H01L 21/02

Usporiadanie obvodov so spojovacím zariadením a spôsob jeho výroby

Načítavanie...

Číslo patentu: E 6575

Dátum: 19.01.2008

Autori: Braml Heiko, Beckedahl Peter, Heilbronner Heinrich, Göbl Christian

MPK: H01L 21/02

Značky: usporiadanie, spojovacím, obvodov, spôsob, zariadením, výroby

Text:

...usporiadaný izolačný materiál medzi okrajom polovodičového konštrukčneho prvku a spojovacím zariadením.0008 Dokument W 0 O 3/030247 A 2 uverejňuje ako spojovacie zariadenie podložky s polovodičovým konštrukčným prvkom na nej laminovanú izolačnú fóliu s kontaktnými vybraniami. Na to sa izolačna fólia pod vákuom laminuje v jednej rovine na podložkua na polovodičový konštrukćný prvok a nadväzne sa. odstrániizolačná fólia z potrebných kontaktných...

Spôsob elektrickej izolácie podložky výkonového polovodičového modulu

Načítavanie...

Číslo patentu: E 4038

Dátum: 26.04.2005

Autori: Augustin Karlheinz, Göbl Christian

MPK: H01L 21/02, H01L 23/16

Značky: výkonového, polovodičového, izolácie, podložky, elektrickej, spôsob, modulu

Text:

...plochu tvorí podložka, ktorá pozostáva z jednej izolačnej vrstvy a najmenej jednej na nej umiestnenej kovovej vrstvy, ktorá je privrátenú k vnútrajšku výkonového polovodičového modulu. Táto kovová vrstva môže byť štruktúrovaná a tvorí najmenej jednu vodivú dráhu výkonového polovodičového modulu. Na tejto vodivej dráhe je umiestnený najmenej jeden výkonový polovodičový konštrukčný prvok a je zapojený s najmenej jedným smerom von vedúcim...

Spôsob výroby výkonových polovodičových modulov s neohybnou základnou doskou

Načítavanie...

Číslo patentu: E 6035

Dátum: 19.06.2004

Autori: Manz Yvonne, Steger Jürgen, Jäger Harald, Rüger Herbert, Matthes Jürgen

MPK: H01L 23/34, H01L 23/48, H01L 21/02...

Značky: polovodičových, neohybnou, základnou, výkonových, výroby, modulov, doskou, spôsob

Text:

...s priečnou rozťažnosťou podstatne väčšou pozdĺžnou rozťažnosťou, majú tak podľa stavu techniky alebo nevýhodu hrubšej základnej dosky, alebo konkávny priehyb tenšej základnej dosky.0007 Predložený vynález si preto kladie za úlohu predstaviťspôsob výroby výkonového polovodičového modulu, pri ktorom jepri danej hrúbke základnej dosky zvýšená tuhosť V ohybe V pozdĺžnom smere.0008 Táto úloha sa rieši spôsobom výroby výkonového polovodičového...

Způsob výroby křemíkových desek s gestující úpravou zadní strany

Načítavanie...

Číslo patentu: 267877

Dátum: 12.02.1990

Autor: Václavík Martin

MPK: H01L 21/02

Značky: gestující, zadní, způsob, desek, úpravou, výroby, křemíkových, strany

Text:

...strany zhotovené podle vynálezu mají prodloužený getrační účinek i po dlouhodobém teplotním a jiném zpracování a zvyšují výtěžnost na nich vyrobených součástek. Hlavní príčinou tohoto zlepšení je vrstva nevyžíhaných oxidů křemíku na rozhraní mono-polykrystalícký křemík. Tato vrstva se v průběhu teplotního zpracování desek rozpadá a vytváří precípítační zárodky pro růst sekundârních defektů, které prerůstají v dislokační sít. Napomáhá tomu i...

Technologická pozice pro zpracování substrátů při výrobě polovodičů

Načítavanie...

Číslo patentu: 263218

Dátum: 11.04.1989

Autor: Raška Stanislav

MPK: H01L 21/02

Značky: polovodičů, substrátů, výrobe, technologická, zpracování, pozice

Text:

...válce s převlečnou odpadní miskou.Výhodou řešení podle vynálezu je miniaturizace nezbytná pro automatizované a robotizovaná pracoviště, vysoká spolehlivost,snadné údržba a výrazně nižší pořizovací cena.Technologická pozice pro zpracování substrátů podle vynálezu je popsána pomocí příkladu na připojeném výkresu, kde je znázorněn řez konkrétní úplnou sestavou V reálných rozměrech. Motor 1 je umístěn ve vakuovém pouzdře Q, vakuová...

