Patenty so značkou «tranzistorů»

Zapojení pro měření prahového napětí vstupních tranzistorů unipolárních integrovaných obvodů

Načítavanie...

Číslo patentu: 270475

Dátum: 13.06.1990

Autor: Bubeníček Petr

MPK: G01R 31/26

Značky: tranzistorů, prahového, unipolárních, integrovaných, vstupních, zapojení, měření, obvodů, napětí

Text:

...obvodu A za účelom připojení nepájooího napětí. Druhý výstup 33 napájocího zdroje Bje spojen se spoločnou zemnící svorkou g. restovaný vstup 2 Ateatovaného integrovaného obvodu A je spojen s prvním výstupom çl zdroje g spojitě proměnného nepětí za účelom buzení testoveněho integrovaného obvodu L a současně je spojen se vzorkovacím vstupom g vzorkovaeího obvodu Hza účelom vzorkování hodnoty proměnnéhonapětí. První vstup 2 Lç zdroje çspojitě...

Obvod fázového řízení spínacího tranzistoru v přístrojích se síťovým napájením

Načítavanie...

Číslo patentu: 264008

Dátum: 12.05.1989

Autor: Seckendorf Wilfried

MPK: H03K 17/60, H02M 1/08

Značky: řízení, sítovým, obvod, spínacího, tranzistorů, napájením, fázového, přístrojích

Text:

...58311, B pesynbraTe qero oTpHuaTenLrxoe BJIPIHHHE BpeMeHH Haxonnewun nepexnmqammero TpaH 3 HCTOpa Ha perynnponounme caoñcwna npnőopa ceTGBOPO nnranna nn cwaönnuaaua Bmxonuoro Hanpgmenun cymecraeuno yMenhmaeT ca. B anbueňmem pa 3 BHTHH naoöperenna nuo Bxnmqen B Hanpanneann sannpannaĺ nnx Toxa őasu ynpannnmmero Tpansncropa Memy ero őasoň H o 6 pameHHmM OT sunrepa BBIBOIIOM BMI/ITTGDHOÍO COHDOTHBJÍQHHH nepemmqaxomero rpansucTopa H IIIYHTH...

Obvod fázového řízení spínacího tranzistoru v přístrojích se síťovým napájením

Načítavanie...

Číslo patentu: 264007

Dátum: 12.05.1989

Autor: Seckendorf Wilfried

MPK: H03K 17/60, H02M 1/08

Značky: sítovým, fázového, obvod, napájením, řízení, spínacího, přístrojích, tranzistorů

Text:

...nenuunnoü COHDOTHBHeHHHB 3 MnTTepHdň BGTBH ynpaansmmero Tpansncropa, TOK őasm nepexnmqammero TpaH 3 HćT 0 pa HáxounTcH non snnnunem B HpaBHnbHOMHaUpaBneHHH KaK H 3 MeHeHHä Hanpmrcenun ceTu, rak u Hsuenenuň Harpýakn npnőopa ceTeBoro nuTaHnn,T.e. ynpaBnaeTcH 6 onbmHM nan MEHbmHM TOKOM času, B pesynbŕare qero owpnua-rennuoe Bnnnnne Bpemenn Haxonnennn ňepexnmqammero TpaH 3 HCTOpa Ha perynnponoqnueącaoñcwsa npnôopa cerenoro nurannn uns cwaőunusauun...

Budicí obvod bipolárního tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 263214

Dátum: 11.04.1989

Autori: Paták Zdeněk, Parkan Petr

MPK: H03K 17/00

Značky: bipolárního, obvod, tranzistorů, budicí

Text:

...na prvním vývodu 1 ovládacího obvodu 1 dojde přes rozběhový obvod § k počátečnímu vybuzení tranzistoru § NPN. Rozběhový obvod Q obsahuje například paralelní kombinaci odporu a kondenzátoru. Tranzistor Q NPN se otevře a jeho kolektorem začne protékat proud z napájecího zdroje 2 přes zátěž 1. Tento proud je snímán enímacím vinutím 21 proudového transformátoru 2. Na jeho budicím vinutí Ž se vytvoří takové napětí, ktoré způsobí tok budíoího...

