Patenty so značkou «pozitivního»

Způsob pozitivního podávání nitě z cívky do pracovních jehel plochého pletacího stroje

Načítavanie...

Číslo patentu: 268326

Dátum: 14.03.1990

Autori: Jelínek Rudolf, Smejkal Vladimír, Povolný Jiří, Balšík Pavel

MPK: D04B 15/38

Značky: cívky, podávání, jehel, nitě, pletacího, pozitivního, plochého, stroje, pracovních, způsob

Text:

...unàšecího vàlečku nejsou vyvolány mechanickým převodem od náhonu sení stroje, ale jsou ovládány elektronicky,Otáčky unášecího váleěku lze na rozdíl od mechanických pozitivních podevačú nití něnit 1 błhen jednoho přejozdu sení. vzhledem k tomu, že rychlost otáčení unáěecího válečku je neustále vypočitáváne v přadstíhu před okemžitýni otáčkemi tohoto válečku. je možno unášecí váleček předtáčet ne nejbližší žádené otáčky. a tím dosáhnout...

Vývojka pozitivního elektronového rezistu

Načítavanie...

Číslo patentu: 264370

Dátum: 12.07.1989

Autor: Pospíšil Miloš

MPK: B05D 3/06

Značky: vývojka, rezistu, elektronového, pozitivního

Text:

...ani k experimentálním účelům.Uvedené nevýhody jsou odstraněny vývojkou pozitivního elektronového rezistu na bázi polymethylmethakrylátu podle vynálezu, jehož podstata spočíva v tom, že předmět vynálezu sestává ze směsi 1,2-, 1,3- a 1,4-dimethylbenzenu s libovolným obsahem jednotlivých komponent, přičemž jejíparametr rozpustnosti je nižší než parametr rozpustnosti rezistu a teplota tání je v oboru -47,4 až 13,3 °C, podle zastoupení...

Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě

Načítavanie...

Číslo patentu: 239786

Dátum: 15.04.1987

Autori: Grossmann Arnošt, Zemanová Ivana, Bizoo Vladimír, Dušátko Petr

MPK: G03C 1/76

Značky: chalkogenidové, fotocitlivé, pozitivního, vrstvě, vytvoření, způsob, obrazů

Text:

...1 je znázorněna změna negativního procesu v pozitivní pro vrstvu o složení As 2 S 3. Na obr. 2 je znázorněnn použití chalkogenidové vrstvy jako resistu. Křivka 5 na obr. 1 značí negativní leptací proces, kdy rychlost leptání ozářené chalkogenidové vrst~ vy je nižší než rychlost leptání vrstvy neozářené.Křivka E značí pozitivní proces, kdy rychlost leptáni ozářené chalkogenidové vrstvy je vyšší než u vrstvy neozářené. Poměr obou rychlostí je...