Způsob výroby tenkých vrstev oxidu křemíku

Načítavanie...

Číslo patentu: 245935

Dátum: 01.07.1988

Autori: Bergmann Gerhard, Schade Hubert

MPK: H01L 21/02

Značky: tenkých, křemíku, oxidů, výroby, vrstev, způsob

Text:

...pracovním cyklu libovolné kombinace vrstev chemicky a plasmochemicky deponovaného oxidu křemíku. Přitom oba druhy vrstev lze dotovat fos jforem nebo bőrem nebo oběma prvky současně zavedením fosfínune bo diboranu nebo obou dopantů současně do reaktoru zařízení, přičemž oba dopanty mohou být ředěny inertním plynem, popř. fosfín ředěn silanem.Příklad využití vynálezu lze uvést při chemické depozici vrstev oxidu křemíku na křemíkové destičky...

Způsob orientovaného dělení křemíkových desek

Načítavanie...

Číslo patentu: 245231

Dátum: 01.07.1988

Autori: Perner Bohumil, Skoíeil Jaroslav

MPK: H01L 21/02

Značky: desek, křemíkových, způsob, orientovaného, dělení

Text:

...na ocelové destičky. Po vykroužení nelze bezprostředně provádět kontrolu kvality. Při vykružování dochází k zatékání brusné suspenze do mezery mezi ustavovacími kolíky a odpovídajícímiJ,j 245 231 otvory v podložce. Opotřebením dochází ke snižování přesností orientace. . 1 Uvedené nevýhody odstraňuje způsob dělení křemíkovýchdesek ultrazvukovýmvrtáním podle vynálezu, jehož podstate spočívá V tom, že sklo s natmelenou kŕemíkovou deskou je...

Způsob repase molybdenových dilatačních elektrod

Načítavanie...

Číslo patentu: 239997

Dátum: 01.02.1988

Autori: Vymital Jan, Makal Rudolf, Blažek Ivo, Macourek Vladimír, Oddušek Eestmír, Camfrla Jan

MPK: H01L 21/02

Značky: molybdénových, elektrod, repase, způsob, dilatačních

Text:

...hliníková pijky. kyslidníku nolybdouičitőho a silioidu nolybdonu. loptaoí prooos.nasi zabospočit dokonnlő odstranöní uvodonýoh vrstov, nininünł ihir natoriüu dnataöní oloktrody - nolybdonąa tudíi dosaioní nininíłlní drnosti oloptsućho povrchu.üoohny dosud pouiívunł loptaoí postupymspříklad na biliolksliokýoh loptudol, snsnouají nohonogonní odloptioí vrstvy pdjky a nítavu, případně vodou ko anačndnn úbäru čistého nolybdoö su,a tudíł ko...

Spôsob pasivácie polovodičových prvkov

Načítavanie...

Číslo patentu: 247009

Dátum: 15.01.1988

Autori: Taraba Oldoich, Valenta Jioí

MPK: H01L 21/02

Značky: spôsob, prvkov, polovodičových, pasivácie

Text:

...vrstvami. Na takto vytvorený PN prechod sa pred nanesením metalickej vrstvy ohmickeho kontaktu narastie dotovaná vrstva polykryštaliekéhv alebo amortného kremíka. Táto vrstva musí byt súhlasneho typu vodivosti ako dlfúzna alebo implantovaná vrstva vytvárajúca PN prechod. Polykryštalická alebo amorľná.kremíklová vrstva musí pritom prekrývat základnú jnasivačnú vrstvu až za difúznealebo implanntovanê vrstvy vytvárajúce PN...

Zařízení na statické pájení polovodičových součástek

Načítavanie...

Číslo patentu: 236343

Dátum: 01.01.1988

Autori: Machala František, Dokoupil Josef

MPK: H01L 21/02

Značky: zařízení, součástek, polovodičových, pájení, statické

Zhrnutie / Anotácia:

Podstata vynálezu spočívá v tom, že sestává z pájecího stojánku, v němž jsou provedeny tři otvory pro uložení pájených polovodičových součástek a ze závaží pro vyvození definovaného tlaku na polovodičovou součástku tvořeného tělesem závaží, v němž jsou otvory uspořádané souose s otvory v pájecím stojánku. V otvorech tělesa závaží jsou posuvné vložky s nasazenými přítlačnými grafitovými destičkami nebo kroužky. Mezi posuvnými vložkami a zátkami...

Spôsob výroby viackomponentných polovodičových materiálov pre senzory fyzikálnych a chemických veličín

Načítavanie...

