H01L 31/00

Systém a spôsob chladenia fotovoltického panela

Načítavanie...

Číslo patentu: U 6928

Dátum: 03.10.2014

Autor: Masaryk Michal

MPK: H01L 31/00, H01L 31/052

Značky: panela, systém, fotovoltického, chladenia, spôsob

Text:

...vetra padajúca plachtovina nepoškodí fotovoltické panely.Komín z plachtoviny alebo podobného materiálu môže byť postavený tak, že vystužujúca kostra je pripevnená k zavŕtaným zemným skrutkám, čo si nevyžiada žiadne betonárske práce. Spodná časť plachtovinyje zakopaná a zasypaná zeminou, čo vytvorí vzduchotesné utesnenie plášťa. Vnútri komína je vytvorená štrková vrstva, ktorá predstavuje trativod pre vodu napršanú do komína.Uzavreté...

Systém na zachytávanie solárnej energie

Načítavanie...

Číslo patentu: E 15016

Dátum: 10.03.2010

Autori: Parma Paolo, Ronconi Alfredo, Angoli Roberto

MPK: H01L 31/00, H01L 31/042

Značky: energie, solárnej, systém, zachytávanie

Text:

...časťou 51 a hornou časťou 52 je umiestnené sedadlo pre kábel 56umiestnený v rovnakom smere ako os hlavnej rúrky 10.0033 Z tohto dôvodu je upevňovacl prvok 21 vytvorený tak, aby mohol byť namontovaný na hlavu stĺpika 13 tak, že cezeň budú prechádzať dva vzájomne kolmé kovové káble 55 a 56.0034 V podstate sú tieto dva napnuté kovové káble 55 a 56 vložené do podstatných komponentov pripájacej koruny 21.0035 Káble sa vopred opatría poistnými...

Spojivo založené na kopolymére etylénu a vinylesteru karboxylovej kyseliny a na polyolefíne, ktorý obsahuje funkčný monomér

Načítavanie...

Číslo patentu: E 11145

Dátum: 13.02.2009

Autori: Devisme Samuel, Collas Olivier, Corfias-zuccalli Catherine, Cartier Laurent

MPK: B32B 27/00, B32B 27/04, B32B 17/10...

Značky: karboxylovej, etylénu, obsahuje, vinylesteru, funkčný, kopolymére, polyolefíne, spojivo, ktorý, monomér, kyseliny, založené

Text:

...titánu. V priebehuvýroby solárnych panelov sa jednotlivé zložky spoja pomocou laminácie, panel sa vytiahne vo vákuu prostredníctvom silikónovej membrány. Táto silikónová membrána sa však pri kontakte s väzbovými činidlami degraduje. Je teda nevyhnutné obmedziť ich použitie. To predstavuje V súčasnej dobe hlavný problém pre výrobcov fotovoltaických modulov, pretože tieto silikónové membrány sú drahé a pretože po dobu ich výmeny je nutné...

Zariadenie k ochrane fotovoltaického zariadenia pred poškodením ohryzom hlodavcami

Načítavanie...

Číslo patentu: E 8494

Dátum: 25.04.2006

Autori: Ortner Gerald, Martetschläger Stefan

MPK: A01M 29/00, H01L 31/00

Značky: fotovoltaického, zariadenia, zariadenie, ohryzom, hlodavcami, poškodením, ochraně

Text:

...môže byt účinne chránené pred poškodením ohryzom hlodavcami. Náklady na inštaláciu a údržbu by mali byt pokiaľ možno nízke.0008 Úkol vynálezu podľa patentového nároku l sa rieši tak,že sa použije ultrazvukový generátor pre vyžarovanie ultrazvukového signálu, a ultrazvukový generátor je spojený s mikrokontrolérom, ktorý Hwnitoruje komponenty fotovoltaického zariadenia, takže je vysielaný ultrazvukovýmikrokontrolére fotovoltaického...

Pyroelektrický detekční element s optimalizovanou vlastní elektrickou časovou konstantou

Načítavanie...

