Patenty so značkou «implantovaných»

Spôsob a systém na určovanie umiestnenia a orientácie implantovaných vnútroočných šošoviek

Načítavanie...

Číslo patentu: E 9477

Dátum: 12.08.2008

Autori: Bott Steven, Boukhny Mikhaill

MPK: A61F 2/16, A61B 8/10, A61F 9/00...

Značky: šošoviek, systém, vnútroočných, určovanie, umiestnenia, spôsob, implantovaných, orientácie

Text:

...porozumenie prihlasovaného vynálezu a jeho výhod, je teraz uskutočnení odkaz na nasledujúci opisvzatý V nadväznosti na pripojené vyobrazenia, na ktorých podobné odkazové značky označujú podobné znaky a na ktorýchObr. 1 znázorňuje vybrané tkanivo okaObr. 2 znázorňuje rôzne vstupy, ktoré sa môžu používaťpočítačovým programom na výpočet IOL na vypočítavanie výkonnosti tórickej šošovky a umiestňovanie a osovej orientácie takej IOL šošovky...

Spôsob vytvárania aktívnych oblastí a hadiel implantovaných MOSFE tranzistorov

Načítavanie...

Číslo patentu: 267925

Dátum: 12.02.1990

Autor: Polák Jan

MPK: H01L 21/265, H01L 21/32

Značky: spôsob, mosfe, vytvárania, aktívnych, oblastí, implantovaných, hadiel, tranzistorov

Text:

...jama 3 pre vytvorenie prvého typu gg MOST( tranzistorov a ooiovodićový substrát 5 orc vytvorenie druhého typu gg MOSFE tranzistorov.štruktúru z obr. IA získame tak, že v poiovodićovom substráto 1 sa iokáinou imolantáciou primcsĺ a následným rdzdifundovanĺm vytvorí jama Q, potom 5 aiukálnou oxídáciou vytvori hrubý oxid 1 a termickou oxidâctou sa nad substrátom 5 a jamou 1 vytvor( hradlový oxid 3.Na obr. IB je struktúra z obr. IA doplnená...

Způsob uchovávání implantovaných vzorků monokrystalického germania

Načítavanie...

Číslo patentu: 260613

Dátum: 12.01.1989

Autor: Skřivánková Marie

MPK: G01T 1/24, G01T 1/36, G01T 1/202...

Značky: germania, způsob, monokrystalického, uchovávání, vzorků, implantovaných

Text:

...závěrných nebo ohmických kontaktů, posléze k jejich nepoužitelnostipro přípravu detektorů vůbec. je tedy nutno vždy provádět na implantačních zařízení implantace jen takového množství vzorrků, které je možno zpracovat během jednoho až dvou týdnů.Nedostatky tohoto způsobu spočívají v tom, že neni možno provádét technologicképráce na přípravě implantovaných detektorů průběžně, ale jen bezprostředně po implantací vzorků. Implantované vrstvy...

Způsob žíhání implantovaných vrstev

Načítavanie...

Číslo patentu: 259451

Dátum: 17.10.1988

Autori: Lenhard Radomír, Rozsypal Antonín

MPK: H01L 21/324

Značky: žíhání, vrstev, způsob, implantovaných

Text:

...postup však neumožňuje aktivaci mělkých implantovaných vrstev s rychlým nárüstem žíhací teploty a při dostatečně vysoké žíhací teplotě. Tyto podmínky jsou nutné pro dokonalé vyžíhúní poimplantačních defektu.Krystalograflcké defekty v implentovanýchvrstvách pak způaobují zvýšení závěrného proudu PN přechodu, zvýšení šumu a snížení výtěžnosti polovodičových součáetek.Výše uvedené nedostatky odstraňuje způsob žíhání implantovaných vrstev v...

Zapojení obvodu pro snímání stimulačních impulzů implantovaných srdečních stimulátorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 245958

Dátum: 01.03.1988

Autori: Rabkin Abram Girševie, Kaplunova Jelena Chaimovna

MPK: A61N 1/378

Značky: srdečních, impulzů, stimulátoru, zapojení, obvodů, implantovaných, stimulačních, snímání

Text:

...vstup součtového obvodu jehož výstup je výetš upní evorkou celého zapojení.- zapojení obvodu podle vynálezu lze-využít.zvláětě v přenoe~ ných přístrojích pro snímání etimulačních impulzu z povrchu těla pacienta s implantovaným srdečním etimulátorem k zjištováníšířky stimulačního impulzu a jeho opakovacího kňitočtu. Z těchto údajů lze pak určit stav baterií ve stimulátoru a tím stanovit.jeho živosPřík 1 ad.provedení zapojení je znázorněno na...

Způsob vytvoření ohmického kontaktu pro měření epitaxních a implantovaných struktur

Načítavanie...

Číslo patentu: 252577

Dátum: 17.09.1987

Autori: Veselý Miroslav, Mlejnková Jiřina, Šťastný Vladimír

MPK: G01R 29/00

Značky: kontaktů, struktur, vytvoření, způsob, implantovaných, epitaxních, ohmického, měření

Text:

...a kontaminace dalších technologických procesů zbytky nanesených kovů. Další nevýhodou stávajících způsobů je špatná reprodukovatelnost měření a značné časové nároky na přípravu struktur před i po měření.Tyto nevýhody do značné míry odstraňuje způsob vytvoření ohmického kontaktu pro měření epitaxních a implantovaných struktur C-V metodou pomocí rtutové sondy podle vynálezu. Podstata vynálezu spočíva v tom, že mezi substrátovou stranu struktury...