Školník Václav

Vícestupňový tranzistor v Darlingtonově zapojení zejména pro vyšší kmitočty

Načítavanie...

Číslo patentu: 267562

Dátum: 12.02.1990

Autori: Homola Jaroslav, Pína Bohumil, Muller Ilja, Kalenda Libor, Školník Václav, Zamastil Jaroslav

MPK: H01L 27/08

Značky: zejména, tranzistor, darlingtonově, vícestupňový, kmitočty, zapojení, vyšší

Text:

...je znázorněns struktura dvouatupňového trenzietoru v Darlingtonově zapojení v ćáetečnám řezu. Dvouetupňový tranzíetor v Darlingtonově zapojení eeatává z vrstvy łł a gł základního polovodičového materiálu, vnější vysoce dotovená vrstvy łg a gg,bszové vrstvy łł a gž, kontaktů łi s gi báze, členěné emitorová vrstvy łâ a gâ a kontaktů łâ a gg emitoru.V oblasti prvního stupně łg je po vytvoření koncentrečního profilu bszove vrstvy łä odleptane...

Výkonová polovodičová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 232182

Dátum: 01.04.1987

Autori: Pojman Pavel, Pína Bohumil, Muller Ilja, Homola Jaroslav, Hartman Jan, Školník Václav

MPK: H01L 21/02

Značky: závěrná, napětí, polovodičová, vysoká, blokovací, součástka, výkonová

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí, ve které je vysokonapěťový přechod PN vytvořen ve dvou stupních. První je umístěn v hloubce větší než 30 um uvnitř plochy polovodičové součástky. Druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um. Povrchová koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.1015 atomů cm-3.

Vícevrstvová polovodičová součástka s ochrannou strukturou proti přepětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 231393

Dátum: 01.03.1987

Autori: Kalenda Libor, Homola Jaroslav, Školník Václav, Muller Ilja, Pína Bohumil

MPK: H01L 29/00

Značky: součástka, ochrannou, přepětí, strukturou, polovodičová, vícevrstvová, proti

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká vícevrstvé polovodičové součástky s ochrannou strukturou proti přepětí, obsahující vrstvu základního polovodičového materiálu mezi dvěma vnějšími vrstvami opačného typu vodivosti vzhledem k základní vrstvě. První vnější vrstva má kontakt s první hlavní elektrodou. Druhá vnější vrstva má kontakt jednak s řídicí elektrodou a jednak v řadě diskrétních míst, t.z. mikrosvodů s hlavní elektrodou. K druhé vnější vrstvě přiléhá řízená...

Výkonová polovodičová dioda s vysokou zatížitelností v závěrném směru

Načítavanie...

Číslo patentu: 231491

Dátum: 15.06.1986

Autori: Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Kalenda Libor, Školník Václav

MPK: H01L 29/00

Značky: polovodičová, zatížitelností, závěrném, směru, vysokou, dioda, výkonová

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové diody s vysokou zatížitelností v závěrném směru. Dioda je tvořena dvěma integrovanými strukturami, z nichž jedna obsahující čtyři vrstvy střídavě opačného typu vodivosti je Vytvořena ve Vnitřní části plochy polovodičového systému, zatímco okrajová část polovodičového systému, ve které Vysokonapěťový PN přechod Vystupuje na povrch, je tvořena strukturou se dvěma vrstvami vzájemně opačného typu vodivosti....