Patenty so značkou «kryoelektronike»

Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike s použitím fullerénu C60

Načítavanie...

Číslo patentu: 286586

Dátum: 29.12.2008

Autori: Vincenc Oboňa Jozef, Chromik Štefan

MPK: H01L 39/24, H05K 3/02, G03F 7/027...

Značky: použitím, vrstiev, fullerénu, spôsob, tvarovania, tenkých, kryoelektronike

Zhrnutie / Anotácia:

Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej...

Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60

Načítavanie...

Číslo patentu: 286519

Dátum: 12.11.2008

Autori: Kostič Ivan, Vincenc Oboňa Jozef, Chromik Štefan

MPK: H01L 39/14, C23C 16/04, H01L 39/24...

Značky: submikrometrových, tvarovania, fullerénu, využitím, struktur, kryoelektronike, spôsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.