Patenty so značkou «krystalů»

Spôsob výroby chemicky čistého kryštálu síranu amónneho

Načítavanie...

Číslo patentu: 278677

Dátum: 04.12.1996

Autori: Potočár Jozef, Kulla Štefan

MPK: C01C 1/242

Značky: výroby, síranu, spôsob, chemicky, krystalů, čistého, amonného

Zhrnutie / Anotácia:

Spôsob výroby z medziproduktu syntézy kaprolaktámu - kyseliny laktámsírovej a čpavku. Kyselina laktámsírová sa privádza do miešanej suspenzie tvorenej kryštálom síranu amónneho, jeho vodného roztoku a vodného roztoku kaprolaktámu. Chladením sa suspenzia udržiava na teplote + 25 až + 60 °C a prívodom čpavku na pH v rozmedzí hodnôt 4,0 až 6,5, pričom vzniká vodný roztok kaprolaktámu a kryštalický síran amónny, ktorý je vedený k usadzovaniu v...

Kelímková sestava pro pěstování krystalů

Načítavanie...

Číslo patentu: 270083

Dátum: 13.06.1990

Autori: Jindra Josef, Bouček Ivan, Koďousek Milan

MPK: C30B 35/00

Značky: pěstování, sestava, krystalů, kelímková

Text:

...je opatren svislým ćepem z materialu o tepelná vodivosti vyšší, než má material kelímku. Čep nosiče pritom vyplňuje objem etredoveho uzavrenáho otvoru kelímku z 50 až 100 k podle stupně potreby.Tato potreba roste pri pestovaní v kelimková sestava většího průměru a te pri pŕschodu k pêstovàhí v sestava e vetiím portom pěetovaoíoh otvorů (tj. pestovaných krystalických ingotů). Tak jak je v teehnice pestovaní krystelů obvykle, je treba...

Zařízení pro radiační dotování krystalů křemíku

Načítavanie...

Číslo patentu: 267958

Dátum: 12.02.1990

Autori: Škába Václav, Bělohradský Luboš

MPK: C30B 35/00

Značky: zařízení, křemíku, dotování, radiační, krystalů

Text:

...V oząřovąci poloze nacházeji V ozařovacim Icaxuílu à, tvořonćm hlinilcovox trubltou 100 r 2 m délky 54 m. Na apodnim konci je ozařovaci lesná). i opatřen dnem Ž a čepom 6,uloženým v grafitovém ložislsu z, ktoré je částí nosné konstrukce 8. Ta je Ve střední části tvořeno hliníkovou trubkou 1140 x 3 mm a Její epodni část čtvercového průřozu 1142 x 142 mm spočivá na nosné mřiži 2 aktivní zőny reaktor-u. V honuí části nosné Iconstrukco § je...

Zařízení pro pěstování krystalů předem určeného tvaru

Načítavanie...

Číslo patentu: 266567

Dátum: 12.01.1990

Autori: Farkas László, Paitz József, Zimmer György, Szöke Péter, Polgár Pál

MPK: C30B 15/20, C30B 35/00

Značky: předem, určeného, tvaru, krystalů, pěstování, zařízení

Text:

...nejsou proveditelné s potřebnou přesností a byly by i zbytočné s ohledem na rozlišovací schopnost, dosažitelnou u potencio metro.Ukolem vynálezu je současně eliminovat uvedené problémy a vyřešit zařízení, které by bylo schopne zajistit zjištění délky vytažení krystalu s dostatečnou rozlišovací schopností a zajistit také, aby přesnost měření nebyla omezována výstupními signály elektronického vážicího zařízení. V zásadě je úkolem vynalezu...

Způsob čistění krystalů a zařízení k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 264622

Dátum: 14.08.1989

Autori: Cír Ivo, Hvížďala Jaromír

MPK: B01D 9/00

Značky: tohoto, krystalů, provádění, zařízení, čištění, způsobu, způsob

Text:

...přebytečná tavenina odteče.Nad topným tělesem se ustavi rovnováha sil mezi silou na píst, odporem proti posuvu pístu s vrstvou, silou od tlaku taveniny a silou, kterou se opírá krystalová vrstva o topné těleso. Síla na píst musí být větší než síla od tlaku taveniny spolu s odporom proti posuvu pístu s vrstvou. Tak je zajištěn stálý styk krystalové vrstvy s topným tělesem. Protože tavenina okamžitě odtéká z povrchu topného tělesa, nemůže dojít...

