubala Vojtech, Balák Jioí, Lueanský Dušan
MPK: H01L 21/46
Značky: jednodeskové, leptání, vrstev, zařízení, tenkých, mikroelektronických, materiálů, plazmochemické
Text:
...eklopené reaktorem do horní polohy. iZařízení pro jednodeskové plazmochenické leptání tenkých vrstev mikroelektronických materiálů sestava z reaktoru 1 planárního typu, který je na svém vstupu opatřen propustí lg pro vstup a výatup polovodíčových desek 19 a je umíetěn na naklápěcím stolku ga, opatřeněm mechanickou nebo ruční zdvihovou jednotkou 21. Dále může zařízení být opatřeno druhou prepustí lg spojenou e první prepustí 12 přestupní...
Způsob regenerace vyčerpaných lázní na leptání mědi
Číslo patentu: 257673
Dátum: 16.05.1988
Autori: Paseka Ivo, Špalek Otomar, Thumová Milada
Značky: způsob, lázni, regenerace, vyčerpaných, mědi, leptání
Text:
...vznikají jednak.při vlastnim leptání a zejména pak při elektrolýze anodickouoxidaci organických látek přítomných V lázních jako oxidovadla nebo komplexujíci látky.Zvýšení leptacích rychlosti na hodnoty typické pro čerstvé leptací lázně lze dosáhnout postupem podle předloženého vynálezu, jehož předmětem je způsob regenerace vyčerpaných lázni na leptáni mědi, v nichž je měč obsažena v komplexní formě. Podstata vynálezu spočíva v pracovnim...
Způsob leptání pevné látky, obsahující hlinité ionty
Číslo patentu: 253693
Dátum: 17.12.1987
Autori: Súlovský Juraj, Kvapil Jiří
MPK: C03C 25/06, C30B 33/00
Značky: obsahující, hlinité, způsob, pevně, leptání, látky, ionty
Text:
...přítonno v leptanő látce v takovén množství, že hnotnostní poněry A 13 B 3 5 3 a A 13 3 fi s 12, platí 1 pro ni. Leptáním se potom do roztoku uvolňují ionty A 13, B 3 aLi ve stejněn poměr u a ionty B 3, respektive boritanů a Li zabraňují tvorbě celistvého Ioaforeönanu hlinitého na povrchu leptané látky a leptání pak může probíhat vysokými rychloatmi.způsobem podle vynálezu lze jednoduše čistit povrchy látek, obsahujících hlinitě ionty....
Způsob leptání částí plochých dílců
Číslo patentu: 245603
Dátum: 15.10.1987
Autor: Zemanová Eva
MPK: C23F 1/00
Značky: plochých, dílců, leptání, částí, způsob
Text:
...těchto ůzkých tolerancí rozptylu podleptání, přičemž došlo též k očekávanemu zkrácení doby proleptání ve srovnání s leptáninbez elektro chemického.půsohení. Na připojených vyobrazeních značíobr. 1 schematický nárysný pohled na plochý dílec, z něhož má být pletáním zhotoven kotouč s vyleptanými otvory, obr. 2 achematické znázornšní základního principu zařízení k provádění způsobu podlečtveroového průřezu o deloe strany 50 mm, a je z obou...
Roztok pro leptání napařených chalkooenidových resistů
Číslo patentu: 239785
Dátum: 15.04.1987
Autori: Požárek Václav, Grossmann Arnošt, Hlinka Jan, Popov Petr, Soukup Josef
MPK: G03C 1/76
Značky: roztok, napařených, chalkooenidových, resistů, leptání
Text:
...2 až läĺnm.Vzorek s označením A byl leptán v roztoku obsahujícím 0,2 3 NaoH a 99,8 H 20. Vzorek B byl leptán v roztoku obsahujícím 0,2 Na 0 H, 90 CH 3 oH a zbytek HZO. U vzorku A došlo k znatelnému narušení kontur detailů o rozměrech pod äłm. Vzorek B nevykazoval poškození a obraz získaný po ukončení leptacího procesu odpovídal předloze.Na vyleštěnou křemíkovou desku pokrytou vrstvou oxidu křemičitého byl napařen materiál 0 složení Aszsz...
Způsob kombinovaného leptání složeného zlatého kontaktního systému
Číslo patentu: 233399
Dátum: 01.01.1987
Autori: Pokorný Zdeněk, Kurz Miroslav
MPK: H01L 21/02
Značky: zlatého, kontaktního, složeného, kombinovaného, způsob, systému, leptání
Zhrnutie / Anotácia:
Navržený způsob kombinovaného leptání složeného zlatého kontaktního systému přes fotoresistní masku pro vysokofrekvenční a mikrovlnné tranzistory vychází z kombinace několika metod leptání, které jsou vhodné pro jednotlivé vrstvy složeného kontaktu. Zlaté vrstvy jsou leptány argonovými ionty, separační vrstvy plazmatickým leptáním a adhézní vrstvy chemickou cestou přes fotoresistní masku.
