H01L 31/0749

Sulfurizácia a selenizácia elektrolyticky nanesených vrstiev CIGS tepelným žíhaním

Načítavanie...

Číslo patentu: E 13798

Dátum: 19.05.2006

Autori: Guimard Denis, Guillemoles Jean-françois, Lincot Daniel, Taunier Stéphane, Naghavi Negar

MPK: H01L 31/032, H01L 31/18, H01L 31/0749...

Značky: selenizácia, tepelným, elektrolytický, žíhaním, vrstiev, nanesených, sulfurizácia

Text:

...alebo neumožňujú jemne riadiť šírku bandgap. Tieto spôsoby tiež vyžadujú krok, v ktorom sa používa vákuum.Okrem toho v prípade, že sa prvok zo skupiny Vl použije vo svojej tuhej forme (napriklad sa použije síra alebo selén v práškovej forme v bezprostrednej blízkosti prekurzora CIGS), môžu vznikať problémy s heterogenitou tohto prvku.Dokumenty US 5578 503, W 0 03/094246 A 1, W 0 01/37324 A 1, FR 2849 450 A 1, FR 2 849 532 a publikácia...