Číslo patentu: 270302

Dátum: 13.06.1990

Autori: Šolc Václav, Cuchý Zdeněk

MPK: H01L 31/00, G01R 5/20

Značky: časovou, element, konstantou, pyroelektrický, detekční, vlastní, elektrickou, optimalizovanou

Text:

...vyznaoují nlžäi eignálovou odozvou v důsledku prilis vysoke psrmltivlty s komplikovsnejlim způeobem~pfIpravy těchto materiálů.Uvedená nevýhody odstraňuje pyroelsktrický dstekćni element e cptimelizovanou vlastni elektrickou časovcu konetantou podle vynalezu, jehož podstata spoćivá v tom, že je zhotovan na ban moňokrystellckeho germenátu olova Pb 5 Ge 3 Dn jako deskový výbrus, kolmý ke krys~ tslogratická ose z, o ploee desky l az 20 mmz a...

Fotografické čidlo a způsob řízení jeho citlivosti

Načítavanie...

Číslo patentu: 266221

Dátum: 13.12.1989

Autori: Mežinský Karel, Jasněvic Irina, Dubecký František, Komčanova Ninel, Michajlova Maja, Morvic Marian, Benč Viliam

MPK: H01L 31/00

Značky: fotografické, způsob, čidlo, citlivosti, řízení

Text:

...mowouyucwnnrenbuoçwn. mEcnu moTonpneMHK,amonneHHmů npHcoönmeHnn ykasaunux numa ycnonnň,ocnernTncBeToM na cneKmpannuoroúHTepBana 141,4 MKM H npànoxurb snexrpuqecxoe uanpsxenme n-ppznou Hanpaanennu, aennunua Kowoporo yoanernopaeT ycnonumU h pv V 105 B/cM ~ -4 ~ 409 B/cu .mo są cqew MoHononnpnoüAyapnoü uonusamnu-rnyà 37 . . T Aóoxoü npnnecn nocwnraemcx ynennqené qyncwanwennnocru B yxaàąnuou cnexrpann-r® HoMuHwepnane npu coxpanenu őHCIp 0...

Způsob výroby křemíkových dozimetrických diod s vysokou citlivostí

Načítavanie...

Číslo patentu: 263809

Dátum: 12.05.1989

Autori: Sopko Bruno, Obraz Otakar, Kits Ján, Látal František

MPK: G01T 1/24, H01L 31/00

Značky: způsob, křemíkových, dozimetrických, výroby, citlivosti, vysokou

Text:

...na potíže reprodukovatelnosti,což souvisí s technologií vyroby.Dosaxvadní nevyhovující stav. řeší navrhovaný způsob vyroby, kterého podstata vynálezu spočívá v tom, že na křemíkovou de-s ku, tloušťky 2,5 mm a rněrného odporu 100.Q .cm s Hlaądkým povrchem, jehož bylo docíieno broušením a ieptäním, se naimplantuje z jedné strany bor B 1, popřipadě hliník AI nebo thalium T 1 o dávce větší2, než 2 . 101 íontů . cm s energií 160 keV a do druhé...

Scintilační detektor nízkoenergetického beta záření a elektronů s dielektrickými vrstvami

Načítavanie...

Číslo patentu: 263791

Dátum: 11.04.1989

Autori: Kvapil Josef, Blažek Karel, Perner Bohumil, Kvapil Jiří, Autrata Rudolf, Škoda Václav

MPK: H01L 31/00, G01T 1/20

Značky: dielektrickými, scintilační, vrstvami, detektor, záření, elektronů, nízkoenergetického

Text:

...(Ti 02) s odrazivostí větší než 80 I pro zafení o vlnových délkach vymezených pološířkou emise detektoru dopadajícího na povrch detektrou pod úhlem 0 až 45 °, přičemž plochy určené pro vstup beta záření nebo elektronů jsou navíc opatřeny elektricky vodivou vrstvou oxidu oiničitého (snoz) nebo oxidu inditého (In 203) o tlouštce 3 až 20 nm e vodivosti vyšší než 1 o 5 s. Plocha určená pro výstup světla může být opatžena vrstvou...

