Patenty so značkou «kryoelektronike»
Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike s použitím fullerénu C60
Číslo patentu: 286586
Dátum: 29.12.2008
Autori: Chromik Štefan, Vincenc Oboňa Jozef
MPK: H01L 39/24, G03F 7/027, H05K 3/02...
Značky: kryoelektronike, tvarovania, vrstiev, fullerénu, spôsob, použitím, tenkých
Zhrnutie / Anotácia:
Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej...
Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60
Číslo patentu: 286519
Dátum: 12.11.2008
Autori: Chromik Štefan, Kostič Ivan, Vincenc Oboňa Jozef
MPK: H01L 39/24, H01L 39/14, C23C 16/04...
Značky: submikrometrových, využitím, tvarovania, kryoelektronike, fullerénu, spôsob, struktur
Zhrnutie / Anotácia:
Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.