Patenty so značkou «galia»

Spôsob získavania kovového gália z gáliumarzenidu

Načítavanie...

Číslo patentu: 282096

Dátum: 31.08.2001

Autor: Pavela Mirko

MPK: C01G 15/00, C22B 58/00

Značky: kovového, galia, spôsob, získavania, gáliumarzenidu

Zhrnutie / Anotácia:

Kovové gálium sa z gáliumarzenidu získava viacnásobným diskontinuálnym rozkladom práškového gáliumarzenidu pri zvýšenej teplote 70 až 100 °C v zásaditom prostredí vodného roztoku hydroxidu sodného za prítomnosti peroxidu vodíka ako oxidačného činidla. Technológia umožňuje využitie vzniknutého kryštalického arzeničnanu sodného na ďalšie použitie v sklárskom priemysle.

Způsob fotometrického stanovení obsahu křemíku nepřevyšujícího řádově setiny procent, v arsenidu galia

Načítavanie...

Číslo patentu: 262254

Dátum: 14.03.1989

Autori: Vyhlídka Pavel, Novák Josef

MPK: G01N 21/33

Značky: setiny, procent, stanovení, galia, křemíku, fotometrického, arsenidu, způsob, nepřevyšujícího, řadové, obsahu

Text:

...a stabilitouzabarvení po dobu nejméně dvou hodin při zachování vysoké citlivosti.Uvedený cíl byl dosažen tímto vynálezem způsobu fotometrického stanovení obsahu křemíku nepřevyšujícího řádově setiny 8, v arsenidu galia, při kterém se arsenid galia rozpustí v kyselině dusičné a přidáním kyseliny solné se doprovodné prvky převedou na chloridy,nato se ionty pětimocného arsenu zredukují hydrazindihydrochloridem na ionty trojmocné,které se...

Způsob regulace povrchové koncentrace galia na křemíkových deskách při difusi galia

Načítavanie...

Číslo patentu: 239975

Dátum: 01.02.1988

Autori: Tůma Pavel, Podzimek Oldoich, Nadvorník Pavel, Bureš Josef, Jarolam Josef

MPK: H01L 21/38

Značky: křemíkových, regulace, povrchové, koncentrace, způsob, deskách, difusi, galia

Text:

...odstraňuje nový způsob regulace povrchové koncentrace galia na křomikovýoh doskách tím, že 105.0 dička se vsázkou difusantu kysličniku galitého se umísti v difusb ní trubce na křemenné podlošee v místě o teplotě 700 až 900 ŠG a nosný plyn vodik vlhčený vodnimi paremi se vede přes tuto lodičku ke křemikovým deskám, přičemž na počátku difuse so nosný plyn vlhči na teplotu rosněho bodu maximálně 20 °C a tato teplota roaného bodu nosného...

Spôsob elektroforetickej separácie zmesi iónov gália Ga3+, india In3+, tália Tl3+, Tl1+

Načítavanie...

Číslo patentu: 252703

Dátum: 15.10.1987

Autori: Valášková Iva, Majer Jaroslav Akademik, Lübkeová Soňa

MPK: G01N 27/26

Značky: zmesí, tália, elektroforetickej, spôsob, iónov, separácie, india, in3+, tl3+, ga3+, galia

Text:

...a štwormocného uránu. Bola použitá kationovýmenná chromatogrnatia v kolóne. Nevýhodou známeho stavu je, že ani jedna z uvedených katód neumožňuje súčasnú separacíu všetkých troch uvedených katiónov zo separovanej zmesi.Uvedený nedostatok je odstránený spôsobo-m elektroforetickej separácie zmesi anorganických iónov galla Ge, india In, tália Tl, Tllt, pri ktorom sa roztok nenesie na chromatografický papier a elektrofo-reticky sa delí. Podstatou...

Spôsob elektroforetickej separácie zmesi iónov gália Ga3+, india In3+, tália Tl3+, Tl1+

Načítavanie...

Číslo patentu: 252702

Dátum: 15.10.1987

Autori: Lübkeová Soňa, Valášková Iva, Majer Jaroslav Akademik

MPK: G01N 27/26

Značky: in3+, ga3+, india, tl3+, zmesí, tália, elektroforetickej, galia, iónov, separácie, spôsob

Text:

...Nevýhodou známeho stavu je, že ani jedna z uvedených katôd neumožňuje súčasnú separáciu všetkých troch uvedených katiónov zo separovanej zmesi.Uvedený nedostatok je odstránený spôsobom eiektroforetickej separácie zmesi an-organických iónov, podľa v-ynálezu, ktoreho podstatou je, že vzorka obsahujúca zmes katiônrov gália Ga, india In, tália Tl, Tll sa nanesie vo forme roztoku na papier a e 4iektroforetlcky sa delí pri potencialovom spáde 12...

Způsob vytváření ohmických kontaktů na deskách arzenidu galia

Načítavanie...

Číslo patentu: 252187

Dátum: 13.08.1987

Autor: Rothbauer Miloš

MPK: H01L 21/90

Značky: deskách, vytváření, galia, způsob, ohmických, arzenidu, kontaktů

Text:

...kontakty, vyjma AuGePt, je možno propojovat ve strukturách MESFET a integrovaných, obvodech na GaAs metalizačníml vrstvami typu TiPtAu, TlWAu, T 1 PdAu a TiAu, aniž by došlo k ovlívnění jejich vlastností během technologického zpracování,ale je problematické .použít k propojení hliníku, který se zásadné užíva v polovodičo 4vých součástkách a integrovaných obvodech na křemíku.Výše uvedené nedostatky známých kontaktů odstraňuje způsob...

Způsob získávání galia obsaženého v zásaditých vodných roztocích extrakcí těchto roztoků

Načítavanie...

Číslo patentu: 231952

Dátum: 15.12.1986

Autori: Helgorsky Jaques, Leveque Alain

MPK: C01G 15/00

Značky: roztoku, těchto, obsaženého, roztocích, získavání, způsob, galia, vodných, zásaditých, extrakci

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob získávání galia obsaženého v zásaditých vodných roztocích extrakci těchto roztoků organickou fází obsahující alespoň jeden substituovaný hydroxychinolin, vyznačující se tím, že se vodný roztok uvede ve styk s organickou fází, zahrnující alespoň jedno organické rozpouštědlo, alespoň jeden substituovaný hydroxychinolin obecného vzorce I, ve kterém R1, R2, R3, R4, R5 a R6, které jsou shodné nebo různé, se volí ze skupiny, zahrnujíci vodík...