Způsob úpravy povrchů monokrystalu hlinitoytrického perovskitu a hlinitoytritého granátu pro detekci nízkoenergetického beta záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 263772

Dátum: 11.04.1989

Autori: Kvapil Jiří, Perner Bohumil, Kvapil Josef, Blažek Karel

MPK: G01T 1/20, H01L 31/00

Značky: monokrystalů, povrchu, úpravy, záření, detekci, granátu, způsob, perovskitu, nízkoenergetického, hlinitoytritého, hlinitoytrického

Text:

...postupem jako před temperaci ve vodtku, doplněným působenim kyseliny dusične (HNOBI o koncentraci 50 až 70 1 hmot. podobu 10 až 30 min při teplotě 50 až 70 °C s následným promytim ve vodě (E 20) a sušenim pri teplotě so až vo °c po dobu zo až ao hodin.Uvedený způsob prípravy způsobuje v prvni fázi, že pri temperaci oleptaných polotovsrůnedocházi k difuzi iontů různých prvků, zvlaltě železa, které se vyskytuji na povrchupo opracováni na...

Polovodičový detektor ionizujícího záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 262052

Dátum: 10.02.1989

Autori: Čepelík Milan, Plešil Vladimír, Benda Vítězslav, Vaňouček Miroslav, Vít Václav, Černý Jiří

MPK: G01T 1/24, H01L 31/00

Značky: polovodičový, záření, detektor, ionizujícího

Text:

...vrstev velmi náročná a drahá, většinou je vázána na dovoz.Výše uvedené nevýhody odstraňuje polovodičový detektor ionizujícího záření podle vynálezu, který je standardně tvořen základní vrstvou polovodičového materiálu, k níž přiléhá z jedné strany vrstva polovodičového materiálu opačného typu vodivostis nižší rezistivitou, opatřenä prvním kovovým kontaktem a z druhé strany vrstv-a polovodíčového materiálu téhož nebo opačného typu...

Polovodičový prvek řiditelný zářením

Načítavanie...

Číslo patentu: 254968

Dátum: 15.02.1988

Autori: Ohashi Hiromichi, Yamaguchi Yoshihiro

MPK: H01L 31/00

Značky: zářením, polovodičový, řiditelný, prvek

Text:

...vrstvou 4 h hlavního tyristoru 8. Předpětí na přechodu s mezi emitorovou vrstvou 4 h a druhou vrstvou 3 báze je dáno velikosti odporu R 2.Když se tedy drážka 14 vytvoří hluhoká a odpor R 2 velký, aby se zvětšíl odpor R 2,lze fotosenzítívitu řídícího fototyristoru 5 zvětšit, aníž by se zmenšil stupeň odolnosti dv/dt hlavního tyrístoru 8. Protože však citlivo-st hlavního tyristoru 0 na řídící signál je malá, hlavní tyristor 8 nezbytně...

Optoelektronický zobrazovač na principu LED

Načítavanie...

Číslo patentu: 253397

Dátum: 12.11.1987

Autori: Kudrna Stanislav, Krejčí Vladimír

MPK: H01L 31/00

Značky: princípu, zobrazovač, optoelektronický

Text:

...barvive typu Zaponeoht, na přiklad Zaponecht BE, Zaponechtoranž 3 GI, nebo typu Neozapon,na příklad Neozupongrün 3 GI. Konkrétní hodnota.maximá 1 ni spektrální emise jednbtlivých druhů LED závisí na technologii přĺpravy jejich struktur a nemůže být přesně zadána předem. Proto při konstrukcí zobrazovàče je vždy nutné nejprve konkrétně stanovit změřením maximum vyzařovaného světla v závislosti od vlnové délky a zjištěná hodnotě přizpůsobit...

Pouzdro tranzistoru pro rtg systémy s polovodičovými detektory

Načítavanie...

Číslo patentu: 246996

Dátum: 15.10.1987

Autor: Mánek Oldoich

MPK: H01L 31/00

Značky: tranzistorů, polovodičovými, systémy, detektory, pouzdro

Text:

...je většina jeho vývodů rsdiální.Při aplikaci rtg systému s vysokou rozlisovací schopností s polovodičovýsi detekto ry, například v elektronových mikroskopech, má na konstrukcí měřicí hlavice zásadnívliv její maximální povolený vnější průměr. Toto omezení, obvykle 18 sž 25 mm, vyplývá zejména s požadované vysoké detekční účinnosti rtg saření. Je nutné, aby detekćníčást měřící hlavice byla co nejblíže k vąyěetřovsné lokslitě vzorku. Za těchto...

