H01L 29/00

Obojsmerný spínač využívajúci inverzný režim činnosti MOSFET tranzistorov

Načítavanie...

Číslo patentu: U 6899

Dátum: 03.10.2014

Autori: Špánik Pavol, Praženica Michal, Radvan Roman, Dobrucký Branislav, Kaščák Slavomír

MPK: H01L 29/739, H03K 17/00, H01L 29/00...

Značky: spínač, obojsmerný, inverzný, činnosti, mosfet, tranzistorov, režim, využívajúci

Text:

...celý spínač. V porovnaní s ostatnými zapojeniami má zapojenie s integrovanou diódou menšie straty vďaka jej integrácii do štruktúry tranzistora. Ďalšie zníženie strát je možné dosiahnuť použitím nového typu obojsmemého spínača, ktorý je zložený z dvojice MOSFET tranzistorov ~ obrázok 4.Obojsmemý spínač využívajúci inverzný režim činnosti MOSFET tranzistorov tvorí dvojica tranzistorov,ktorých elektródy S sú spojene v jednom uzle spolu s...

Spôsob nevákuovej technológie prípravy supertenkých a subatomárnych vrstiev polovodičového oxidu cínu

Načítavanie...

Číslo patentu: 284420

Dátum: 07.03.2005

Autor: Rákos Jaroslav

MPK: C30B 25/06, H01L 29/00, C30B 25/00...

Značky: technológie, spôsob, přípravy, cínu, vrstiev, supertenkých, polovodičového, subatomárnych, nevákuovej, oxidů

Zhrnutie / Anotácia:

Postup slúžiaci na prípravu vrstiev oxidov nízkoatomárnej a subatomárnej štruktúry, využívajúci východiskové chemické látky vymedzeného zloženia, pri ktorom sa vykoná pyrolytické nanášanie aerosólu na ohrievanú podložku. Aerosól pozostáva z rozpúšťadla alebo emulgátora, hlavnej zlúčeniny - chloridu, donátora a doplnku slúžiaceho ako entalpický stabilizátor. Nevákuová technológia umožňuje veľkoplošné homogénne aplikácie. Aj subatomárne vrstvy...

Tyristor s vlastní ochranou proti přepětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 244934

Dátum: 15.07.1988

Autor: Ludwig Vilém

MPK: H01L 29/00

Značky: přepětí, ochranou, tyristor, vlastní, proti

Text:

...v článku Temperature Dependence of Avalanche Multíplícatíon on Semíconductors autorů Crowell a Sze, Appl. Phys. Lett. 9, 242, 1966. Lavínová průnazné napětí se tedy snižuje současně s poklesom teploty. Když je tyristor opatřen zesilovací řídící oblastí 34, jak ukazuje obr. 1, touto částí obvykle neteče pr-oud a vzrůst teploty této části je menší než v ostatních vrstvách polovodíče. Protože doba životnosti minorítních nosičů náboje v této...

Uspořádání kontaktů výkonového tranzistoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 245241

Dátum: 01.07.1988

Autori: Skatteböl Lars, Lerajovska Lambrina Nikolova

MPK: H01L 29/00

Značky: tranzistorů, uspořádání, kontaktů, výkonového

Text:

...k přívodnímu kontaktu funkční emitorové oblasti největší a postupně se zmenšuje s rostoucí vzdálenosti ostatních míst proužkového uspořádání struktury od místa přívodního kontaktu k funkční emitorové ob~ lasti.Proužkové otvory v krycí oxidové vrstvě pod souvislým metalizovaným kontaktem k bázové oblasti jsou vytvořeny soustavou vzájemné oddělených jednoduchých geometrických obrazců, například obdélníků, jejichž plocha je nejmenší a...

Polovodičový prvek s tlačným kontaktem

Načítavanie...

