Patenty so značkou «napěťovému»

Výkonový bipolární tranzistor s integrovanou ochranou proti přepětí a napěťovému přetížení

Načítavanie...

Číslo patentu: 268061

Dátum: 14.03.1990

Autori: Pína Bohumil, Kalenda Libor, Muller Ilja, Zamastil Jaroslav, Homola Jaroslav

MPK: H01L 29/06, H01L 29/70

Značky: integrovanou, proti, ochranou, přepětí, napěťovému, přetížení, výkonový, tranzistor, bipolární

Text:

...polovodičověho materiálu, k jejíž jedné straně přilěhú vnější vysoce dotovaná vrstva Š, šterá je spojenn s první hlavní elektrodou E a která je stejněho typu elektrické vodivosti jako vrstva l záklndního polovodičověho materiálu, k jejíž druhé straně přiléhá bázoví vrstva 2 opačněho typu elektrické vodivosti,která s ní tvoří p-n přechod. Bázová vrstva 2 je jednak nn části plochy opatřenn kontaktem É báze, vodívč spojeným s třetí hlavní...