Target vidikonové snímací elektronky nebo jiného elektrooptického měniče

Načítavanie...

Číslo patentu: 245592

Dátum: 15.09.1987

Autori: Rapant Štefan, Betina Vladimír, Reinitzer Jioí, Štamberg Jioí, Turková Jaroslava, Navrátil Václav, Albrecht Zbynik

MPK: H01L 31/00

Značky: jiného, měniče, elektronky, snímací, target, elektrooptického, vidikonové

Text:

...proud za tmy tak, že setrvačnost bude optimální.Podstata targetu vikonové snímaci elektronky nebo jiného elektrooptického měniče podle vynálezu spočívá v tom, že blokující vrstvy pro díry a elektrony jsou vytvořeny z amorfních materiálů legovaných prvky druhé a třetí, respektive páté a šesté skupiny periodické soustavy a mají šířku zakázaného pásu energií alespoň o 0,001 eVvětší nežlije šířka zakázaného pásu energií fotokonduktivní...

Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon

Načítavanie...

Číslo patentu: 243414

Dátum: 14.08.1987

Autori: Richter František, Krejeío Oldoich, Olšák Miloo, Hofman Ivo, Kalík Jioí, Vorel Leopold, Ulrychová Sylva, Vykopal Alois

MPK: H01L 31/00

Značky: elektronky, křemíkový, terčík, vidikon

Text:

...lo vrstva nsnessnóho polykrystslickóho nebo ssorrního kresíku a( při bunt poulívsąých tloustkach epecificld odpor vstaí nsl 30 kit/q. Js-li poładovín nillí odpor, je nutno k dotsoi poułít dsllí tepelná operace, nspŕíklsd difuso čím sa vsak vltsinou horu sdvlrnd vlastnosti diod s tím ss tskě sníií dynuickąý pascovní rosssh terčíku.Podstata křsaíkováho tsrdíku pro elektronky typu vidikon spoüívd v ton, łs ostrůvky svodovd vrstvy jsou ns sváa...

Křemíkový terčík pro elektronky typu vidikon

Načítavanie...

Číslo patentu: 243413

Dátum: 14.08.1987

Autori: Zamarovský Peter, Apetaur Milan, Laštovka Petr, Pulpán Jan, Fronik Roman, Stejskal Jan

MPK: H01L 31/00

Značky: vidikon, elektronky, terčík, křemíkový

Text:

...vytvořena pomocí fotolitografiokćho Iaakovdní například přímo ae souvisló izolační vrstvy, například z S 102, nebo za souvialé vrstvy deponovanőho nebo polykrystalického, případně aaorfního křaaíku, naneseného bezprostŕedně na izolační vrstvu tvořenou například kysličníkem křemičitýu, nebo na bőrnilikdtové sklo vzniklé po difuai bőru, případně na jiné izolační vrstve.Podle toho pak je podlaptána buäto boční část nad povrch vystnupld aříie,...

Elektrooptický modulátor

Načítavanie...

Číslo patentu: 238799

Dátum: 15.04.1987

Autori: Škoda Václav, Kravárik Jozef, Cuchý Zdeněk

MPK: H01L 31/00

Značky: elektroopticky, modulátor

Zhrnutie / Anotácia:

Elektrooptický modulátor, zejména pro vysoké hustoty výkonu procházejícího záření a s vysokou elektrickou pevností, s krystalovým elementem, s výhodou z monokrystalu primárního fosforečnanu draselného, případně deuterovaného, kde cíle je dosaženo tím, že krystalový element má poměr průřezu k délce 1:1,5 až 3 a je opatřen na koncích po obvodu elektrodami v šířce 1/5 až 3/8 jeho délky a na základní elektrody jsou případně navlečeny další...

Rýchla kremíková fotodióda

Načítavanie...

