H01L 21/66

Číslo patentu: 274967

Dátum: 17.12.1991

Autori: Dubecký František, Kordoš Peter Sav

MPK: G01R 31/26, H01L 21/66

Značky: charakterizujúcich, semiizolačn, veličin, fyzikálnych, zapojenie, tohoto, spo#ob, stavy, polovodičoch, hlboké, merania, spôsobu, uskutečnenie

Číslo patentu: 273671

Dátum: 12.03.1991

Autori: Hulenyi Ladislav, Malý Ľudovít, Adamíček Ivan

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: testovatelnou, logikou, řídící, struktury, testovací, polovodičové

Číslo patentu: 272390

Dátum: 15.01.1991

Autori: Beneš Petr, Bürger Antonín

MPK: H01L 21/66, G01N 21/01

Značky: teriálů, optické, vlastností, zařízení, měření, polovodičových, izolačních, homogenity

Číslo patentu: 272020

Dátum: 13.12.1990

Autor: Zamba Juraj

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: homogenity, polovodičových, zapojení, elektrického, strukturách, měření

Číslo patentu: 271742

Dátum: 14.11.1990

Autori: Liška Jan, Jurica Jozef

MPK: H01L 21/265, H01L 21/66

Značky: odporu, metody, povrchového, spôsob, merania, dvojimplantačnej

Číslo patentu: 268127

Dátum: 14.03.1990

Autori: Čotek Petr, Sika Jiří

MPK: G02B 6/12, G02B 6/14, H01L 21/66...

Značky: emitujících, čelně, měření, zařízení, emisních, optického, výkonu, čipu

Text:

...měření optického výkonu čipu na cele desce před použitím ke zpracování. Nepřesností vzniklé opotřebenín detektoru jsou vzhledem k požadovaným nârokům na měření zanedbatelné. Výhodou zařízení podle vynälezu je jeho velká operativnos měření, snadnà možnost automatizace a na nipulace s čipem při měření.Na připojenem výkrese je vyobrazeno blokově schéma zařízení pro měření optického výkonu emisních čelnč emítujících čipů.°rincip spočívà v...

Číslo patentu: 265840

Dátum: 14.11.1989

Autori: Šťastný Vladimír, Veselý Miroslav, Kvasničková Miroslava, Mlejnková Jiřina

MPK: H01L 21/302, H01L 21/66

Značky: indiumfosfidu, úpravy, struktury, měřením, epitaxní, před, způsob, vrstvy

Text:

...kvalita povrchu epitaxní struktunm a tím také přesnost měření.Uvedené nevýhody z velké části odstraňuje způsob úpravy epitaxní struktury indiumfosfidu před jejím měřením metodou snímání charakteristík kapacita-napětí na Schottxyho přechodu pomocí rtutová sondy podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom,že se substrát a nanesenou epítaxní strukturou n-typu vodivosti ponoří do redostilované vody, zahřáté na bod varu po dobu lt 2 minut.Výhodou...

Číslo patentu: 265361

Dátum: 13.10.1989

Autori: Muller Ilja, Homola Jaroslav, Zamastil Jaroslav, Škaloud Miroslav

MPK: G01R 31/26, H01L 21/66

Značky: součástkách, interdigitalizovaných, zkratu, zapouzdřených, vnitřních, způsob, polovodičových, detekce, strukturách

Text:

...elektrody a katody výše uvedené zkraty detekovat nelze,protože tyristorová struktura mezi vývodem řídící elektrody a katodou pomocného tyristoru vnáší do měřícího obvodu sériový odpor, který je mnohem větší, než. velikost odporu mezi katodovou elektrodou a katodcu pomocného tyristoru u nezkratované struktury. známé způsoby detekce zkratů tedy neumožňují provádět výstupní kontrolu zapouzdřených součástek,a nelze takzabránit expedování součástek...

Číslo patentu: 262611

Dátum: 14.03.1989

Autori: Trnovec Jozef, Mikuš Oliver, Martišovitš Viktor

MPK: H01H 1/36, H01H 1/30, G06G 7/18...

Značky: procese, časového, leptania, zapojenie, elektrického, plazmochemického, priebehu, vyhodnocovanie, signálu, automatické

Text:

...funkciou nulovania možno blokovat vyhodnocovanie signálu. Druhá funkcia sledovania prírastku vyhodnocovaného signálu zabezpečuje širokú dynamiku pripojeného diferenčného obvodu 1. V tretej funkcii sa určuje zmena signálu vzhladom na prechádzajúoi extrém, čim sa zaručuje jednoznačne a presné vyhodnotenie zmien signálu, ktorý má nemonotônny časový priebeh. Vhodnou kombináciou týchto troch funkcii prirastkového zosilňovače g možno postupne...

Číslo patentu: 258565

Dátum: 16.08.1988

Autor: Fišer Jan

MPK: G01N 23/08, G01R 31/26, H01L 21/66...

Značky: analyzátor, elementárních, částic, energií

Text:

...výhodou analyzátoru je zvýšení jeho rozlišovací schopnosti, zadrží pozadí signálu vytvořeného částicemi prošlými otvorem analyzační mřížky. Značně se omezí Vliv extrakčních polí na primární svazek elementárních částic a sníží se vliv terciálních částic.Vynález blíže qpjasní přiložený výkres, na kterém je znázorněn ve zjednodušeném náčrtku analyzátor v osovém řezu.Analyzátor tvoří jednak extrakční prostor 2 a jednak brzdné pole lg...

Číslo patentu: 242157

Dátum: 15.09.1987

Autori: Biheller Jan, Bor Jan, Mikoláš Petr, Novák Zdenik, Labohý Ivan

MPK: H01L 21/66

Značky: súčiastok, polovodičových, systémov, spôsob, kvality, hodnotenia, výkonových

Text:

...teplotným cyklickýmskúškam, v skrátení času potrebného na skúšky 1 O 3 krát v šetrení pracovných sil v počte najmenej 1 000 hodin, v ušetrení chladiacej vody v množstve cca 200 m 5 a urýchlení prác vo výskume a vývoji výkonovýoh polovodičových súčiastok najmenej o 3 mesiace.vyznačený postup je novou diagnosticktou metódou pre hodnotenie vlastností výkonových polovodičových súčiastok, ktorá umožňuje nahradit doterajšie teplotné...

Číslo patentu: 231897

Dátum: 15.12.1986

Autori: Pína Bohumil, Šváb Petr, Žamberský Vlasta, Homola Jaroslav

MPK: H01L 21/66

Značky: desek, kontroly, znečištění, úrovně, polovodičových, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká způsobu kontroly úrovně znečištění polovodičových desek, kde v průběhu vysokoteplotních operací se do křemenných aparatur jednorázově nebo v pravidelných intervalech vkládají testovací struktury s jedním vysokonapěťovým přechodem PN a s koncentrací hlubokých příměsí nižší než 2.1011 atomů cm-3. Testovací struktury se zpracují spolu s výrobními dávkami a po skončení vysokoteplotních operací se měří koncentrace hlubokých příměsí v...