Richter Otakar

Způsob tepelného zpracování monokrystalů trigermanátu tetravizmutitého – BGO

Načítavanie...

Číslo patentu: 269285

Dátum: 11.04.1990

Autori: Pavlíček Zdeněk, Richter Otakar, Barta Čestmír, Trunda Bohumil, Boháček Pavel

MPK: C30B 29/22, C30B 29/32, C30B 11/00...

Značky: tepelného, monokrystalů, trigermanátu, tetravizmutitého, zpracování, způsob

Text:

...k teplote o 10 °C nižší, než je teplota tání, tj. 1 050 °C, tohoto monokrystalu.Způsob tepelného zpracování monokryatalů podle vynálezu umožňuje zvýšit luminiscenční účinnost, snížit ebsorbci luminiscence v monokrystalu, a tím i zlepšit energotickou rozli šovací schopno st.Temperaci monokrystalu za vysokého parciálního tlaku kyslíka dochází k dihĺzi kyslíku monokrystalem, a tím se odstraní vakance kyslíku, ktoré se vy-tvořily během růstu...

Způsob výroby 2-(p-terfenyl-4-yl)-4,6-diazylpyridinů

Načítavanie...

Číslo patentu: 256977

Dátum: 15.04.1988

Autori: Richter Otakar, Lhoták Pavel, Kurfürst Antonín, Kuthan Josef

MPK: C07D 213/24

Značky: 2-(p-terfenyl-4-yl)-4,6-diazylpyridinů, způsob, výroby

Text:

...jeden ze symbolü m nebo k musí mít hodnotu 2, v poměru l 1,S za přítomnosti alespoň lonásobného přebytku (molárního) octanu amonnéhoV reakčnim prostředí aprotického polárního rozpouštědla jako je dimetylformamid nebo dimetylsulfoxid a kyseliny octové.Takto připravené nově pyridinové deriváty vykazují výraznou luminiscenci v krystalickém stavu i v roztocích a lze proto počítat s jejich možným využitím ve scintilační technice.Způsob výroby...

Způsob výroby 2,6-di-(4-bifenylyl)-4-fenylpyridinu

Načítavanie...

Číslo patentu: 255764

Dátum: 15.03.1988

Autori: Bohm Stanislav, Štádlík Arnošt, Richter Otakar, Kuthan Josef

MPK: C07D 213/24

Značky: způsob, 2,6-di-(4-bifenylyl)-4-fenylpyridinu, výroby

Text:

...Výhoda uvedeného postupu podle vynâlezu spočivá v jeho jednostupňovosti, v jednoduché technice izolace a v minimální ná~ ročnosti na výrobní zařízení. Zvlášť výhodné je používat směs kyseliny octové a octan amonného, k dokončení-reakce je třeba 30 až 40 hodin. Také energetická náročnost výroby neni velká. Způsob výroby 2,6-di-(44 b 1 reny 1 y 1)-4-renylpyridinu byl odzkoušen na následujících přikladech. Přiklad 1směs 20 g (o,1 o 2 mol)...

Zapojení budicího obvodu výkonových tranzistorových spínačů

Načítavanie...

Číslo patentu: 243830

Dátum: 15.06.1987

Autori: Richter Otakar, Dráb Vlastimil, Kelbler Josef, Zapletal Zdenik

MPK: H02P 8/00

Značky: zapojení, spínačů, tranzistorových, obvodů, výkonových, budicího

Text:

...ä, který je prvním. přípojem § 51 připojen na společný prívod 5 napájecího napětí, přičemž báze É druhého tran ziatorutypu NPN je připojena jednak na pŕvní přípoj S 71 osměho rezistoru 7, který je druhým přípojem 572 připojen na společný uzemňovací vodičg, a jednak na druhý přípoj § 93 aedméhb rezistoru gj.Sedmý ezistor ii je pak svým prvním přípojempřipojen na společný přívod i napájeeího napětí, na který je připojen první přípoj gł...

Způsob výroby monokrystalů z taveniny a topný element k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 225237

Dátum: 01.12.1984

Autori: Gilar Oldřich, Trnka Jaroslav, Svobodová Blanka, Bendl Jiří, Liška Oldřich, Barta Čestmír, Fojtík Ladislav, Žemlička Jan, Richter Otakar, Ryttnauer Emil, Mlíka Václav, Pavlíček Zdeněk

Značky: způsobu, výroby, tohoto, monokrystalů, element, provádění, topný, způsob, taveniny

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob výroby monokrystalů z taveniny s krystalizací řízenou plošným topným elementem, vyznačený tím, že se topnému elementu uděluje příčně vratný nebo kruhový pohyb.

Způsob výroby optických a nebo scintilačních prvků

Načítavanie...

Číslo patentu: 217276

Dátum: 15.07.1984

Autori: Vašek Tibor, Richter Otakar, Fojtík Ladislav

Značky: způsob, prvků, výroby, scintilačních, optických

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob výroby optických a/ nebo scintilačních prvků plastickou deformací krystalů, zejména alkalických halogenidů, například chloridu sodného nebo jodidu sodného, případně dotovaného thaliem, vyznačující se tím, že výchozí krystalický materiál ve formě tělesa nebo více těles libovolného geometrického tvaru nebo dílků o minimálních rozměrech 1 mm3, průhledných, s nezakaleným povrchem, se lisuje za teploty v rozmezí od 10 °C do 250 °C pod bodem...