Číslo patentu: 238100

Dátum: 01.04.1987

Autori: Novák Jozef, Alakša Stanislav, Kordoš Peter

MPK: H01L 31/00

Značky: křemíková, fotodioda, rychlá

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týka rýchlej kremíkovej fotodiódy využiteľnej c systémoch optických komunikácií a iných optoelektronických aplikáciách pracujúcej v megahertzovom frekvenčnom pásme. Účelom vynálezu je získanie dostatočne rýchlej fotodiódy. Uvedeného účelu sa dosiahne využitím priechodu kolektor - báza bežného kremíkového fototranzistora na detekciu optického signálu. Vynález može najsť široké praktické uplatnenie v celom rade priemyselných aj...

Optoelektronický spínač pro vysoká napětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 234715

Dátum: 01.03.1987

Autori: Vosecký Milan, Resl Jaroslav, Sopko Bruno

MPK: H01L 31/00

Značky: optoelektronický, napětí, vysoká, spínač

Zhrnutie / Anotácia:

Spínač je tvořen 2 až 100 PN přechody, zařazenými za sebou, s výhodou v sendvičovém uspořádání. Spínač je vhodný pro generaci jak vysoko, tak i nízkonapěťových impulzů.

Křemíková rozkladová elektroda

Načítavanie...

Číslo patentu: 234429

Dátum: 01.03.1987

Autori: Kerhart Jaroslav, Weidner Miroslav, Kříž Josef, Urbanec Jan, Benc Ivo Csc, Ladnar Josef, Mach Jaroslav, Kopecký Josef Ing

MPK: H01L 31/00

Značky: elektroda, rozkladová, křemíková

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká křemíkové rozkladové elektrody, opatřené ze strany diod polovodivou vrstvou, určené pro snímací elektronky. Vynález řeší problém definovatelné optimální povrchové polovodivé vrstvy nanesené na křemíkovou elektrodu ze strany diod. Podstata vynálezu spočívá v tom, že povrchovou polovidovou vrstvu tvoří polykrystalický nebo amorfní křemík. Vynálezu lze použít při výrobě křemíkových vidikonů.

Převodník tepla vstupního obvodu nízkošumového předzesilovače

Načítavanie...

Číslo patentu: 247980

Dátum: 15.01.1987

Autori: Bendl Jiří, Knapp Karel, Měřínský Jiří, Poláčková Alžběta, Fojtík Ladislav

MPK: H01L 31/00

Značky: předzesilovače, nízkošumového, tepla, převodník, vstupního, obvodů

Text:

...předzesilovače podle vynálezu je především v tom, že užitečný tepelný výkon je převdděn ne čip tranzistoru cestou malého tepelného odporu teplovodu ve srovnání se ztrátovým tepelným tokem,který je minimalizován vysokým tepelným odporem desky, ne níž je umístěn zdroj teple.Konstrukční řešení převodníku tepla vstupního obvodu nízkoěumověho přodzeailovače je uvedena na připložených obrázcích. 0 br.I znázorňuje konstrukční uspořádání...

Hlavice systému s polovodičovým detektorem pro měření rtg záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 247944

Dátum: 15.01.1987

Autor: Vidra Miloš

MPK: H01L 31/00

Značky: záření, detektorem, měření, polovodičovým, systému, hlavice

Text:

...k proměřovanému objektu. za těchto podmínek hraje konstrukční uspořádání hlavice, zejména její vstupní detekční části, dominantní úlohu.Uvdené nedostatky odstraňuje řešení hlavice systému s polovodičovým detektorem pro měření rtg záření podle vynálezu, jehož podstatou je, že hlavice má koaxiální uspořádání,ve kterém má polovodičový detektor umístěný na izolační destičce v misce, která je mechanicky spojena s jedním koncom chladovodu, zajištěn...

Výkonová polovodičová součástka řízená světlem

Načítavanie...

Číslo patentu: 232897

Dátum: 01.01.1987

Autori: Hartman Jan, Pína Bohumil, Vach Miroslav, Vlnas Stanislav, Pokorný Oldřich, Plíva Jiří

MPK: H01L 31/00, F16L 5/02

Značky: výkonová, polovodičová, řízená, světlem, součástka

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky řízené světlem ze zdroje zářivé energie umístěného vně jejího pouzdra pomocí plného světlovodu, volně uloženého v průchodce, která je pevně spojena s pouzdrem polovodičové součástky. Vnější konec průchodky je spájen s pokovanou částí plného světlovodu, který je uvnitř pouzdra spojitě zúžen a jeho zúžená část je přiložena k fotocitlivé oblasti výkonové polovodičové struktury pod úhlem 75 až 90°.

