Tříska Aleš

Způsob výroby monokrystalů skupiny AIIIBV v podmínkách beztíže

Načítavanie...

Číslo patentu: 269338

Dátum: 11.04.1990

Autori: Moravec František, Barta Čestmír, Tříska Aleš

MPK: C30B 29/40

Značky: beztíže, monokrystalů, způsob, skupiny, podmínkách, výroby, aiiibv

Text:

...nebo jeho taveninou zemezuje parazitní nukleaoi na stěnách ampule, a tím umožnuje dosáhnout vyšší jakosti vypěstovanáho monokiąyrstelu, projevující se nižším obsahom růstových vad, například dislokací a růstových nehomogenit. Uvedeným způsobem lze vypěstovst monokzwstaly skupiny AIHBV větších rozměrů při zachování homogenity v celém objemu.Způsob výroby monokrystslů skupiny AIHBV podle vynálezu je vysvětlen na příkladu pěstováxmí...

Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu

Načítavanie...

Číslo patentu: 268870

Dátum: 11.04.1990

Autori: Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk, Tříska Aleš, Gilar Oldřich

MPK: C01G 21/16, G02B 1/02

Značky: rozkladu, prvky, zvýšené, optické, fotochemickému, vzdornosti, vůči

Text:

...nebo více halogenů ze skupiny cl, J, ar které mohou být stejné nebo se od sebe nohou liäit. Při tom optické prvky nohou být nejnéně na části svého povrchu opstřeny antiraľlexní vrstvou jako je 5102, MQFZ, Mgo nebo Ta 2 o 5, nebo nohou být ncjwéně na části svého povrchu opatřcny povlakea alkalického halogenidu obecného vzorce ux, kde symbol M značí Li, Na, K, Rb nebo cs, a syabol x značí halogen.vynález využívá poznatku, že optické prvky...

Měrná kyveta pro stanovení absorpce světelného záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 267610

Dátum: 12.02.1990

Autori: Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk, Žemlička Jan, Hejl Milan, Tříska Aleš

MPK: G01N 21/00

Značky: světelného, absorpce, stanovení, kyveta, měrná, záření

Text:

...ze zdroje Ž svetelného zàření, ktorý je od svého vstupu 1 do měrné kyvety střídavč ocrálí od víka A a 3 mérné kyvety a po n odrazech opustí výstupem jj měrnou kyvetu.Na bckorysu celého zařízení na obr. A je uvedena usporádání celého zařízení včetně zdroje Q světelného zárení a detektoru lg světelného zátení.Na obr. 5 je zakreslena dráha světcĺnćho paprsku Z v půdorysném průmětu. Měrná kyveta je v tomto případě tvoŕena pouze jedním...

Způsob výroby supravodivého materiálu

Načítavanie...

Číslo patentu: 267465

Dátum: 12.02.1990

Autori: Nevřiva Miloš, Tříska Aleš, Pokorná Zdena, Pollert Emil, Barta Čestmír

MPK: B22F 9/24, H01L 39/12

Značky: výroby, způsob, materiálů, supravodivého

Text:

...podrobena krýstalizaei s výhodou V zadaném směru daném gradientem teploty V rozmezí 0, až 150 °C/cm. Výslcdný produkt je možno podrobit následné temperncí při teplotě 600 až 1 100 OC s výho dou V oxidačnim prostředí V zadaném gradientu teploty V rozmezi O 1 až 1 O OC cm. Y ĺVýhodou způsoąu podle vynálezu je jeho rychlost při současném,2 ískánl supravodivého materiálu vyšších parametrů a možnost získání různých tvarů materiálů vhodných k...

Rozebíratelná ampule pro pěstování krystalů jodidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 264067

Dátum: 12.05.1989

Autori: Tříska Aleš, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: krystalů, plynné, jodidu, rtuti, pěstování, rozebíratelná, fáze, ampule

Text:

...vypěotovanóho kryatalu ą nojaou zâaleka opi~ málni. Při áolüptáváuí ampuleoáâšc dojít jednak k chamickému poš kození krystalu, zogmćną jeho xunhäníah plech a jaduak k Gíiávsmsžůdóuoíoh látok do krystaiu, což nagüäĺřnä Qvĺivawjü äeúü »ą~- 3 ~ - 264 067 zikálni vlastnosti. V průběhu řezání ampulo, například diamantow vou pilou, na druhé straně dochází k mechanickému nąruäcní povrchu i objemu krystalu. Jedná se totiž o materiál vrstvené...