Rozebíratelná ampule pro pěstování krystalů jodidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 264067

Dátum: 12.05.1989

Autori: Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 35/00

Značky: krystalů, jodidu, ampule, fáze, pěstování, plynné, rtuti, rozebíratelná

Text:

...vypěotovanóho kryatalu ą nojaou zâaleka opi~ málni. Při áolüptáváuí ampuleoáâšc dojít jednak k chamickému poš kození krystalu, zogmćną jeho xunhäníah plech a jaduak k Gíiávsmsžůdóuoíoh látok do krystaiu, což nagüäĺřnä Qvĺivawjü äeúü »ą~- 3 ~ - 264 067 zikálni vlastnosti. V průběhu řezání ampulo, například diamantow vou pilou, na druhé straně dochází k mechanickému nąruäcní povrchu i objemu krystalu. Jedná se totiž o materiál vrstvené...

Způsob zpracování suspenze krystalů siřičitanu hořečnatého

Načítavanie...

Číslo patentu: 262479

Dátum: 14.03.1989

Autor: Najmr Stanislav

MPK: C01F 5/42

Značky: siřičitanu, suspenze, krystalů, horečnatého, způsob, zpracování

Text:

...fáze v suspenzi byly tak vysoké, aby obsažený trihydrát byl schopen poutat veškerou volnou vodu. Při úpravě podle vynálezu nejsou nečistoty pocházející z procesu odsiřování spalín na závadu, například nevadí popílek,zbytky hořečnatá suroviny, vodorozpustné soli. Dokonce ty nečistoty, které jsou schopné poutat při postupu podle vynálezu volnou vodu, znamenají prínos. Takto se chová zejména síran hořečnatý, který při teplotě nad 70 °C...

Způsob dotování krystalů křemíku při vysokofrekvenční letmé pásmové tavbě

Načítavanie...

Číslo patentu: 256526

Dátum: 15.04.1988

Autori: Zbořílek Aleš, Rambousek Jaroslav, Mrázek Dušan, Daníček Zdeněk

MPK: C30B 13/12

Značky: letmé, způsob, krystalů, pásmové, tavbě, vysokofrekvenční, křemíku, dotování

Text:

...dotující látky a k ukládání dotující látky a zplodin rozkladu na stěny zařízení a na vlastní tavený ingot křemíku, což všechno vede ke snížení přesností a reprodukovatelnosti procesu dotování.Další známý způsob dotování krystalů křemíku fosforem z tepelného rozkladu fcsftnu odstraňujez části nevýhody výše uvedených způsobů dotování tak, že bezprostředně k povrchu roztaveného pásma křemíku se v průběhu tavby přivddí úzký proud azgonu s...

Způsob přípravy krystalograficky orientovaných krystalů na bázi halogenidu olovnatého

Načítavanie...

Číslo patentu: 255070

Dátum: 15.02.1988

Autori: Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12

Značky: krystalů, halogenidů, bázi, způsob, přípravy, orientovaných, olovnatého, krystalograficky

Text:

...připraven krystalizacĺ z taveniny nasyceně chlorem, přičemž tavenina vykazovala čistotu 7 N a byla stechiometricky dokonale čistá, tj. obsah olova a chloru odpovídal přesně poměru 12. Krystalizace byla vedena V zatavené, vertikálně uložené křeměnné ampuli o průměru 35 mm, délce 150 mm V ovzduší chloru,jehož tlak čínil při 20 OC 133 Pa. Tavenina Vyplňovala prostor ampule z jedné poloviny,její eměrové tuhnutí od jednoho konce ke druhému bylo...

Induktor pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem

Načítavanie...

Číslo patentu: 245079

Dátum: 15.12.1987

Autori: Strya Josef, Švestka Zdenik

MPK: H05B 6/02

Značky: přípravu, letmé, tavby, indukčním, krystalů, metodou, zonální, polovodičových, ohřevem, induktor

Text:

...rovným průměru dolní podstavy pláště dolního komolého kužele.Při tavbě mechanicky neopracovanélío polykrystalického ingotu vznikají na jeho obvodu na rozhraní polykrystalického ingotu a roztaveně zóny výčnělky pevné fáze, které se při pohybu roztavené zóny vůči polykrystalickému ingotu přibližují až do vzdálenosti 2 až 3 mm od tělesa induktoru. V tomto místě dochází po celém obvodu polykrystalického ingotu vlivem zlomu na tělese...

Způsob regulace velikosti a tvaru krystalů během přípravy fotografických emulzí

Načítavanie...

Číslo patentu: 245679

Dátum: 15.09.1987

Autori: Petrák Jioí, Lédrová Zdena, Lustyk Lubomír

MPK: G03C 1/02

Značky: fotografických, způsob, během, tvaru, velikostí, regulace, emulzí, krystalů, přípravy

Text:

...krystely menší a mají menší evätelnou citlivost.Způsob přípravy fotografických emulsí lze provést podle uvedených příkladů. OPříprava fotografické onulze s krytaly bromidu stříbrného so provodo dvouproudovou srážením při 60 °C. Před zahájením arašení se v krystalizátoru e vodním pláětčm, platinovými elektrodauni a účinným míchaalem pripraví 100 m 1 25 roztoku želatiny. Poté se přídavkem roztoku dusičñanu stŕíbrnáho či bromidu...