Číslo patentu: 244676

Dátum: 15.04.1988

Autori: Matal Oldoich, Bár Jaromír

MPK: H01L 29/00

Značky: prvek, tlačným, polovodičový, kontaktem

Text:

...Velká množství malých oblastí 5 | na způsob ostrůvkd, ktoré tvoří katodu prvku, je upraveno do soustřednjch kroužků. Z každého kroužku je zakresleno pro zjednodušení pouze několik oblastí 5. Jak bylo uvedene, mají oblasti 51 přibližně stejný tvar a velikost, takže počet oblastí 51 ležících u prostředlcu 25 substrátu 51 musí být menší než počet těchto oblastí na obvodu substrátu, protože jink se nepodarí je vzájemné oddělit. Úhel mezi...

Zapojenie záťaže spínanej tranzistormi

Načítavanie...

Číslo patentu: 235266

Dátum: 01.10.1987

Autori: Slávik Ivan, Kučera Václav

MPK: H01L 29/00

Značky: záťaže, spínanej, zapojenie, tranzistormi

Zhrnutie / Anotácia:

Zapojenie záťaže spínanej tranzistormi, pri ktorom sa záťaž rozdelí na niekoľko častí a spínacie tranzistory sa zapoja medzi jednotlivé častí záťaže. Týmto zapojením sa dosiahne priaznivejšie rozdelenie napätia na tranzistoroch pri prechodných spínacích javoch. Zapojenie sa dá použiť v impulzných napájacích zdrojoch a iných elektrických obvodoch, kde je možné rozdeliť záťaž na niekoľko častí. Vynález charakterizuje, obrázok priložený k popisu.

Polovodičové zařízení

Načítavanie...

Číslo patentu: 251097

Dátum: 11.06.1987

Autori: Van De Pol Daniel Frans Josefina, Van Den Bossche Luc Jozef Louis, Remmerie Guido Petrus Theopiel Constant

MPK: H01L 29/00

Značky: polovodičové, zařízení

Text:

...má podlouhlý povrch, který není tak vhodný pro vytvoření optimálního povrchového naplnění, když se kombinuje s větším počtem takových spínacích obvodů a s řídicími o-bvody v podstatě čtvercovými, přičemž je třeba mít na zřeteli, že spínací obvody musí být spojeny se svorkavými čipy umístěnými podél délky čipu.Z toho důvodu bylo konstruováno výhodné druhé provedení, které zabírá povrch V podstatě čtvercový a má ještě menší emitorový odpor...

Diskrétní polovodičová součástka MIS

Načítavanie...

Číslo patentu: 249002

Dátum: 12.03.1987

Autor: Janda Martin

MPK: H01L 29/00

Značky: polovodičová, součástka, diskrétní

Text:

...prehového napětí na obě její řídící elektrodyo Navzájem asymetricky nerovnoměrné tlouštky izolantů g a 2 vytvářejí / oproti jejich rovnoměrným tlouštkám / mnohem příznivější podmínky k zameeení vytvoření svodových inverzních oblastí pod izolanty g e 2 při přiložení prahového napětí na obě řídící elektrody L a Q .Při přiložení prahového napětí na ohě řídící elektrody 1 a Q nedojde k žádným poeunům menšinových nosičů náboje, obsažených v...

Zapojení elektronického teploměru

Načítavanie...

Číslo patentu: 249450

Dátum: 12.03.1987

Autor: Lysenko Vladimír

MPK: G01K 7/16, H01L 29/00

Značky: elektronického, zapojení, teploměru

Text:

...konvertoru je pŕipojene sériová kombinace třetího rezistoru s první diody monolitické dvojice, jejíž druhá dioda je spojene nosi první a spoločnou avorkou negativního imitančního konvertoru, jehož první svorka je dále pripojene na invertujíoí vstup mäřícího zesilovače, přičemž na neinvertující vstup měřícího zesilovače je připojena výstupní svorka negativního imitanšního konvertoru a na výstup měřícího zesilovače je připojena výstupní...

