Muller Ilja

Výkonový spínací tranzistor s integrovanou zpětnou diodou

Načítavanie...

Číslo patentu: 270258

Dátum: 13.06.1990

Autori: Zamastil Jaroslav, Homola Jaroslav, Pína Bohumil, Kalenda Libor, Muller Ilja

MPK: H01L 29/90, H01L 29/06

Značky: tranzistor, diodou, integrovanou, zpětnou, spínací, výkonový

Text:

...měniče.Funkce zpětné diody spočíva v odvádění zpětného proudu ze zdtěže do zdroje v době, kdy je tranziator uzavřen.Výkonový jednoatupňový spínací tranzistor lg obsahuje vrstvu ll základního polovodičového materiálu, ktera přiléhá z jedné strany k vnější vysoce dotované vrstvě lg stejného typu elektricke vodivosti jako je vrstva łł základního polovodičového materiálu. Opačnou stranou přiléhú vrstva łł zakladního polovodičového materiálu...

Rychlý výkonový spínací tranzistor

Načítavanie...

Číslo patentu: 268906

Dátum: 11.04.1990

Autori: Muller Ilja, Kalenda Libor, Homola Jaroslav, Zamastil Jaroslav

MPK: H01L 29/72

Značky: rychlý, tranzistor, výkonový, spínací

Text:

...podle vynalezu je dvoustupnový tranzistor typu NPN v oarlingtonově zapojeni znàzorněný v řezu na obr. 1 a v hornim pohledu na obr. 2. Rychlý výkonový spinaci tranzistor obsahuje dva tranzistorove stupně lg a EQ v Darlingtonově zapojeni integrované na jediné křemikové monokrystalické desce. Každý tranzistorový stupeň obsahuje základni vrstvu ll, gl vysokoodporoveho polovodičového materiálu typu n elektricke vodivosti, ke ktere ořiléhá vnějši...

Výkonový bipolární tranzistor s integrovanou ochranou proti přepětí a napěťovému přetížení

Načítavanie...

Číslo patentu: 268061

Dátum: 14.03.1990

Autori: Kalenda Libor, Pína Bohumil, Zamastil Jaroslav, Muller Ilja, Homola Jaroslav

MPK: H01L 29/06, H01L 29/70

Značky: výkonový, přetížení, přepětí, tranzistor, napěťovému, bipolární, integrovanou, proti, ochranou

Text:

...polovodičověho materiálu, k jejíž jedné straně přilěhú vnější vysoce dotovaná vrstva Š, šterá je spojenn s první hlavní elektrodou E a která je stejněho typu elektrické vodivosti jako vrstva l záklndního polovodičověho materiálu, k jejíž druhé straně přiléhá bázoví vrstva 2 opačněho typu elektrické vodivosti,která s ní tvoří p-n přechod. Bázová vrstva 2 je jednak nn části plochy opatřenn kontaktem É báze, vodívč spojeným s třetí hlavní...

Vícestupňový tranzistor v Darlingtonově zapojení zejména pro vyšší kmitočty

Načítavanie...

Číslo patentu: 267562

Dátum: 12.02.1990

Autori: Zamastil Jaroslav, Školník Václav, Kalenda Libor, Pína Bohumil, Muller Ilja, Homola Jaroslav

MPK: H01L 27/08

Značky: kmitočty, zapojení, zejména, vyšší, vícestupňový, darlingtonově, tranzistor

Text:

...je znázorněns struktura dvouatupňového trenzietoru v Darlingtonově zapojení v ćáetečnám řezu. Dvouetupňový tranzíetor v Darlingtonově zapojení eeatává z vrstvy łł a gł základního polovodičového materiálu, vnější vysoce dotovená vrstvy łg a gg,bszové vrstvy łł a gž, kontaktů łi s gi báze, členěné emitorová vrstvy łâ a gâ a kontaktů łâ a gg emitoru.V oblasti prvního stupně łg je po vytvoření koncentrečního profilu bszove vrstvy łä odleptane...

Vícestupňový tranzistor typu Darlingtonu s vysokou odolností proti druhému průrazu

Načítavanie...

Číslo patentu: 267561

Dátum: 12.02.1990

Autori: Zamastil Jaroslav, Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Muller Ilja, Kalenda Libor

MPK: H01L 27/08

Značky: proti, odolností, vícestupňový, tranzistor, vysokou, druhému, průrazu, darlingtonu

Text:

...sestává z vrstvy łł a gł záklsdního polovodíčového materiálu, vnější vysoce dotovsné vrstvy łg a 33, bázová vrstvy łš a 35, kontakte 33 e gi báze, ćleněnó amitorové vrstvy łâ a gä a kontaktů łg s gg emitoru.V oblastí prvního stupně łg je před vytvorením koncsntračního profilu bázove vrstvy A odleptáns z téže strany polovodičové destičky část vrstvy łł zákledního polovodičovsho materiálu, takže po vytvoření bázová vrstvy łg e emítorové...