Měřicí zařízení pro stanovení koncentrace bóru, nebo jiné látky absorbující neutrony, rozpuštěného ve vodě nebo jiných kapalinách

Načítavanie...

Číslo patentu: 231967

Dátum: 15.12.1986

Autori: Várbiró Vilmos, Csom Gyula, Zsolnay Éva, Benedek Sándor, Élö Sándor, Dési Sándor, Gyurkócza Csaba, Szücs Imre

MPK: H01L 31/00, G01T 3/08

Značky: jiné, neutrony, vodě, koncentrace, stanovení, rozpuštěného, látky, měřicí, kapalinách, jiných, absorbující, zařízení, bóru

Zhrnutie / Anotácia:

Měřicí zařízení pro stanovení koncentrace bóru, nebo jiné látky absorbující neutrony, rozpuštěného ve vodě, nebo jiných kapalinách, obsahuje alespoň dvě paralelní rovinné plochy, které jsou součástí ploch měřicí nádoby, radioaktivní neutronový zdroj, moderátor, reflektor neutronů a detekční čidlo tepelných neutronů. Jeho podstata spočívá v tom, že neutronový zdroj záření (F) je uložen uvnitř moderátoru (L) u jeho boční stěny hraničící s měřicí...

Způsob přípravy detektoru ionizujícího záření z čistého germania

Načítavanie...

Číslo patentu: 231906

Dátum: 15.06.1986

Autor: Skřivánková Marie

MPK: H01L 31/00, G01T 1/24

Značky: ionizujícího, způsob, detektoru, germania, čistého, přípravy, záření

Text:

...germania leptá, potom se mechanicky leští a leptá znovu a na celou tuto stranu destičky se implantújí ionty boru deset a dále se provede tepelné zpracování destičky ohřátím na teplotu 330 až 360 OC při současném napaření a difůzi lithia na druhou stranu destičky. Do implantované vrstvy se vybrousí drážka a konečné leptání se provádí v ultrazvuková myčce.Výhcdami postupuĺpodle vynálezu je to, že dvojím leptáním destičky před implantacíjsou...

Křemíková rozkladová elektroda

Načítavanie...

Číslo patentu: 228971

Dátum: 01.02.1986

Autori: Ščobák Karel, Ladnar Josef, Prchlík Jaroslav, Urbanec Jan, Kerhart Jaroslav, Kříž Josef, Kopecký Josef, Benc Ivo

MPK: H01L 31/00

Značky: křemíková, elektroda, rozkladová

Zhrnutie / Anotácia:

Křemíková rozkladová elektroda pro snímací elektronky. Vynález umožňuje jednak zlepšení některých parametrů křemíkových vidikonů, jako je například citlivost na světelné záření, kvalita snímaného pole za tmy i za světla, ale hlavně je vynálezem docíleno podstatné zvýšení výtěžnosti při výrobě rozkladových elektrod, tím, že vynález umožňuje použití i méně kvalitního polovodičového materiálu. Uvedeného zlepšení se docílí tím, že přechody P-N...

Způsob výroby křemíkové rozkladové elektrody

Načítavanie...

Číslo patentu: 241850

Dátum: 22.08.1985

Autori: Czásta Ladislav, Rajec Vladimír, Koíž Mojmír, Roško Pavel, Surovec Ján, Kujaník Stanislav, Poltársky Viliam

MPK: H01L 31/00

Značky: výroby, křemíkové, rozkladové, elektrody, způsob

Text:

...hloubka a tvar podleptá-ní jsou .rovnomernéTouto cestou je možno zamezit funkčsníní zá-vadám ,při provozu snímací elelktronky se zabud-ovia-nou křemíkovou rozkladovou elektrodou. de o »závady způsobené například nadměrným hromaděním náboje na kyslič»nílku křemlčítém v mezerách mezi ostrůvky poIl-ovoclivé vrstvy, vnelbo jde o závady způsobené prepojením polovodrvých ostrůvků vodivou -vrstvou nakonclenzovanolu na povrchu se systémem...