Detektor záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 259461

Dátum: 17.10.1988

Autori: Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk, Nováková Růžena, Tříska Aleš, Gilar Oldřich

MPK: G01T 1/20

Značky: záření, detektor

Text:

...(Pbclzl má povrch pokryt nanesenou vrstvou oxidu hořečnatého M 90 o tlouštce 10 až 150 nm, případně mezi povrchem scintilátoru a vrstvou oxidu hořečnatého je nanesena ještě vrstva oxidu tantaličného (Ta 205)o tlouščce 10 až 100 nm. Nanesenou vrstvou oxidů může být pokryta také alespoň jedna základna scintilátoru,-případně pouze ta část povrchu scintilátoru, která je spojene s výstupním okénkem detektoru nebo přímo s vyhodnocovacím...

Zařízení pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 257089

Dátum: 15.04.1988

Autori: Rouček Luděk, Liška Oldřich, Tříska Aleš, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00, B01J 19/00

Značky: látek, pevných, tuhnutí, zařízení, tavení, krystalizaci, temperování

Text:

...V pouzdrech, a nakonec podavače je v části přívrácené k patroně opatřen zámkem s čelní drážkou pŕo výčnělek patrony,přičemž používaný otvor zásobníku manipulační trubice, elektrická pec a podavač jsou souosé.Výčnělkem může být rotační výstupek s profilem T a podavač může být opatřen teploměrem.Výhodou zařízení podle tohoto vynálezu je kratší délka technologické cesty a z toho plynoucí menší rozměry celého zařízení, dále skutečnost, že...

Způsob přípravy krystalograficky orientovaných krystalů na bázi halogenidu olovnatého

Načítavanie...

Číslo patentu: 255070

Dátum: 15.02.1988

Autori: Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Tříska Aleš

MPK: C30B 29/12

Značky: přípravy, bázi, krystalograficky, olovnatého, způsob, orientovaných, krystalů, halogenidů

Text:

...připraven krystalizacĺ z taveniny nasyceně chlorem, přičemž tavenina vykazovala čistotu 7 N a byla stechiometricky dokonale čistá, tj. obsah olova a chloru odpovídal přesně poměru 12. Krystalizace byla vedena V zatavené, vertikálně uložené křeměnné ampuli o průměru 35 mm, délce 150 mm V ovzduší chloru,jehož tlak čínil při 20 OC 133 Pa. Tavenina Vyplňovala prostor ampule z jedné poloviny,její eměrové tuhnutí od jednoho konce ke druhému bylo...

Způsob přípravy čistých nebo směsných monokrystalů halogenidů olova

Načítavanie...

Číslo patentu: 250401

Dátum: 15.04.1987

Autori: Tříska Aleš, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Krčová Eva

MPK: C30B 29/12

Značky: směsných, způsob, olova, monokrystalů, přípravy, čistých, halogenidů

Text:

...než odpovídá tenzi 13,3 Pa. Přitom se do taveniny vpravi 0,001 mol 9/0, popřípadě až do nasycení plynu, nebo plynu obsahujícího či uobsahujících halogen jako je C 12, H nebo COBr 2.Povrch reakčního prostoru přicházejícího ve styk s taveninou je vhodné opatřit Ipovlakem na bázi grafitu, popřípadě křemíku nebo dalších látek, které zamezí, popřípadě podstatné sníží smáčení stěn reakčního prostoru.Bylo zjištěno, že vyvinutý způsob přípravy...

Materiál pro detekci ionizujícího záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 250088

Dátum: 15.04.1987

Autori: Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Polák Karel

MPK: G01T 1/202

Značky: materiál, záření, ionizujícího, detekci

Text:

...například fotodiody.Těmto novým požadavkům vyhovuje materiál pro detekci íonizujíciho záření podle vymálezu, jehož podstatou je, že je tvořen monokrystalem chloridu olovnatého aktivovanêho europiem - PbC 12 Eu v rozsahu od 0,01 mol. 0/0 do 5 mol. .Při použití scintilačního níateriálií z monokrystalu chloridu olovnatého aktivovaného europiem PbC 12 Eu se zvýši deteköní účinnost přibližně až o 40 9/0 ve srovnání s klasickým scintilačním...

Scintilační detektor

Načítavanie...

Číslo patentu: 247646

Dátum: 15.01.1987

Autori: Nováková Růžena, Barta Čestmír, Tříska Aleš, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk

MPK: G01T 1/20

Značky: scintilační, detektor

Text:

...indexu lomu, nejsou tak kvalitní jako u monokrystalu jodidu sodného, neboť na rozhraní mezi scintilačním krystalickým materiálem a výstupním okénkem, nebo mezi scintilačním detektorem a vyhodnocujícím optoelektronickým prvkem dochází ke ztrátám optického signálu vzhledem k reflexím.Tento nedostatek je odstraněn scintilačním detektorem z monokrystalického materiálu z trigermanátu tetravizmutitého BGO podle vynálezu, jehož podstatou je,...