Způsob detekce vnitřních zkratů na interdigitalizovaných strukturách v zapouzdřených polovodičových součástkách

Načítavanie...

Číslo patentu: 265361

Dátum: 13.10.1989

Autori: Škaloud Miroslav, Homola Jaroslav, Muller Ilja, Zamastil Jaroslav

MPK: H01L 21/66, G01R 31/26

Značky: detekce, interdigitalizovaných, součástkách, vnitřních, zkratu, způsob, polovodičových, strukturách, zapouzdřených

Text:

...elektrody a katody výše uvedené zkraty detekovat nelze,protože tyristorová struktura mezi vývodem řídící elektrody a katodou pomocného tyristoru vnáší do měřícího obvodu sériový odpor, který je mnohem větší, než. velikost odporu mezi katodovou elektrodou a katodcu pomocného tyristoru u nezkratované struktury. známé způsoby detekce zkratů tedy neumožňují provádět výstupní kontrolu zapouzdřených součástek,a nelze takzabránit expedování součástek...

Nakládací zařízení běhounových pásů surových plášťů

Načítavanie...

Číslo patentu: 240722

Dátum: 15.08.1987

Autor: Muller Ilja

MPK: B29D 30/16

Značky: nakládací, pásu, plastů, zařízení, surových, běhounových

Text:

...38. Běhounový pás 37 se jedním kencern položí na pcdpěrné válečky 13 uložené v nosném rámu 1, a to jeho lepirovi stranou,jak je znázorněno na obr. 1-.Běhzuzn-ový pás 37 se ručně posouvá tak dlouho, až se jeho konec dotkne přítlačného válečku 31, tím se neznázorněným spínačem dá povel Ik činnosti malého válce 32,který zvedne přítlačný váleček. 31, včetně konce běhounového pásu .37 d-o neznázorněné polohy, což výplýnvá z technologie nakládávní...

Výkonová polovodičová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 232182

Dátum: 01.04.1987

Autori: Homola Jaroslav, Pína Bohumil, Školník Václav, Muller Ilja, Pojman Pavel, Hartman Jan

MPK: H01L 21/02

Značky: napětí, blokovací, vysoká, výkonová, polovodičová, součástka, závěrná

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí, ve které je vysokonapěťový přechod PN vytvořen ve dvou stupních. První je umístěn v hloubce větší než 30 um uvnitř plochy polovodičové součástky. Druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um. Povrchová koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.1015 atomů cm-3.

Výkonová polovodičová součástka řízená světlem

Načítavanie...

Číslo patentu: 232093

Dátum: 01.04.1987

Autori: Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Muller Ilja, Hartman Jan

MPK: H01L 31/10

Značky: řízená, polovodičová, světlem, součástka, výkonová

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky řízené světlem, např. optotyristoru s kompenzující elektrodou, tvořenou kontaktovanou oblastí řídicí báze, přičemž kontakt řídicí báze kompenzující elektrody je galvanicky propojen s kontaktem fotocitlivé oblasti. Podstata vynálezu spočívá v tom, že kompenzující elektroda je umístěna mezi fotocitlivou oblastí a oblastí hlavního emitoru. Ve fotocitlivé oblasti i v oblasti kompenzující elektrody je...

Vícevrstvá silnoproudá polovodičová součástka

Načítavanie...

Číslo patentu: 249096

Dátum: 12.03.1987

Autori: Muller Ilja, Bajer Miloslav, Zamastil Jaroslav, Homola Jaroslav

MPK: H01L 29/70

Značky: součástka, silnoproudá, polovodičová, vícevrstvá

Text:

...síř kruhových šuntů 2.Na obvodu součástky vně oblasti emitoru je vytvořena souvislá oblast,obvodový šunt lg, V němž má druhá vnější vrstva i kontakt s emitorovým kontaktom 1, který má přesah přes obvod emitorové vrstvy Q.Příkladem využití předloženého vynálezu je tyristorový systém(obr. 2) o průměru křemíkově desky 16 mm obsahující vrstvu základního polovodičového materiálu typu n l, prvou vnější vrstvu g typu p mající kontakt s...