Způsob legování krystalů křemíku fosforem

Načítavanie...

Číslo patentu: 239869

Dátum: 01.07.1987

Autori: Bradáe Jindoich, Šerý Miloslav, Rathuský Jioí, Hucek Josef, Kadúch František

MPK: C30B 13/00, C30B 29/06

Značky: způsob, křemíku, legování, krystalů, fosforem

Text:

...plynu se nekontrolovatelně rozkladá na horkém ingotu i mimo oblast roztavené zóny, čímž se zhoršuje účinnost a přesnost legování, případně odchází nespotřebována z aparatury. V případě legování pomocí fosfinu na Vysoké hodnoty koncentrace fosforu v křemíku, např. pro Zenerovy diody,to představuje použití nebezpečné vysokých koncentrací jedovatého fosfinu v argonu.Speciální velmi přesné metoda legování krystalů křemíku fosforem je založena na...

Způsob přípravy monokrystalů metodou růstu krystalů z cizí taveniny na krystalickém zárodku

Načítavanie...

Číslo patentu: 249731

Dátum: 15.04.1987

Autor: Nevřiva Miloš

MPK: C30B 17/00

Značky: zárodku, taveniny, krystalů, růstu, přípravy, cizí, krystalickém, metodou, monokrystalů, způsob

Text:

...krystaly se odstraní například mechanicky.z držáku.Uvedený postup umožňuje zkrátit celý technologický postup dosud používané přípravy monokrystalů ,a tak snížit spotřebu elektrické energie i podíl neůspěšných operací který je důsledkem přerušení dodávky elektrické energie, a který v případě klasického provedení činí až 50 . K další výhodě postupu podle vynálezu . patří úspory nedostatkových surovín, dosažené opakovaným použitím jedné...

Způsob přípravy isometrických krystalů enolformy piroxikamu

Načítavanie...

Číslo patentu: 249717

Dátum: 15.04.1987

Autori: Hampl František, Mostecký Jiří Akademik, Votava Vladimír, Drahoňovský Jan, Staněk Jan, Svoboda Jiří, Paleček Jaroslav

MPK: C07D 417/12

Značky: způsob, piroxikamu, enolformy, přípravy, isometrických, krystalů

Text:

...krystalů enolformy sloučeniny vzorce I podle vynálezu je založen na všeobecně známém faktu-/Víz Preparativní reakce V organické chemíi, díl V, str. 647,Nakladatelství ČSAV, Praha 1960/, že u sloučenin, u kterých je možná oxo-enolové tautomerie-ñ-GH- (jž -ŠdřO H dochází v nepolárníoh aprotických rozpouštědlech k posunutí rovnováhy směrem doprava.Výhodamí způsobu přípravy ísometrických krystalů podle vynálezu jsou levné a snadno dostupná...

Sposob spracovania kryštálu 6-kaprolaktámu

Načítavanie...

Číslo patentu: 247555

Dátum: 15.01.1987

Autori: Kulla Štefan, Vallová Helena

MPK: C07D 201/16

Značky: krystalů, spôsob, 6-kaprolaktamu, spracovania

Text:

...odvádzanej ako vedľajší prúd je priamo alebo po znížení koncentrácie 6 ~kapro 1 aktâmu prídavkom čistého rozpúštadla, vedenýdo stupňa premývania kryštálu 6-kaprolaktámu.spracovaním kryštálu 6 ~kaprolaktámu spôsobom podľa vynálezu sa získa preěištený kryštál alebo tavenina 6-kaprolaktámu zbavená nielen tozpúštadla pritomného v pôvodnom kryštáli, ale i ostatných zbytkových látok prítomných v kryštáli ako nečistoty znižujúce bod tuhnutia...

Dvouzávitový induktor pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem

Načítavanie...

Číslo patentu: 229264

Dátum: 15.08.1986

Autori: Zátopek František, Smejkal Vilém

MPK: H05B 6/02

Značky: přípravu, metodou, induktor, zonální, tavby, indukčním, krystalů, ohřevem, letmé, polovodičových, dvouzávitový

Zhrnutie / Anotácia:

Podstata vynálezu spočívá v tom, že stabilizující závit dvouzávitového paralelně připojeného induktoru, který rozhodující měrou ovlivňuje teplotní a elektrodynamické podmínky na dolním rozhraní fází, má tvar plošného induktoru s vnitřním průměrem srovnatelným s průměrem rostoucího krystalu, horní plochu omezenou rovinou kolmou k ose rotace krystalu, empiricky volený tvar dolní plochy a vnější průměr nejméně o 20 milimetrů větší než vnitřní...