Zapojení budicího obvodu pro spínání výkonových tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 259928

Dátum: 15.11.1988

Autor: Stuchlík Stanislav

MPK: H02M 1/08

Značky: budicího, zapojení, výkonových, obvodů, spínání, tranzistorů

Text:

...Výstup § stabílizátoru g je spojen s výstupním blokovacím kondenzátorem ll. s kolektorem budicího tranzistoru lg a s emitoram vazebního tranzistoru lg. Báze vazebního tranzistoru lg je spojena s řídicím vstupem 5 a kolektor je spojen s bází budicího tranzistoru łg, s bází rekuperačního tranzistoru lg a s bázovým odporem lg. Vstupní zápoxná svorka 3 je spojena s anodou Zenerovy diody Q s integracním kondenzátorem lg, s kolektorem rekuperačního...

Obvod pro měření proudového zesilovacího činitele tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 258966

Dátum: 16.09.1988

Autor: Láznička Pavel

MPK: G01R 19/10, G01R 13/02, G01R 17/02...

Značky: měření, obvod, činitele, zesilovacího, proudového, tranzistorů

Text:

...A. Emitor měřeného tranzistoru.Aje dále spojen s druhým výstupem 11 zdroje 2 bázového proudu. Výstup §§ diferenciálního zesilovače§ je spojen s druhým vstupem gg komparátoru 3,jehož výstup 22 je spojen s prvním vůtupem łgł klopného obvodu łá. Jeho výstup lg je spojen s prvním vstupom lg vratného čítače łł, jehož první výstup łłg je spojen s prvním vstur pem 1 klíčovacího obvodu 1. Výstup 1 klíčovacího obvodu 1 je spow jen s druhým vstupom gg...

Uspořádání kontaktů výkonového tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 245241

Dátum: 01.07.1988

Autori: Skatteböl Lars, Lerajovska Lambrina Nikolova

MPK: H01L 29/00

Značky: uspořádání, kontaktů, výkonového, tranzistorů

Text:

...k přívodnímu kontaktu funkční emitorové oblasti největší a postupně se zmenšuje s rostoucí vzdálenosti ostatních míst proužkového uspořádání struktury od místa přívodního kontaktu k funkční emitorové ob~ lasti.Proužkové otvory v krycí oxidové vrstvě pod souvislým metalizovaným kontaktem k bázové oblasti jsou vytvořeny soustavou vzájemné oddělených jednoduchých geometrických obrazců, například obdélníků, jejichž plocha je nejmenší a...

Zapojení pro měření spínacích dob výkonových tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 256443

Dátum: 15.04.1988

Autori: Jarolím Josef, Bureš Josef

MPK: G01R 31/26

Značky: zapojení, měření, spínacích, výkonových, tranzistorů

Text:

...jo spojon so vstupan prvního řízanćho zdroja. Kladaý výstup druhtho řízontho zdrojo jo spojon současně so druhýn vstupss sčítscího bodu třstího rsgulůtoru as kladný polos druhů kondonzàtorovb batsrío. Jojí tporný půl jo spojon as ztpornýs výstupoa druhbho řízonćho zdroja. Kladný výstup prvního řízonoho zdroje jo spojos jsdnak s druhý vstuo psa sčítacího bodu druhého rogulútoru, jednak s druhý vstupsa sčítacího bodu prvního ragulttoru a s...

Držák pro měření mikrovlnných tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 253968

Dátum: 17.12.1987

Autor: Peterka Roman

MPK: H05K 7/00

Značky: měření, mikrovlnných, tranzistorů, držák

Text:

...drážka, do které je zasunut třnen uzavíracího Víčka.Vyšší účinek držáku podle vynálezu proti dosavadnin konstrukcím je spatřován v jeho jednoduchosti a ve zlepšení přesností něřených parametrů tranzistoru.Konstrukce držáku vynálezu bude dále popsána se žřetelen k připojenénu vyobrazení, kde na obr. 2 je pohled na držák shore a na obr. 1 je třnenovité víčko uzavírajicí držák.Pouzdro Q něřeného tranzistoru je uloženo do drážky g v bloku L...