Vícevrstvová polovodičová součástka s ochrannou strukturou proti přepětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 231393

Dátum: 01.03.1987

Autori: Muller Ilja, Kalenda Libor, Školník Václav, Homola Jaroslav, Pína Bohumil

MPK: H01L 29/00

Značky: vícevrstvová, strukturou, součástka, přepětí, ochrannou, polovodičová, proti

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká vícevrstvé polovodičové součástky s ochrannou strukturou proti přepětí, obsahující vrstvu základního polovodičového materiálu mezi dvěma vnějšími vrstvami opačného typu vodivosti vzhledem k základní vrstvě. První vnější vrstva má kontakt s první hlavní elektrodou. Druhá vnější vrstva má kontakt jednak s řídicí elektrodou a jednak v řadě diskrétních míst, t.z. mikrosvodů s hlavní elektrodou. K druhé vnější vrstvě přiléhá řízená...

Výkonová polovodičová součástka

Načítavanie...

Číslo patentu: 248539

Dátum: 12.02.1987

Autori: Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Kalenda Libor, Muller Ilja, Zamastil Jaroslav

MPK: H01L 29/70

Značky: součástka, výkonová, polovodičová

Text:

...aktivních příměsí p-typu elektrické vodivosti na rozhraní báze a přilehlého emitoru rychle klesá, čímž zůsą tává na většině plochy emitoru zachovaná vysoká injekční účinnost. Tímto způsobem se u součástky doeáhne současně vysoké účinnosti řídícího signálu a zlepšení spínacích charakteristiklresp. zvýšení zesílení, i vysoké úrovně propustných vlastností.Dva příklady výkonových polovodičových součástek s vertikálv ně členěnou...

Výkonová polovodičová součástka pro vysoké pracovní kmitočty

Načítavanie...

Číslo patentu: 233024

Dátum: 15.08.1986

Autori: Pína Bohumil, Šimko Timotěj, Muller Ilja, Homola Jaroslav

MPK: H01L 29/74

Značky: výkonová, součástka, pracovní, vysoké, polovodičová, kmitočty

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoké pracovní kmitočty. Součástka je řešena tak, že katodová emitorová vrstva a vrstva řídicí báze je vertikálně členěná, přičemž pomocná řídicí oblast je části své plochy ve vertikálním směru zapuštěná ve vrstvě řídicí báze do hloubky větší než 3 ?m pod rozhraním s katodovou emitorovou vrstvou. Přechod mezi první bází a anodovou emitorovou vrstvou má gradient koncentrace příměsí větší než...

Vícevrstvá polovodičová součástka pro vyšší pracovní kmitočty

Načítavanie...

Číslo patentu: 218510

Dátum: 15.03.1985

Autori: Šimko Timotěj, Pína Bohumil, Homola Jaroslav, Muller Ilja

Značky: kmitočty, polovodičová, pracovní, součástka, vyšší, vícevrstvá

Zhrnutie / Anotácia:

Předmětem vynálezu je vícevrstvá polovodičová součástka určená pro provoz při vyšších pracovních kmitočtech. Podstata vynálezu spočívá ve vhodné geometrii členění řízené emitorové struktury tak, že okraj emitorové vrstvy se v žádném místě struktury nelomí v úhlu menším než 120°. Na povrchu součástky je ze strany druhé hlavní elektrody vytvořeno alespoň šest stejně velkých oblastí ve tvaru pravidelného šestiúhelníka tak, že uvnitř každé takové...

Vícevrstvá výkonová polovodičová struktura řízená světlem

Načítavanie...

Číslo patentu: 218437

Dátum: 15.03.1985

Autori: Homola Jaroslav, Pína Bohumil, Muller Ilja, Hartman Jan

Značky: řízená, světlem, výkonová, vícevrstvá, polovodičová, struktura

Zhrnutie / Anotácia:

Předmětem vynálezu je vícevrstvá výkonová polovodičová struktura řízená světlem, například optotyristor. Fotocitlivá oblast je vytvořena okénkem v kontaktu emitorové vrstvy v místě chybějícího mikrosvodu pravidelné hexagonální sítě mikrosvodů, přičemž mikrosvody nejbližší k fotocitlivé oblasti jsou umístěny pod kontaktem pomocné elektrody, která je oddělena od katodové elektrody nešuntovanou a nekontaktovanou emitorovou vrstvou ve tvaru...

Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem

Načítavanie...

Číslo patentu: 216650

Dátum: 01.09.1984

Autori: Hartman Jan, Homola Jaroslav, Muller Ilja, Pína Bohumil

Značky: vícevrstvá, řízená, světlem, polovodičová, součástka

Zhrnutie / Anotácia:

Vícevrstvá polovodičová součástka řízená světlem s vysokou citlivostí struktury ke spínání světlem a odolností proti strmému nárustu blokovacího napětí, obsahuje nejméně čtyři vrstvy střídavě opačného typu vodivosti. Vnější emitorová vrstva zasahuje úzkým výběžkem až ke středu fotocitlivé nekontaktované oblasti kruhového tvaru, přičemž plocha výběžku emitorové vrstvy tvoří méně než 20 % celkové plochy fotocitlivé oblasti.