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého a ampule k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 230514

Dátum: 15.05.1986

Autori: Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: G01T 1/20, C30B 15/00

Značky: jodidu, pěstování, rtuťnatého, způsob, způsobu, krystalů, ampule, tohoto, provádění

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého z plynné fáze, kdy se výchozí surovina nachází v oblasti s teplotou Ta rovnou 106 až 126 °C a rostoucí krystal se nachází v oblasti s teplotou Tb rovnou 85 až 125 °C, vyznačený tím, že vlastní růst krystalů jodidu rtuťnatého, které se pěstují s výhodou na krystalograficky orientovaných zárodcích, které rostou ve směrech (001), (100) nebo (110) s odchylkou plus 45° nebo minus 45° a růst je řízen...

Induktor pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem

Načítavanie...

Číslo patentu: 220628

Dátum: 15.12.1985

Autor: Smejkal Vilém

Značky: polovodičových, ohřevem, krystalů, přípravu, induktor, zonální, tavby, metodou, indukčním, letmé

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká jednozávitového plošného induktoru pro přípravu polovodičových krystalů metodou letmé zonální tavby s indukčním ohřevem v souosém vertikálním uspořádání. Induktor je vedle hlavních přívodů od koaxiálního vedení opatřen dodatečnými přívody pro vedení vysokofrekvenčních proudů a chladicí kapaliny, kterými je možné vytvářet rotační asymetrii pole v oblasti horního rozhraní fází a tím ovlivňovat proces odtavování tyčí výchozího...

Způsob úpravy distribuce velikostí krystalů

Načítavanie...

Číslo patentu: 215450

Dátum: 01.01.1985

Autori: Žáček Stanislav, Nývlt Jaroslav, Skřivánek Jaroslav

Značky: krystalů, úpravy, velikostí, způsob, distribuce

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález spadá do oboru krystalizačních procesů a řeší problém separovatelnosti krystalických produktů ze suspenze. Řešení spočívá v úpravě distribuce velikostí krystalů produktu, která se provede rozpuštěním jemnozrnných podílů po skončení krystalizačního procesu a vyloučením hmoty takto přešlé do roztoku na hrubozrnných podílech. Tato úprava se může provést bud provedením teplotního cyklu, při němž se suspenze krystalů ohřeje o teplotní...

Způsob zlepšení filtračních vlastností suspenze směsných krystalů monohydrátů síranu železnatého, síranu hořečnatého a titanylsulfátu ve středně koncentrované kyselině sírové

Načítavanie...

Číslo patentu: 225248

Dátum: 01.12.1984

Autor: Kadlas Pravdomil

Značky: železnatého, koncentrované, vlastností, monohydrátu, směsných, sírové, síranu, titanylsulfátu, kyselině, zlepšení, stredne, krystalů, suspenze, filtračních, horečnatého, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob zlepšení filtračních vlastností suspenze směsných krystalů monohydrátů FeSO4, MgSO4 a TiOSO4 ve středně koncentrované odpadní kyselině sírové z výroby titanové běloby, vyznačující se tím, že k suspenzi s teplotou 40 až 120 °C se přidají 3 až 25 % hmotnostních technického heptahydrátu síranu železnatého, počítáno na obsah tuhé fáze ve výchozí suspenzi, s výhodou odpadajícího při výrobě titanové běloby sulfátovým postupem, suspenze se dále...

Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 214254

Dátum: 01.06.1984

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: krystalických, krystalů, galliumarsenidu, leptání, stanovení, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob leptání pro stanovení krystalických zrn krystalů galliumarsenidu předem opracovaných broušením a oleptaných na lesk vyznačující se tím, že se na krystal galliumarsenidu působí leptadlem o složení 20 dílů vodného roztoku kyseliny vinné koncentrované 40 %, 5 dílů kyseliny dusičné koncentrované a 4 díly vodného roztoku dusičnanu stříbrného 1 % po dobu 30 až 60 sekund při teplotě 40 až 60 °C, přičemž se vzorkem v roztoku mírně pohybuje.

Způsob lesklého leptání krystalů galliumarsenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 214252

Dátum: 01.06.1984

Autori: Štěpánek Bedřich, Hrubý Arnošt

Značky: lesklého, krystalů, způsob, galliumarsenidu, leptání

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká způsobu lesklého leptání krystalů galliumarsenidu, jejichž povrch byl předem opracován broušením nebo lapováním. Samotné mechanické broušení povrch rozmazává, takže pro metalografické účely nebo pro polovodičovou techniku a optiku je krystaly leštit leptáním. Dosud používaná leptadla jsou látky jedovaté, agresívní, či těkavé. celkové opracování vzorků je pak časově náročné a tudíž neekonomické. Tyto nevýhody odstraňuje způsob...