Vícevrstvová polovodičová součástka s ochrannou strukturou proti přepětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 231393

Dátum: 01.03.1987

Autori: Kalenda Libor, Muller Ilja, Homola Jaroslav, Školník Václav, Pína Bohumil

MPK: H01L 29/00

Značky: součástka, proti, polovodičová, přepětí, vícevrstvová, strukturou, ochrannou

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká vícevrstvé polovodičové součástky s ochrannou strukturou proti přepětí, obsahující vrstvu základního polovodičového materiálu mezi dvěma vnějšími vrstvami opačného typu vodivosti vzhledem k základní vrstvě. První vnější vrstva má kontakt s první hlavní elektrodou. Druhá vnější vrstva má kontakt jednak s řídicí elektrodou a jednak v řadě diskrétních míst, t.z. mikrosvodů s hlavní elektrodou. K druhé vnější vrstvě přiléhá řízená...

Diskrétní polovodičová součástka MIS

Načítavanie...

Číslo patentu: 237002

Dátum: 15.02.1987

Autor: Janda Martin

MPK: H01L 27/00, H01L 29/00

Značky: diskrétní, součástka, polovodičová

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká číslicové polovodičové elektroniky, a řeší problematiku zvýšení integračních a tím i rychlostních a příkonových parametrů polovodičových logických obvodů, realizujících logické funkce EXCLUSIVE-OR a EXCLUSIVE-NOR, které realizuje samostatně polovodičová součástka struktury MISIM (řídicí elektroda (1) - izolant (2) - polovodičová vrstva (7) s polovodičovými vrstvami spojenými s elektrodami (3) a (4) - izolant (5) - řídicí...

Diskrétny kremíkový MOSFET tranzistor so zníženou výstupnou a vstupnou kapacitu

Načítavanie...

Číslo patentu: 248234

Dátum: 12.02.1987

Autori: Hrčka Igor, Šatala Zoltán

MPK: H01L 29/00

Značky: křemíkový, výstupnou, kapacitu, tranzistor, mosfet, zníženou, vstupnou, diskrétny

Text:

...MOSFET tranzistorov obklopuje hra-dle kontakt kolektora vo vzdialenosti niekjolko m, čo spôsobuje pri m-on 4taži ekraty kolektora a hradla. Z tohoto dôvodu sú preto klaidené vysoké nároky na montáž, alebo na plochu nkontaiktovacej plochy a tým na plochu kolektora.V prípade integrovaných ochranných dlod sú u súčasných MOSFET tranzistorov zvłlášt prívody od lkontaktovaoej plochy ku hradlu a zvlášť .k ochrannej udrióde, ~č~o sposobuje...

Řídicí polovodičový prvek

Načítavanie...

Číslo patentu: 237971

Dátum: 15.09.1986

Autor: Wagner Siegfried

MPK: H01L 29/00

Značky: polovodičový, prvek, řídící

Zhrnutie / Anotácia:

Řídicí polovodičový prvek pro řízení výkonu při malém řídicím příkonu, například jako spojovací člen elektronických bloků při zpracování dat se řídicími silovými obvody a také pro použití při předávání signálů, zejména u telefonních spojů. Cílem řešení je zjednodušení výkonového řídicího obvodu ve srovnání s obvyklými řídicími tyristorovými obvody a zároveň zlevnění výkonového elektronického zařízení. Úlohou řešení je sestavení řídicího...

Výkonová polovodičová dioda s vysokou zatížitelností v závěrném směru

Načítavanie...

Číslo patentu: 231491

Dátum: 15.06.1986

Autori: Kalenda Libor, Školník Václav, Pína Bohumil, Homola Jaroslav

MPK: H01L 29/00

Značky: dioda, vysokou, výkonová, závěrném, zatížitelností, polovodičová, směru

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové diody s vysokou zatížitelností v závěrném směru. Dioda je tvořena dvěma integrovanými strukturami, z nichž jedna obsahující čtyři vrstvy střídavě opačného typu vodivosti je Vytvořena ve Vnitřní části plochy polovodičového systému, zatímco okrajová část polovodičového systému, ve které Vysokonapěťový PN přechod Vystupuje na povrch, je tvořena strukturou se dvěma vrstvami vzájemně opačného typu vodivosti....