Pouzdro tranzistoru pro rtg systémy s polovodičovými detektory

Načítavanie...

Číslo patentu: 246996

Dátum: 15.10.1987

Autor: Mánek Oldoich

MPK: H01L 31/00

Značky: detektory, polovodičovými, systémy, tranzistorů, pouzdro

Text:

...je většina jeho vývodů rsdiální.Při aplikaci rtg systému s vysokou rozlisovací schopností s polovodičovýsi detekto ry, například v elektronových mikroskopech, má na konstrukcí měřicí hlavice zásadnívliv její maximální povolený vnější průměr. Toto omezení, obvykle 18 sž 25 mm, vyplývá zejména s požadované vysoké detekční účinnosti rtg saření. Je nutné, aby detekćníčást měřící hlavice byla co nejblíže k vąyěetřovsné lokslitě vzorku. Za těchto...

Způsob stanovení vadného tranzistoru zapojeného libovolným způsobem na elektrické jednotce pomocí sondy měřící saturační stav tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 240177

Dátum: 01.06.1987

Autori: Kiškilov Vasil Borisov, Sofijanski Christo Stifanov

MPK: G01R 31/26

Značky: jednotce, sondy, pomocí, tranzistorů, vadného, měřicí, způsob, libovolným, způsobem, zapojeného, saturační, stanovení, elektrické

Text:

...jiným metodám. Lze jí odstranit na libovolném sortimentu elektronických jednotek složité závady způsobené vadnými tranzistory. Pro zjíštování závad není nutná přesné znalost signálu v obvodech, proto metodou mohou pracovat i méně kvalifikovaní pracovníci. Zjištování vadných tranzistorů se provádí mimo zařízení a tím jsou vytvořeny podmínky pro úsporu strojovéhoNa výkresu je značen příklad zapojení pro stanovení vadného tranzistoru...

Nosič chlazeného vstupního tranzistoru nábojově citlivého předzesilovače

Načítavanie...

Číslo patentu: 250837

Dátum: 14.05.1987

Autori: Mejdřický Martin, Petřík Milan, Kalivoda Lubomír

MPK: H05K 7/06

Značky: citlivého, chlazeného, nábojově, předzesilovače, vstupního, nosič, tranzistorů

Text:

...tranzistoru podle vynálezu umožňuje minimalizovat rozměry části předzesilovače s chlazeným vstupním tranzistorem, čímž se sníží parazitní kapacita a zmenší se mikrofonní jev. zjednodušuje se též montáž zejména čipu vstupního tranzistoru a není nutný žádný dodatečný příkon potřebný k requlaci teploty vstupního tranzistoru, čímž se značně sníží odpar chladiva. Vazební kapacity tvořené první, čtvrtou a pátou vodivou plošku, mají přesnou a...

Obvod pro bezztrátové měření kmitočtové zatížitelnosti výkonových tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 237012

Dátum: 15.02.1987

Autori: Láznička Pavel, Bureš Josef, Jarolím Josef

MPK: G01R 31/26

Značky: výkonových, měření, bezztrátové, obvod, kmitočtově, zatížitelností, tranzistorů

Zhrnutie / Anotácia:

Účelem vynálezu je zmenšení spotřeby elektrické energie při měření a zvýšení jeho přesnosti. Uvedeného účelu se dosáhne zapojením obvodu podle vynálezu, který je složen z regulovaného zdroje napětí, pulsního měniče, regulátoru pulsního měniče a bloku řízení, aktivních a pasivních součástí. V obvodu je zapojen kondenzátor, představující zdroj napětí a velká filtrační indukčnost, chovající se jako zdroj proudu. Měřený tranzistor je zatěžován buď...

