Chromik Štefan

Číslo patentu: 286586

Dátum: 29.12.2008

Autori: Chromik Štefan, Vincenc Oboňa Jozef

MPK: H01L 39/24, G03F 7/027, H05K 3/02...

Značky: fullerénu, vrstiev, kryoelektronike, tvarovania, tenkých, použitím, spôsob

Zhrnutie / Anotácia:

Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej...

Číslo patentu: 286519

Dátum: 12.11.2008

Autori: Kostič Ivan, Vincenc Oboňa Jozef, Chromik Štefan

MPK: C23C 16/04, H01L 39/24, H01L 39/14...

Značky: spôsob, submikrometrových, využitím, kryoelektronike, struktur, fullerénu, tvarovania

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.

Číslo patentu: 274934

Dátum: 17.12.1991

Autori: Chromik Štefan, Jergel Milan, Hanic František, Plesch Gustav

MPK: H01B 12/00

Značky: vysokoteplotných, teplo, hodnotou, kritickej, vysokou, spôsob, supravodičov, přípravy

Číslo patentu: 268584

Dátum: 14.03.1990

Autori: Beňačka Štefan, Chromik Štefan, Pleceník Andrej, Levársky Ján

MPK: H01L 39/24

Značky: tepelného, spracovania, vrstiev, supravodivých, tenkých, spôsob, vysokoteplotných

Text:

...teplotách, takze dlfúznymi procesmi dochádza k interakcii podložky a vrstvy. čím sa zhoršujú základné kritické parametre supravodića, najmä jeho krítická teplota a kritická prúdová hustota vrstiev.Zmienenć nedostatky v podstatnej miere odstraňuje spôsob tepelného spracovania vysokotoplotných supravodivých tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácnych zemín podla vynálezu,ktorého podstata spočíva v tom, že vrstva sa žíha vo vákuu s...

Číslo patentu: 267358

Dátum: 12.02.1990

Autori: Beňačka Štefan, Pleceník Andrej, Leverský Ján, Chromik Štefan

MPK: H01L 39/24

Značky: spôsob, vysokotepelných, supravodivých, vrstiev, přípravy, tenkých

Text:

...procesu a vybratí vzoriek na laboratórnu atmosféru používať pec s možnosťou prívodu kyslíka do priestoru, kde sa nachádza vzorka.Uvedené nedostatky odstraňuje spôsob príEravy vysokoteplotných supravodivých ten ých vrstiev na báze prvkov vzácnych zemín podľa vynálezu, ktorého podstata spočíva v tom, že vrstvy sa nanášajú kodepozíciou rvkov vzácných zemín pri tlaku kyslíka 10 Pananášania sa vrstvy ponechajú vo vákuovej aparatúre pri...

Číslo patentu: 254170

Dátum: 15.01.1988

Autori: Chromik Štefan, Roman Pavol, Hudek Peter, 0

MPK: B41M 1/42

Značky: priamu, elektrónovú, litografiu, justážny

Text:

...z ťažkotaviteľného kovu, ale stačí,aby materiál mal dostatočnú atomovú hmotnosť.Uvedené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje justážny znak pre priamu elektrónovú litografiu podľa vynálezu, ktorého podstata spočíva v, tom, že justažny znak je zložený z adhéznej vrstvy chrómu alebo zliatiny chromniklu a z funkčnej vrstvy antimónu. ustážny znak sa deponuje výhodne termickým odparenĺm vrstiev chrómu alebo chromniklu v tom istom vákuovom...

Číslo patentu: 218176

Dátum: 15.09.1984

Autori: Chromik Štefan, Osvald Jozef

Značky: struktur, submikrometrových, spôsob, vytvárania

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektromechanických metód ovrstvenia tenších odpovedajúcich štruktúr a odstraňuje nutnosť používať pomerne hrubé vrstvy elektrónových rezistov, ktoré znemožňujú presné vytvorenie obrazcov submikrometrových rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike.

Číslo patentu: 218175

Dátum: 15.09.1984

Autor: Chromik Štefan

Značky: spôsob, submikrometrovej, přípravy, šířky, pások

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka spôsobu prípravy pások submikrometrovej šírky z rôznych materiálov a tiež jednoduchších elektronických štruktúr, pozostávajúcich z týchto pások, na polovodičových, izolačných, príp. kovových podložkách. Podstata spôsobu prípravy pások submikrometrovej šírky podľa vynálezu spočíva v tom, že na podložku opatrenú schodíkmi sa nanesie pod ostrým uhlom vrstva z ľubovolného materiálu a ďalej sa táto vrstva leptá, kým na stene schodíka...