H01L 21/66

Číslo patentu: 274967

Dátum: 17.12.1991

Autori: Kordoš Peter Sav, Dubecký František

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: veličin, semiizolačn, tohoto, spôsobu, charakterizujúcich, merania, stavy, polovodičoch, uskutečnenie, hlboké, fyzikálnych, spo#ob, zapojenie

Číslo patentu: 273671

Dátum: 12.03.1991

Autori: Adamíček Ivan, Hulenyi Ladislav, Malý Ľudovít

MPK: G01R 31/26, H01L 21/66

Značky: řídící, logikou, struktury, testovací, testovatelnou, polovodičové

Číslo patentu: 272390

Dátum: 15.01.1991

Autori: Beneš Petr, Bürger Antonín

MPK: H01L 21/66, G01N 21/01

Značky: vlastností, polovodičových, zařízení, teriálů, homogenity, optické, měření, izolačních

Číslo patentu: 272020

Dátum: 13.12.1990

Autor: Zamba Juraj

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: měření, zapojení, polovodičových, elektrického, homogenity, strukturách

Číslo patentu: 271742

Dátum: 14.11.1990

Autori: Liška Jan, Jurica Jozef

MPK: H01L 21/66, H01L 21/265

Značky: metody, odporu, merania, dvojimplantačnej, povrchového, spôsob

Číslo patentu: 268127

Dátum: 14.03.1990

Autori: Sika Jiří, Čotek Petr

MPK: H01L 21/66, G02B 6/12, G02B 6/14...

Značky: emitujících, čelně, zařízení, čipu, měření, výkonu, emisních, optického

Text:

...měření optického výkonu čipu na cele desce před použitím ke zpracování. Nepřesností vzniklé opotřebenín detektoru jsou vzhledem k požadovaným nârokům na měření zanedbatelné. Výhodou zařízení podle vynälezu je jeho velká operativnos měření, snadnà možnost automatizace a na nipulace s čipem při měření.Na připojenem výkrese je vyobrazeno blokově schéma zařízení pro měření optického výkonu emisních čelnč emítujících čipů.°rincip spočívà v...

Číslo patentu: 265840

Dátum: 14.11.1989

Autori: Mlejnková Jiřina, Kvasničková Miroslava, Veselý Miroslav, Šťastný Vladimír

MPK: H01L 21/302, H01L 21/66

Značky: struktury, měřením, způsob, vrstvy, před, indiumfosfidu, úpravy, epitaxní

Text:

...kvalita povrchu epitaxní struktunm a tím také přesnost měření.Uvedené nevýhody z velké části odstraňuje způsob úpravy epitaxní struktury indiumfosfidu před jejím měřením metodou snímání charakteristík kapacita-napětí na Schottxyho přechodu pomocí rtutová sondy podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom,že se substrát a nanesenou epítaxní strukturou n-typu vodivosti ponoří do redostilované vody, zahřáté na bod varu po dobu lt 2 minut.Výhodou...

Číslo patentu: 265361

Dátum: 13.10.1989

Autori: Muller Ilja, Homola Jaroslav, Zamastil Jaroslav, Škaloud Miroslav

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: způsob, vnitřních, polovodičových, strukturách, součástkách, zkratu, zapouzdřených, detekce, interdigitalizovaných

Text:

...elektrody a katody výše uvedené zkraty detekovat nelze,protože tyristorová struktura mezi vývodem řídící elektrody a katodou pomocného tyristoru vnáší do měřícího obvodu sériový odpor, který je mnohem větší, než. velikost odporu mezi katodovou elektrodou a katodcu pomocného tyristoru u nezkratované struktury. známé způsoby detekce zkratů tedy neumožňují provádět výstupní kontrolu zapouzdřených součástek,a nelze takzabránit expedování součástek...

Číslo patentu: 262611

Dátum: 14.03.1989

Autori: Mikuš Oliver, Trnovec Jozef, Martišovitš Viktor

MPK: H01H 1/30, G06G 7/18, H01H 1/36...

Značky: časového, leptania, vyhodnocovanie, plazmochemického, procese, signálu, elektrického, zapojenie, automatické, priebehu

Text:

...funkciou nulovania možno blokovat vyhodnocovanie signálu. Druhá funkcia sledovania prírastku vyhodnocovaného signálu zabezpečuje širokú dynamiku pripojeného diferenčného obvodu 1. V tretej funkcii sa určuje zmena signálu vzhladom na prechádzajúoi extrém, čim sa zaručuje jednoznačne a presné vyhodnotenie zmien signálu, ktorý má nemonotônny časový priebeh. Vhodnou kombináciou týchto troch funkcii prirastkového zosilňovače g možno postupne...

Číslo patentu: 258565

Dátum: 16.08.1988

Autor: Fišer Jan

MPK: G01N 23/08, H01L 21/66, G01R 31/26...

Značky: energií, analyzátor, částic, elementárních

Text:

...výhodou analyzátoru je zvýšení jeho rozlišovací schopnosti, zadrží pozadí signálu vytvořeného částicemi prošlými otvorem analyzační mřížky. Značně se omezí Vliv extrakčních polí na primární svazek elementárních částic a sníží se vliv terciálních částic.Vynález blíže qpjasní přiložený výkres, na kterém je znázorněn ve zjednodušeném náčrtku analyzátor v osovém řezu.Analyzátor tvoří jednak extrakční prostor 2 a jednak brzdné pole lg...

Číslo patentu: 242157

Dátum: 15.09.1987

Autori: Novák Zdenik, Biheller Jan, Mikoláš Petr, Bor Jan, Labohý Ivan

MPK: H01L 21/66

Značky: systémov, kvality, polovodičových, súčiastok, výkonových, spôsob, hodnotenia

Text:

...teplotným cyklickýmskúškam, v skrátení času potrebného na skúšky 1 O 3 krát v šetrení pracovných sil v počte najmenej 1 000 hodin, v ušetrení chladiacej vody v množstve cca 200 m 5 a urýchlení prác vo výskume a vývoji výkonovýoh polovodičových súčiastok najmenej o 3 mesiace.vyznačený postup je novou diagnosticktou metódou pre hodnotenie vlastností výkonových polovodičových súčiastok, ktorá umožňuje nahradit doterajšie teplotné...

Číslo patentu: 231897

Dátum: 15.12.1986

Autori: Žamberský Vlasta, Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Šváb Petr

MPK: H01L 21/66

Značky: úrovně, způsob, znečištění, kontroly, desek, polovodičových

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká způsobu kontroly úrovně znečištění polovodičových desek, kde v průběhu vysokoteplotních operací se do křemenných aparatur jednorázově nebo v pravidelných intervalech vkládají testovací struktury s jedním vysokonapěťovým přechodem PN a s koncentrací hlubokých příměsí nižší než 2.1011 atomů cm-3. Testovací struktury se zpracují spolu s výrobními dávkami a po skončení vysokoteplotních operací se měří koncentrace hlubokých příměsí v...