Hybridní integrované obvody s čipy mikrovlnných tranzistorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 234634

Dátum: 01.01.1987

Autori: Kurz Miroslav, Kancel Zoltán

MPK: H01L 23/02

Značky: obvody, mikrovlnných, hybridní, integrované, tranzistorů, čipy

Zhrnutie / Anotácia:

Hybridní integrované obvody s čipy mikrovlnných tranzistorů řeší problém měření čipů a jejich montáže do hibridních obvodů s možností snadné výměny čipu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že válcový izolační díl (2) polopouzdra zhotovený z dielektrického materiálu je na své vrchní - otevřené části opatřen kontaktovacími plochami (21a, 21b, 21c a 21d), jejichž geometrie je impedančně přizpůsobena páskovému vedení mikrovlnného hybridního...

Zapojení nadproudové a zkratové ochrany výkonového spínacího tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 233185

Dátum: 01.12.1986

Autori: Schinkman Petr, Desort Jiří

MPK: H02H 7/20

Značky: nadproudové, zkratové, tranzistorů, ochrany, spínacího, zapojení, výkonového

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká automatizační a měřící techniky. Ochrana je určená pro nadproudové a zkratové jištění spínacích tranzistorů. Jištění spočívá v tom, že spínaný proud protékající snímacím vinutím přesytky ovlivňuje velikost měřícího proudu obdélníkového průběhu procházejícího měřícím vinutím. Tímto proudem se ovládají tranzistory pojistky. Vynález se využije v automatizačních celcích při jištění výkonových převodníků, stabilizátorů proudu a...

Budicí obvod tranzistoru MOS s galvanickým oddělením

Načítavanie...

Číslo patentu: 233796

Dátum: 15.08.1986

Autori: Parkan Petr, Paták Zdeněk

MPK: G05F 1/10

Značky: tranzistorů, galvanickým, obvod, oddělením, budicí

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká budicího obvodu tranzistorů typu MOS pracujících ve spínacím režimu. Budicí obvod zajišťuje galvanicky oddělené rychlé nabití a vybití vstupní kapacity tranzistoru MOS, čímž je dosaženo jeho rychlého sepnutí i rozepnutí. K tomu je použito transformátoru budiče a vybíjecího tranzistoru. Budicí obvod podle vynálezu je možno použít k ovládání tranzistorů MOS při požadavku na galvanické oddělení, například u impulsně regulovaných...

Ochranný obvod spínacího tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 233000

Dátum: 15.07.1986

Autori: Paták Zdeněk, Parkan Petr

MPK: H03G 1/04

Značky: tranzistorů, obvod, ochranný, spínacího

Zhrnutie / Anotácia:

Předmět vynálezu se týká ochranného obvodu spínacího tranzistoru, jehož účinek závisí na okamžité velikosti kolektorového proudu spínacího tranzistoru. Kolektorový proud spínacího tranzistoru je snímán proudovým transformátorem. Pro malé kolektorové proudy je ochranný obvod odpojen, pro velké se automaticky připojí tranzistorovým spínačem. Zapojení snižuje rozpínací ztráty spínacího tranzistoru, zvláště při spínání induktivní zátěže. Je vhodné...

Uspořádání struktury výkonového tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 229728

Dátum: 01.05.1986

Autori: Bořek Petr, Vodička Jiří

MPK: H01L 29/08

Značky: uspořádání, výkonového, tranzistorů, struktury

Zhrnutie / Anotácia:

Účelem vynálezu je zvýšení odolnosti výkonového tranzistoru proti druhému průrazu. Uvedeného účelu se dosáhne uspořádáním struktury výkonového tranzistoru které spočívá v tom, že v bázové vrstvě je umístěna další vrstva stejného typu elektrické vodivosti jako má bázová vrstva, ale s vyšší koncentrací aktivních příměsí než má bázová vrstva. Tlusťka této další vrstvy je menší než tloušťka bázové vrstvy a tato další vrstva buď přímo tvoří...