Číslo patentu: 246305

Dátum: 15.12.1987

Autori: Reh Lothar, Folliot Albert

MPK: H01L 21/02

Značky: senzory, chemických, fyzikálnych, výroby, spôsob, veličin, materiálov, polovodičových, viackomponentných

Text:

....podľa vynálezu a ich následného použitia na prípravu senzorov fyzikálnych a chemických veličín je, že ich priamo získavame vo forme semonosných vlákien, pások, fólií, »alebo vrstvových štruktúr odpovedajúcich stechiovmetrickému zloženiu, .ak je východzia tavenina tiež v stechiowmetric-kom zložení, pričom majú p-olovvodičové vlastnosti odpovedajúce monokryštalickým materiálom. Ďalšou prednosťou je jednoduchosti a podstatné skrátenia...

Spôsob riadenia vertikálnej štruktúry varikapov

Načítavanie...

Číslo patentu: 245520

Dátum: 15.12.1987

Autori: Plecháeek Václav, Slavík Vlastimil, Dobrovolný Jan

MPK: H01L 21/02

Značky: vertikálnej, riadenia, varikapov, struktury, spôsob

Text:

...pracovnom režime sa experimentálne overí rozptyl odporu epltaxnej vrstvy a jeho rozloženie na grafitovej podložka. Hodnota odporu epitaxných dosiek sa určuje z pilotnej kremíkovej dosky tak, že Pilotná kremiková doska sa spracuje na diódy a presná hodnota špecifického odporu sa určuje z priebehu koncentračného pro 4filu. Podľa výsledkov nameranej hodnoty špecifického odporu pilotoveľ kremíkovej dosky sa extrapoláciou priraďuje...

Způsob fixace polovodičových prvků na podložku založený na použití nízkoviskozních tmelů

Načítavanie...

Číslo patentu: 241935

Dátum: 01.12.1987

Autor: Rambuský Zdinek

MPK: H01L 21/02

Značky: založený, použití, podložku, polovodičových, tmelů, způsob, prvků, fixace, nízkoviskózních

Text:

...prvku se nejprve nanese tmel, ze které ho se otáčaním prvku vytvoří vrstva, jež se dále vysuší a poté následuje fixace polovodičověho prvku na podložku pájecím zařízením při teplotě 12045/250 °C.Nanášením tmelu na část povrchu polovodičového prvku rotací se docílí homogenní vrstvy tmelu, jejíž tlcuštku lze přesně regulovat rychlostí otáčení. Záměrným vysušením tmelu odpadnou problémy se změnou viskozity tmelu a při dalším zpracování...

Způsob vytváření propojovací metalizační sítě

Načítavanie...

Číslo patentu: 241874

Dátum: 01.12.1987

Autori: Rumlová Lubomíra, Ruml Milan

MPK: H01L 21/02

Značky: vytváření, sítě, metalizační, způsob, propojovací

Text:

...i bariérová vrstva titanwolframu. Po naprášení dvouvrstvy titanwolfram - slitina AlSiCu a jejím vytvarování přes masku je blok operací vytváření metalizační sítě ukončen.Výhodou způsobu podle vynálezu je zabránění vytvoření silicidu platiny Ptsí v emitorech a tím i odstranění problémů souvisejících s nereprodukovatelnou velikosti proudového zesilovacího činitele. Uvedený způsob je produktivní, reprodukovatelný a dále umožňuje vytvoření...

Spôsob výroby mostíka premennej hrúbky pre rádiofrekvenčný SQUID

Načítavanie...

Číslo patentu: 242334

Dátum: 15.11.1987

Autori: Dostál Jan, Sýkora Jan, Straka Jaromír

MPK: H01L 21/02

Značky: premennej, rádiofrekvenčný, hrúbky, spôsob, mostíka, výroby, squid

Text:

...teplotnej oblasti, a výbornou mechanickou odolnostou, vysokou životnosťou snímača ako aj možnosťou optimalizovania väzobných prvkov s vonkajšími elektronickými obvodmi.Na pripojenom výkrese, a to na obr. 1 je v profile znázornený postup prípravy jednotlivých úrovní snímača. Základná kremíková podložka 1 je pokrytá vrstvou oxidu kremičitého 2, na ktorý sa naniesla vrstva nióbového supravodiča 3 a elektrónového rezistu 4. Obr. 2 a...

Spôsob výroby veľmi rýchlej výkonovej diódy

Načítavanie...

