H01L 31/18

Spôsob nanášania tenkej vrstvy a výsledný produkt

Načítavanie...

Číslo patentu: E 17363

Dátum: 04.01.2008

Autori: Billert Ulrich, Kharchenko Andriy, Nadaud Nicolas, Gy René

MPK: C03C 17/09, C03C 17/36, C03C 17/245...

Značky: výsledný, spôsob, tenkej, nanášania, produkt, vrstvy

Text:

...tepla, ktoré majú nevyhnutne radiačnú povahu, a v prípade podkladov veľkých veľkostí, šírky niekoľkýchmetrov, to zvyšuje náklady. V pripade sklených podkladov s malou hrúbkou,tento typ spracovania často zvyšuje riziko prasknutia.0011 Zahrievanie potiahnutého podkladu po ukončení nanášania,napríklad v rúre alebo peci pomocou infračerveného žiarenia vychádzajúceho z bežných vykurovacích zariadeni, ako sú infračervené lampy, má tiež svoje...

Sulfurizácia a selenizácia elektrolyticky nanesených vrstiev CIGS tepelným žíhaním

Načítavanie...

Číslo patentu: E 13798

Dátum: 19.05.2006

Autori: Taunier Stéphane, Guimard Denis, Naghavi Negar, Guillemoles Jean-françois, Lincot Daniel

MPK: H01L 31/032, H01L 31/18, H01L 31/0749...

Značky: elektrolytický, selenizácia, sulfurizácia, tepelným, nanesených, vrstiev, žíhaním

Text:

...alebo neumožňujú jemne riadiť šírku bandgap. Tieto spôsoby tiež vyžadujú krok, v ktorom sa používa vákuum.Okrem toho v prípade, že sa prvok zo skupiny Vl použije vo svojej tuhej forme (napriklad sa použije síra alebo selén v práškovej forme v bezprostrednej blízkosti prekurzora CIGS), môžu vznikať problémy s heterogenitou tohto prvku.Dokumenty US 5578 503, W 0 03/094246 A 1, W 0 01/37324 A 1, FR 2849 450 A 1, FR 2 849 532 a publikácia...

Spôsob vylučovania kremíka

Načítavanie...

Číslo patentu: E 4354

Dátum: 20.01.2004

Autori: Rech Bernd, Roschek Tobias

MPK: C23C 16/50, C23C 16/22, H01L 31/18...

Značky: vylučovania, spôsob, kremíka

Text:

...napustenim plynnej zmesi do vopred evakuovanej plazmovej komory. Súčasne so zapálenim plazmy sa potom v pripade a) pozastaví prívod vodíka.0018 V ďalšom priebehu sa po zapáleni plazmy kontinuálnym dávkovanim silánu do komory nahrádza silán,ktorý bol disociovaný plazmou a spotrebovaný pri procese vylučovania. Na zachovanie statických podmienok tlaku (depozičný tlak) vo vnútri plazmovej komory sa z komory odvádza tomu zodpovedajúce...

Spôsob výroby jednotky solárneho článku použitím dočasného substrátu

Načítavanie...

Číslo patentu: E 6133

Dátum: 03.03.2003

Autori: Schropp Rudolf Emmanuel Isidore, Middelman Erik, Peters Paulus Marinus Gezina Maria

MPK: H01L 31/0224, H01L 31/02, H01L 31/18...

Značky: spôsob, použitím, substrátů, výroby, článků, dočasného, jednotky, solárneho

Text:

...jedna ztýchto farieb bude vyhovovať vyššie uvedeným požiadavkám na hodnotu dEab.-3 0014 Použitie kombinácie rozlišujúcej farby a maskovacej farby umožňuje dekorovat jednotky solárneho článku farebným vzorom na homogénnom pozadí. Príkladmi predpokladaných vzorov sú vzorky, znaky, obrázky, pruhy, obdĺžniky a štvorce. V tomto uskutočnení sa všeobecne 10 až 90 mriežky poskytuje s rozlišujúcou farbou, kým 90 až 10 mriežky sa poskytuje s...

Zařízení pro napájení optoelektronických polovodičových součástek a obvodů

Načítavanie...

Číslo patentu: 261744

Dátum: 10.02.1989

Autor: Ryšánek Vladimír

MPK: H01L 31/18

Značky: polovodičových, součástek, napájení, optoelektronických, zařízení, obvodů

Text:

...l umístěna jedna polovodičová sou~ částka nebo obvod Q a na spodní ploše destičky l druhá polovo dičová součástka nebo obvod 1. Zdroj Ž záření s prvek Ž pro přenos signálu mají V tomto případě odlišnou vlnovou délku.- 3 261 744 Zdroje. záření o dostatečně íntenzítě vyzařují světlo o vlnové délce .Ä 1, kteréxse šíří v destičce l se zrcadlovými povlaky g s dobrou odrazivostí. Fotovoltaické články 1 mění energií od zdrojů Ž záření na...

Způsob uchovávání implantovaných vzorků monokrystalického germania

Načítavanie...

Číslo patentu: 260613

Dátum: 12.01.1989

Autor: Skřivánková Marie

MPK: G01T 1/36, G01T 1/202, G01T 1/24...

Značky: způsob, germania, monokrystalického, uchovávání, vzorků, implantovaných

Text:

...závěrných nebo ohmických kontaktů, posléze k jejich nepoužitelnostipro přípravu detektorů vůbec. je tedy nutno vždy provádět na implantačních zařízení implantace jen takového množství vzorrků, které je možno zpracovat během jednoho až dvou týdnů.Nedostatky tohoto způsobu spočívají v tom, že neni možno provádét technologicképráce na přípravě implantovaných detektorů průběžně, ale jen bezprostředně po implantací vzorků. Implantované vrstvy...

Způsob úpravy polovodičových detektorů ionizujícího záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 240864

Dátum: 01.01.1988

Autor: Kohout Augustin

MPK: H01L 31/18, G01T 1/24

Značky: záření, ionizujícího, úpravy, polovodičových, detektoru, způsob

Text:

...neplnené kepelným dusíkem. Detektory, u kterých se nepodaří Zvýšit závěrné napětí při zpětných proudech nižších než lO-lo A ani po třikrát až pětkrát opakovaném dosavadním postupu, se vyřazují.Nevýhody dosavadních technologických postupů se odstraňují způsobem úpravy polovodičových detektorů ionizujícího záření podle vynálezu, jehož podstata eoočívá V tom, že z vadných detektorů,mejících špatnou rozlišovací schopnost, způsobenou vysokou...