Budicí obvod spínacího tranzistoru závislý na spínané zátěži

Načítavanie...

Číslo patentu: 219004

Dátum: 15.06.1985

Autori: Parkan Petr, Paták Zdeněk

Značky: tranzistorů, spínané, spínacího, závislý, zátěží, obvod, budicí

Zhrnutie / Anotácia:

Obvod podle vynálezu se týká budicího obvodu spínacího tranzistoru. Obvod vytváří budicí proud, který je závislý na velikosti spínané zátěže. K vytváření proudově závislého buzení se používá proudového transformátoru. Je dosaženo krátké doby saturace pro široký rozsah změn kolektorového proudu a je zajištěno spolehlivé zavření spínacího tranzistoru. Obvodu podle vynálezu může být použito pro buzení spínacích tranzistorů měniče ve zdrojích...

Zapojení pro ochranu výkonového spínacího tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 218783

Dátum: 15.04.1985

Autori: Valsa Juraj, Patočka Miroslav

Značky: zapojení, ochranu, tranzistorů, výkonového, spínacího

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká ochrany výkonového spínacího tranzistoru řízeného do báze z budiče napájeného ze zdroje stejnosměrného proudu. Účelem vynálezu je navrhnout jednoduchou dostatečně rychlou ochranu, pracující v širokém rozsahu napájecích napětí se současným vyřešením problému získávání referenčního napětí. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že komparátor porovnávající kolektorové napětí hlídaného tranzistoru s referenčním napětím a zdroj tohoto...

Zapojení bipolárních tranzistorů k ovládání střídavého a stejnosměrného signálu obou polarit

Načítavanie...

Číslo patentu: 215228

Dátum: 15.10.1984

Autor: Urválek Aleš

Značky: polarit, bipolárních, signálu, ovládání, tranzistorů, zapojení, střídavého, stejnosměrného

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká zapojení bipolárních tranzistorů k ovládání střídavého a stejnosměrného signálu obou polarit, zejména operačních zesilovačů. Řeší problém nulování operačních zesilovačů. Podstata vynálezu spočívá v tom, že obsahuje dva bipolární tranzistory, přičemž jeden z tranzistorů pracuje v normálním a druhý v inversním režimu a naopak podle polarity ovládaného signálu. Vynálezu může být dále využito ke spínání střídavých a stejnosměrných...

Způsob výroby oblastí typu P v plenární technologii monolitických tranzistorů a integrovaných obvodů

Načítavanie...

Číslo patentu: 215661

Dátum: 01.09.1984

Autor: Vojtík Zdeněk

Značky: technologii, integrovaných, tranzistorů, plenární, způsob, monolitických, výroby, oblastí, obvodů

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob výroby oblastí typu P v planární technologii monolitických tranzistorů a integrovaných obvodů. Vynález řeší způsob přípravy vrstev typu P pro struktury s vysokými nároky na bezchybnou funkci, zejména náročných lineárních integrovaných obvodů a součástek s vysokou hustotou součástek. Na substrát s předdifuzní P+ vrstvou se při vysokých teplotách působí prostředím vytvořeným směsí suchého kyslíku a plynného čistého chlorovodíku HCl, které...

Zapojení řízení tranzistoru měniče změnou střídy a změnou amplitudy

Načítavanie...

Číslo patentu: 215658

Dátum: 01.09.1984

Autori: Mareda Franjo, Vála Lutz

Značky: změnou, zapojení, řízení, střídy, měniče, tranzistorů, amplitudy

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká zapojení řízení výkonového tranzistoru pulsních měničů změnou střídy, které je doplněno o řízení změnou amplitudy řídicího signálu. Signál z regulátoru je veden na vstup regulačního členu, ze kterého je připojen na vstup zdroje proudu, jehož výstup je připojen na jeden vývod primáru oddělovacího transformátoru a druhý vývod je připojen na kolektor budicího tranzistoru. Báze budicího tranzistoru je připojena na první vstup...