Patenty so značkou «nízkoteplotního»

Způsob nízkoteplotního dělení vzduchu

Načítavanie...

Číslo patentu: 266529

Dátum: 12.01.1990

Autori: Chrz Václav, Sýkora Jiří

MPK: B01D 3/14

Značky: dělení, vzduchu, způsob, nízkoteplotního

Text:

...tkví v tom, že se zlepší refluxní poměry v rektífikační koloně, nebot ve spodní části kolony vzroete podíl stékající kapaliny. Zvýší se tak výtéžnost produktů nízkoteplotního dělení a klesne potřebný počet rektifikačních pater.Příkladné řešení způsobu dělení vzduchu rektifikací je patrne z obrázku, na kterém je zjednodušene technologické schéma výroby dusíku a kyslíku. Vzduch komprimovaný na tlak 1,5 MPa proudí do zařízení potrubím ll....

Způsob předchlazení tlakového vzduchu u nízkoteplotního zařízení

Načítavanie...

Číslo patentu: 261112

Dátum: 12.01.1989

Autor: Jirsa Jan

MPK: F25J 1/00

Značky: způsob, zařízení, tlakového, vzduchu, předchlazení, nízkoteplotního

Text:

...Výtlak vzduchového kompresoru 1 je propojen vzduchovým potrubím 18 přes dochlazovač 2, chladič 3,odlučovač 4, jeden z adsorbérů 5 nebo B a přes výměník 11 tepla se vstupem 19 do expanzní turbíny 10. Výstup 20 z expanzníturbíny 10 je naopak spojen se sáním vz-duchověho kompresoru 1 přes výměník 11 tepla a výparný chladič 8 pomocí cirkulačního potrubí 16. »Cirkulační potrubí 16 je dále propojeno přes elektroohřívtač 7 a jeden z adsorbérů 5...

Způsob nízkoteplotního dělení vzduchu

Načítavanie...

Číslo patentu: 242724

Dátum: 15.05.1987

Autori: Novák Ivan, Macko Tibor, Zvirák Ján

MPK: F25J 3/04

Značky: způsob, vzduchu, nízkoteplotního, dělení

Text:

.... Protiproudym ochlazováním s produkty dělení je obohecený vzduch ochlazován v regenerátorech 1, Q blízko mezi sytosti a pak je veden potrubím ,LL do raktitikačních kolon m, L.V nichlse dvojnásobnou rektifikací získává kyslík. Kyslík se shromažduje v hlavním kondensátoru LL. Jako produkt dělení je vyváděn potrubím ,L 2 z kondensátoru do regenerátord 1, 5, kde se v trubkové veetavbě kyslík ohřívá na teplotu blízkou teplotě vstupu jícího...

Způsob výroby nízkoteplotního plasmatu

Načítavanie...

Číslo patentu: 232677

Dátum: 15.12.1986

Autori: Tlučhoř Zdeněk Rndr, Kroupa Petr, Szabó Josef, Polidor Jaromír, Zvěřina Karel

MPK: H05H 1/24

Značky: plasmatu, způsob, výroby, nízkoteplotního

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká oboru plasmové techniky a řeší problém zvyšování teploty rekombinované plasmy a zvyšování životnosti katody v kapalinou stabilizovaném plasmovém generátoru. Podstata vynálezu spočívá v tom, že se do katodové části stabilizačního systému přivádí kapalina snižující oxidační opotřebení katody a do zbývající části stabilizačního systému se přivádí kapalina mající vysokou vazebnou energii. Používají se kapaliny obsahující chemicky...

Způsob výroby tlakového produktu nízkoteplotního dělení vzduchu a zařízení k provádění způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 235801

Dátum: 01.12.1986

Autor: Jirsa Jan

MPK: F25J 1/00

Značky: dělení, vzduchu, výroby, produktů, tlakového, způsob, provádění, nízkoteplotního, způsobu, zařízení

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob výroby tlakového produktu nízkoteplotního dělení vzduchu a zařízení k provádění tohoto způsobu najde uplatnění především u zařízení s produkcí kapalného kyslíku a dusíku s se současnou výrobou tlakového kyslíku nebo dusíku, například pro plnění do tlakových lahví. Kapalný produkt, kyslík, dusík nebo argon, se z nízkoteplotního zařízení vede do zásobníku a odtud se část nebo celý vyráběný tok kapalného plynu dopravuje čerpadlem za...

