Patenty so značkou «kryoelektronike»
Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike s použitím fullerénu C60
Číslo patentu: 286586
Dátum: 29.12.2008
Autori: Vincenc Oboňa Jozef, Chromik Štefan
MPK: H05K 3/02, H01L 39/24, G03F 7/027...
Značky: spôsob, tenkých, vrstiev, kryoelektronike, fullerénu, tvarovania, použitím
Zhrnutie / Anotácia:
Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej...
Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60
Číslo patentu: 286519
Dátum: 12.11.2008
Autori: Chromik Štefan, Kostič Ivan, Vincenc Oboňa Jozef
MPK: C23C 16/04, H01L 39/14, H01L 39/24...
Značky: kryoelektronike, využitím, fullerénu, submikrometrových, struktur, tvarovania, spôsob
Zhrnutie / Anotácia:
Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.