H01L 31/032

Spôsob výroby polovodičovej vrstvy

Načítavanie...

Číslo patentu: E 17209

Dátum: 28.11.2008

Autor: Probst Volker

MPK: H01L 31/032

Značky: výroby, spôsob, polovodičovej, vrstvy

Text:

...selén obsahujúcich výparov, resp. elementárnych síru obsahujúcichvýparov. Podľa tohto vynálezu nie je teda už vyžadované použitie H 2 Se a H 2 S.0011 Na rozdiel od H 2 Se a HgS nie sú elementárne selénové výpary a elementárne sirne výpary ani vysoko toxické, ani výbušné, a sú tak podstatne menej nebezpečné pre okolie, takže je možné sa obísť bez nákladných a drahých bezpečnostných opatrení. Navyše je možné elementárne selénové...

Sulfurizácia a selenizácia elektrolyticky nanesených vrstiev CIGS tepelným žíhaním

Načítavanie...

Číslo patentu: E 13798

Dátum: 19.05.2006

Autori: Guimard Denis, Guillemoles Jean-françois, Taunier Stéphane, Naghavi Negar, Lincot Daniel

MPK: H01L 31/032, H01L 31/18, H01L 31/0749...

Značky: selenizácia, vrstiev, tepelným, žíhaním, nanesených, sulfurizácia, elektrolytický

Text:

...alebo neumožňujú jemne riadiť šírku bandgap. Tieto spôsoby tiež vyžadujú krok, v ktorom sa používa vákuum.Okrem toho v prípade, že sa prvok zo skupiny Vl použije vo svojej tuhej forme (napriklad sa použije síra alebo selén v práškovej forme v bezprostrednej blízkosti prekurzora CIGS), môžu vznikať problémy s heterogenitou tohto prvku.Dokumenty US 5578 503, W 0 03/094246 A 1, W 0 01/37324 A 1, FR 2849 450 A 1, FR 2 849 532 a publikácia...