Způsob nízkoteplotního legování galliumarsenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 226128

Dátum: 15.04.1986

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: způsob, legování, galliumarsenidu, nízkoteplotního

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob nizkoteplotního legování galliumarsenidu v plynné fázi, v uzavřené soustavě, za sníženého tlaku a v teplotním gradientu, pomocí halogenidu jako transportního prostředku, vyznačující se tím, že ke galliumarsenidu se přidají, popřípadě současně, 0,1 až 10 mg halogenidu gallia a v elementární formě 1 až 50 mg arsenu a 10 až 20 mg legující přísady jako je telur nebo zinek, vše počítáno na 1 X 10-6 m3 reakčního prostoru.

Způsob nízkoteplotního legování galliumarsenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 226593

Dátum: 15.11.1985

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: způsob, galliumarsenidu, nízkoteplotního, legování

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob nízkoteplotního legování galliumarsenidu v plynné fázi v uzavřené soustavě, za sníženého tlaku a v teplotním gradientu, s příměsí 1 až 50 mg volného arsenu a s přísadou halogenidu jako transportního činidla, vyznačující se tím, že se jako transportní prostředek a současně jako legující příměs přidá 0,1 až 20,0 mg jodidu cíničitého počítáno na 1.10-6 m3 reakčního prostoru.

Způsob nízkoteplotního legování galliumarsenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 225974

Dátum: 01.07.1985

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: způsob, galliumarsenidu, nízkoteplotního, legování

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob nízkoteplotního legování galliumarsenidu v plynné fázi v uzavřené soustavě za sníženého tlaku a v teplotním gradientu s příměsí arsenu a pomocí halogenidu jako transportního prostředku, vyznačující se tím, že se jako transportní prostředek a současně jako legující příměs přidá 0,1 až 20 mg chloridu chromitého na 1 x 10-6 m3 volného reakčního prostoru.

Způsob nízkoteplotního pěstování monokrystalů arsenidu gallia se strukturou prostou mosaikových bloků a dislokací

Načítavanie...

Číslo patentu: 225497

Dátum: 15.04.1985

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: arsenidu, pěstování, prostou, dislokací, způsob, gallia, nízkoteplotního, mosaikových, bloků, strukturou, monokrystalů

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob nízkoteplotního pěstování monokrystalů arsenidu gallia se strukturou prostou mosaikových bloků a dislokací s hustotou nižší než 102x cm-2 za sníženého tlaku transportem v parní fázi, v uzavřené nádobce vertikálně posunovatelné v peci s třemi nebo více nad sebou se nacházejícími a na sobě nezávislými teplotními zónami, při kterém se k výchozí látce přidává jako transportní činidlo 0,1 až 10 mg jodidu arsenitého a 1 až 100 mg elementárního...

Způsob nízkoteplotního pěstování monokrystalů arsenidu gallia se strukturou prostou mosaikových bloků a diskolací

Načítavanie...

Číslo patentu: 225509

Dátum: 01.12.1984

Autori: Hrubý Arnošt, Štěpánek Bedřich

Značky: strukturou, způsob, gallia, nízkoteplotního, bloků, diskolací, mosaikových, monokrystalů, pěstování, arsenidu, prostou

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob nízkoteplotního pěstování monokrystalů arsenidu gallia se strukturou prostou mosaikových bloků a dislokací s hustotou nižší než 102 x cm-2 za sníženého tlaku transportem v parní fázi, v uzavřené nádobce vertikálně posunovatelné v peci s třemi nebo více nad sebou se nacházejícími a na sobě nezávislými teplotními zónami, při kterém se k výchozí látce přidává 0,1 až 10 mg transportního činidla a 1 až 100 mg elementárního arsenu počítáno na...

Způsob přípravy nízkoteplotního sířeodolného katalyzátoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 215515

Dátum: 15.10.1984

Autori: Koleník Štefan, Sokol Ludvík, Horyna Ladislav

Značky: přípravy, nízkoteplotního, sířeodolného, katalyzátoru, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob přípravy nízkoteplotního sířeodolného katalyzátoru pro konverzi plynů obsahujících kysličník uhelnatý vodní párou za přítomnosti sirných sloučenin na vodík a kysličník uhličitý na bázi kysličníků Co-Mo-K-AL, vyznačený tím, že se hnětením nosiče, výhodně kysličníku hlinitého a pojidla na bázi oxidhydrátu hlinitého při teplotě 20 až 80 °C připraví nosičový základ, do kterého se za stálého hnětení přidávají ve vodě rozpustné soli Co, Mo a K...