Číslo patentu: 244978

Dátum: 15.11.1987

Autor: Pliskanovskij Stanislav Tichonovie

MPK: H01L 21/02

Značky: velmi, výroby, spôsob, rýchlej, diody, výkonovej

Text:

...výstupné napätia napájacích zdrojov len do maximalne 10 V.Uvedené nevýhody stávajúceho stavu techniky je možné v značnej miere znížiť použitím spôsobu výroby velmilrýchlej výkonovej diody s nízkym übytkom napätia v pred 4nom smere podľa vynalezu, ktorého podstata spočíva v tom, že kremíková epitaxná doska o štruktúre NNP sa zo sp-odnej strany zbrúsi k zaisteniu vysokého getračného účinku pre vysokoteplotné operácie. Po následnom nadifundovaní...

Spôsob difúzie do lesklých polovodičových povrchov

Načítavanie...

Číslo patentu: 243919

Dátum: 15.11.1987

Autori: Sládek Milan, Bláha František, Suchodol Rudolf

MPK: H01L 21/02

Značky: difúzie, spôsob, lesklých, polovodičových, povrchov

Text:

...kvapalné difúzanty .použiteľné, pretože členitá štruktúra povrchu znižuje toto povrchové napätie do takej miery, až dôjde k -dostatočnémzu kontaktu medzi difúzantom a povrchom.Podstata navrhovaného spôsobu spočíva v tom, že do difúznelho roztoku tvoriaceho kvapalný difúzant, ako napriklad H 3 PO 4 alebo B 2 O 3 v etylalkohole sa pridá inertný prášok, ktorý po zamiešaní vytvorí s rozt-okomditúznu zmes. Prášok môže byt napríklad kysličník...

Zařízení pro kontaktování vývodních drátů tranzistorových patek

Načítavanie...

Číslo patentu: 245615

Dátum: 15.10.1987

Autori: Maršo Jindoich, Schneider Gerhrd

MPK: H01L 21/02

Značky: patek, zařízení, vývodních, tranzistorových, drátu, kontaktování

Text:

...kontaktu musí být větší než je hloubka zasunutí vývodních drátů, aby nedochízelo ke styku vývodních drátů se dnem dutiny.Průměr válcověho otvoru musí být větší ne je průměr kružnice opsaně svazku vývodních drátů tak, aby umožňoval jejich zasunutí do válcového otvoru. Dutina musí mít naváděcí kužel,který má takový vrcholový úhel a jakost povrchu, aby umožnil spolehlivá navedení vývodníchdrátů do válcového otvoru.Přechodová plocha mezi...

Epitaxní reaktor

Načítavanie...

Číslo patentu: 237194

Dátum: 01.10.1987

Autori: Veselý Zdeněk, Mikyška Josef, Slezák Jiří

MPK: H01L 21/02, C30B 35/00

Značky: reaktor, epitaxní

Zhrnutie / Anotácia:

Epitaxní reaktor konstruovaný úsporně co do použitého materiálu i co do prostoru, s možnosti snadné měnitelnosti dynamiky reaktoru. Umožňuje použít jednoduché křemenné trubice. Používá výstupní příruby jako chladiče odpadních plynů. Měnitelnost dynamiky reaktoru je dána řešením vstupní příruby jako plynové komory, ze které je reakční směs rozváděna do reaktoru systémem překryvných děrovaných plechů. Měnitelným vzájemným nastavením těchto plechů...

Zariadenie na vypichovanie čipov polovodičových prvkov

Načítavanie...

Číslo patentu: 242487

Dátum: 15.09.1987

Autori: Iovlev Vladimir Alexejevie, Daševskij Grigorij Isaakovie

MPK: H01L 21/02

Značky: polovodičových, čipov, vypichovanie, zariadenie, prvkov

Text:

...k stredu telesa 1, pričom otvory 18 orientovať okolo týchto ihiel.Obr. 3 znázorňuje vypichovacie zariadenie pri pôsobení vákua, čim došlo k zmene polohy mebrány 2 a tym k pohybu vypichovacej ihly 8 -do vysunutej polohy.Funkcia zariadenia podľa vynálezu je na sledujüca cez koncovku 9 sa privádza vá kuum do telesa 1 a tým do vákuovej dutiny 11, z ktorej cez otvory 18 pôsobí na fóliu,ktorá má .na sebe prichytene rozčlenené čipy polovodičových...

Značkovacie zariadenie súčiastok, najmä tranzistorov

Načítavanie...