Způsob zakrytí okrajového mezikruží křemíkové desky při hlubokém leptání
Číslo patentu: 231890
Dátum: 15.12.1986
Autori: Weinová Hana, Ladnar Josef, Kříž Josef, Benc Ivo, Weidner Miroslav, Kopecký Josef
MPK: H01L 21/02
Značky: mezikruží, okrajového, hlubokém, leptání, desky, způsob, zakrytí, křemíkové
Zhrnutie / Anotácia:
Vynález se vztahuje k operaci "hluboké leptání" při výrobě křemíkové rozkladové elektrody pro snímací elektronky. Účelem zakrytí okrajového mezikruží podle vynálezu je, docílit takové geometrie zakrytí křemíkové desky, aby byla leptána jen její obnažená část, a to rovnoměrně na celé ploše, bez nepříznivých lokálních vírů leptadla. Uvedeného účelu se dosáhne zakrytím okrajového mezikruží křemíkové desky na teflonové podložce, a to buďto...
Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů
Číslo patentu: 227475
Dátum: 15.04.1986
Autor: Holčák Stanislav
Značky: materiálů, leptání, lázeň, polovodičových, alkalická
Zhrnutie / Anotácia:
Alkalická lázeň pro leptání polovodičových materiálů, obsahující hydroxidy rozpuštěné v deionizované vodě, zejména hydroxid draselný a vyrovnávací přísadu, vyznačená tím, že vyrovnávací přísadu tvoří sacharidy v koncentraci 0,01 až 2,5 hmotnostních procent.
Způsob leptání průhledných vrstev kysličníku nebo směsného kysličníku cíničitého, inditého nebo antimonitého
Číslo patentu: 223269
Dátum: 15.03.1986
Autori: Skřivan Boris, Gurovič Ján, Jurka Vlastimil
Značky: kysličníku, inditého, vrstev, cíničitého, způsob, směsného, antimonitého, průhledných, leptání
Zhrnutie / Anotácia:
Způsob leptání průhledných vrstev kysličníku nebo směsného kysličníku cíničitého, inditého nebo antimonitého podle vynálezu spočívá v tom, že se průhledné vrstvy kysličníku nebo směsného kysličníku cíničitého, inditého a antimonitého uloží do reaktoru s planárním uspořádáním elektrod, jehož prostor se nejdříve vyčerpá na tlak v rozsahu 1,5 až 0,1 Pa a pak se do prostoru reaktoru za stálého čerpání rotační vývěvou napouští páry chloridu...
Způsob leptání křemíkových součástí
Číslo patentu: 226494
Dátum: 15.11.1985
Autor: Holčák Stanislav
Značky: součástí, křemíkových, způsob, leptání
Zhrnutie / Anotácia:
Způsob leptání křemíkových součástí, zejména součástí z monokrystalů křemíku o měrném odporu 10-3 až 10-1 ohm.cm, v lázních obsahujících 15 až 75 váhových % kyseliny dusiční a 0,1 až 25 váhových % fluorovodíku, vyznačený tím, že po rozpuštění 0,001 až 0,234 g křemíku vztaženého na 1 g fluorovodíku obsaženého v lázni na počátku procesu leptání se nezreagovaný fluorovodík nechá sloučit s oxidem křemičitým, který se do lázně přidá ve formě prášku...
Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu
Číslo patentu: 214254
Dátum: 01.06.1984
Autori: Hrubý Arnošt, Štěpánek Bedřich
Značky: krystalů, krystalických, leptání, způsob, galliumarsenidu, stanovení
Zhrnutie / Anotácia:
Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu předem opracovaných broušením a oleptaných na lesk vyznačující se tím, že se na krystal galliumarsenidu působí leptadlem o složení 20 dílů vodného roztoku kyseliny vinné koncentrované 40 %, 5 dílů kyseliny dusičné koncentrované a 4 díly vodného roztoku dusičnanu stříbrného 1 % po dobu 30 až 60 sekund při teplotě 40 až 60 °C, přičemž se vzorkem v roztoku mírně pohybuje.
Způsob lesklého leptání krystalů galliumarsenidu
Číslo patentu: 214252
Dátum: 01.06.1984
Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt
Značky: lesklého, leptání, galliumarsenidu, způsob, krystalů
Zhrnutie / Anotácia:
Vynález se týká způsobu lesklého leptání krystalů galliumarsenidu, jejichž povrch byl předem opracován broušením nebo lapováním. Samotné mechanické broušení povrch rozmazává, takže pro metalografické účely nebo pro polovodičovou techniku a optiku je krystaly leštit leptáním. Dosud používaná leptadla jsou látky jedovaté, agresívní, či těkavé. celkové opracování vzorků je pak časově náročné a tudíž neekonomické. Tyto nevýhody odstraňuje způsob...