Způsob elektrického vytápění pracovního pole při zpracování pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 232597

Dátum: 01.01.1987

Autori: Liška Oldřich, Barta Čestmír, Tříska Aleš

MPK: C30B 35/00

Značky: způsob, elektrického, zpracování, vytápění, pevných, látek, pracovního

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob elektrického vytápění pracovního pole pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek i za ztížených podmínek gravitace pomocí proudů teplotního záření, při kterém se popřípadě teplota každého proudu samostatně řídí a proměnlivě nastavuje v rozmezí 100 až 1900 °C, například plynule. Na pracovní pole se přivádí teplo dvěma protilehlými proudy teplotního záření, s výhodou vertikálními a souosými, při čemž popřípadě plocha...

Zařízení k elektrickému vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 232596

Dátum: 01.01.1987

Autori: Liška Oldřich, Tříska Aleš, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: zařízení, elektrickému, prostoru, žáruvzdorného, pracovního, vytápění

Zhrnutie / Anotácia:

Zařízení k elektrickému vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru pro tažení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek i za ztížených podmínek gravitace, obsahující odporový topný prvek a pracovní komoru, která je popřípadě z vnější strany nejméně na jednom místě zesílena, při čemž každé zesílení je popřípadě opatřeno odporovým topným prvkem. Na každé ze dvou protilehlých odvrácených stran pracovní komory s výhodou ve tvaru trubice s...

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého a ampule k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 230514

Dátum: 15.05.1986

Autori: Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Gilar Oldřich, Tříska Aleš

MPK: C30B 15/00, G01T 1/20

Značky: provádění, ampule, rtuťnatého, krystalů, způsob, tohoto, jodidu, pěstování, způsobu

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého z plynné fáze, kdy se výchozí surovina nachází v oblasti s teplotou Ta rovnou 106 až 126 °C a rostoucí krystal se nachází v oblasti s teplotou Tb rovnou 85 až 125 °C, vyznačený tím, že vlastní růst krystalů jodidu rtuťnatého, které se pěstují s výhodou na krystalograficky orientovaných zárodcích, které rostou ve směrech (001), (100) nebo (110) s odchylkou plus 45° nebo minus 45° a růst je řízen...

Způsob řízeného elektrického vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek a zařízení k tomu sloužící

Načítavanie...

Číslo patentu: 226833

Dátum: 01.09.1985

Autori: Liška Oldřich, Tříska Aleš, Rejl Josef, Vyhnal Josef, Rouček Luděk, Trnka Jaroslav, Barta Čestmír

Značky: látek, krystalizaci, řízeného, žáruvzdorného, temperování, prostoru, pevných, způsob, vytápění, tavení, zařízení, pracovního, sloužící, elektrického, tuhnutí

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob řízeného elektrického vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek, zejména za ztížených podmínek gravitace, vyznačený tím, že se do pracovního prostoru o poměru délky k šířce větší nežli 2:1 přivádí teplo dvěma až dvaceti souosými dostřednými proudy teplotního záření a/nebo vedení, lišícími se šířkou a popřípadě spolu bezprostředně sousedícími, kde teplota každého proudu...

Způsob tavení, temperování, tuhnutí a krystalizace pevných látek a zařízení k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 226832

Dátum: 01.09.1985

Autori: Trnka Jaroslav, Vyhnal Josef, Barta Čestmír, Rejl Josef, Liška Oldřich, Rouček Luděk, Tříska Aleš

Značky: způsobu, krystalizace, tavení, provádění, temperování, tohoto, látek, zařízení, pevných, tuhnutí, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob tavení, temperování, tuhnutí a krystalizace pevných látek v zařízení na bázi elektrické pece, zejména při gravitaci v rozmezí 10-6 až 40 G, při kterém se výchozí látky ve formě oddělených dávek opatřených obalem jako jsou pouzdra, přivádějí ze zásobního prostoru do prostoru pracovního, vyznačený tím, že se jednotlivé dávky postupně a za sebou následovně vytlačují mechanicky popřípadě tlakem za nimi následujících dávek ze zásobního...

Způsob stanovení teploty a/nebo optické jakosti monokrystalů

Načítavanie...

Číslo patentu: 217533

Dátum: 15.02.1985

Autori: Košťál Emil, Barta Čestmír, Tříska Aleš

Značky: způsob, jakosti, stanovení, teploty, optické, monokrystalů

Zhrnutie / Anotácia:

Obor, kterého se vynález týká, je způsob přímého bezdotykového měření teploty monokrystalů dielektrik a/nebo optické jakosti opticky dvojlomných monokrystalů dielektrik. Technický problém, který vynález řeší, je způsob bezdotykového měření teploty a jakosti monokrystalu, kterým je možno měřit teplotu a/nebo optickou jakost mono krystalů, aniž by došlo k poruše jeho homogenity nebo ke zmenšení celkového objemu. Podstatou vynálezu je způsob...