Patenty so značkou «napěťovému»

Výkonový bipolární tranzistor s integrovanou ochranou proti přepětí a napěťovému přetížení

Načítavanie...

Číslo patentu: 268061

Dátum: 14.03.1990

Autori: Kalenda Libor, Homola Jaroslav, Zamastil Jaroslav, Muller Ilja, Pína Bohumil

MPK: H01L 29/70, H01L 29/06

Značky: napěťovému, bipolární, přetížení, přepětí, výkonový, tranzistor, proti, integrovanou, ochranou

Text:

...polovodičověho materiálu, k jejíž jedné straně přilěhú vnější vysoce dotovaná vrstva Š, šterá je spojenn s první hlavní elektrodou E a která je stejněho typu elektrické vodivosti jako vrstva l záklndního polovodičověho materiálu, k jejíž druhé straně přiléhá bázoví vrstva 2 opačněho typu elektrické vodivosti,která s ní tvoří p-n přechod. Bázová vrstva 2 je jednak nn části plochy opatřenn kontaktem É báze, vodívč spojeným s třetí hlavní...