Číslo patentu: 241342

Dátum: 15.09.1987

Autori: Votava Vladimír, Ježek Karel, Veselý Ivan

MPK: H01L 21/02

Značky: súčiastok, zariadenie, najmä, značkovacie, tranzistorov

Text:

...to je značenie tranzistorov, vytvrdenie znaku a balenie do .sáčkov v priamej náväznosti.Značkovacie zariadenie súčiastok najmä tranzistorov, je príkladne znázornená na pripojených výkresoch, kde na obr. 1 je nakreslené zariadenie v náryse, na obr. 2 je nakreslený pôdorys z obr. 1, na obr. 3. jenakreslený dávk-ovací kotúč vo zväčšenej mierke, na obr. 4 je nakreslený bokorys z obr. 3, na obr. 5 je nakreslený rez vytvrdzovacím...

Způsob přípravy kontaktní vrstvy na P typu polovodičových látek skupiny A .sup.III.n.B .sup.V.n.

Načítavanie...

Číslo patentu: 246176

Dátum: 15.09.1987

Autori: Tlustý Jioí, Urban Ivan

MPK: H01L 21/02

Značky: způsob, sup.iii.n.b, polovodičových, přípravy, vrstvy, sup.v.n, látek, kontaktní, skupiny

Text:

...zinek Zn dochází během vtavení ke zpêtné difuzi zinku Zn skrze kontaktní vrstvu ven, což může způsobit elektrickou degradeci kontaktu a obtíie při temnokompresi. Na povrchu kontaktu se vytvoří kysličník zinečnatý ZnO ztäžující přihodování kontaktovacího drátku.Vyše uvedená nedostatky jsou odstranäny způsobem přípravy ohmická kontaktní vrstvy podle vynálezu, jehož podstatou je vskuovd usnesení vrstev titanu Ti n hliníku Al,popř. titenu...

Zapojenie zariadenia pre kontaktovanie výkonových tranzistorov

Načítavanie...

Číslo patentu: 240548

Dátum: 15.08.1987

Autori: Symer Toomas Edgarovie, Vejsserik Jurij Arturovie

MPK: H01L 21/02

Značky: tranzistorov, kontaktovanie, zariadenia, zapojenie, výkonových

Text:

...uložená v unášači. Dalšou výhodou je to, že obsluha zariadenia pri nastavovani krokovacieho zariadenia so sériou tranzistorov, uložených v unášači môže na zváčšenom obraze polohy tranzistora, podľa kontrolných bodov na monitore, nastavit krokovacie zariadenie do správnej polohy.Na pripojenom výkrese je znázornená príkladné riešenie zapojenia zariadenia pre kontaktovanie výkonových tranzistorov v seriách, kde je nakreslená jeho bloková...

Způsob vytvoření polovodivé vrstvy

Načítavanie...

Číslo patentu: 236143

Dátum: 01.08.1987

Autori: Weidner Miroslav, Kříž Josef, Kopecký Josef, Ladnar Josef, Kerhart Jaroslav, Mach Jaroslav, Urbanec Jan, Benc Ivo

MPK: H01L 21/02

Značky: polovodivé, vytvoření, vrstvy, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká způsobu vytvoření polovodivé vrstvy Si, Si0n, Si3N4 na křemíkové součástce, deposici této vrstvy při rozkladu silanu ve vodíku. Vynález řeší zlepšení definovatelného vytváření polovodičových vrstev použitím výhodnější nosné podložky deponované součástky. Podstata vynálezu spočívá v tom, že deponovaná křemíková součástka leží při depozici na nosné podložce zhotovené z křemíku o čistotě, odpovídající čistotě deponované křemíkové...

Spôsob výroby kryštalických polovodičov a zariadenie na vykonávanie tohto spôsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 251544

Dátum: 16.07.1987

Autori: Duhaj Pavol, Červenák Ján Člen Korešpondent

MPK: H01L 21/02

Značky: tohto, polovodičov, spôsob, zariadenie, vykonávanie, spôsobu, výroby, krystalických

Text:

...materiálu.Prexdnostou vynálezu je rýchlosť prípravy kryštalických materiálov a ekonomická nenáročnosť.Na pripojených výkresoch sú znázornená schematicłké usporiadania zariadení na pripravu kryštalických polovodičov, kde naobr. 1 je znázornená usporiadanie, v ktorom rotujúci valec je z mo-nokryštálu, na vobr. z je znázornená dvojica proti sebe rotujúcich monokryštali-ckých valcov, na obr. 3 je rotujú-cim telesom zreza-ný kužel,...

Způsob výroby výkonové diodové struktury

Načítavanie...

Číslo patentu: 240040

Dátum: 01.06.1987

Autori: Antoš Kamil, Hodul Pavel, Košturiak Adam, Zentko Anton, Streeanský Michal, Markušovská Elena

MPK: H01L 21/02

Značky: diodové, výkonové, struktury, způsob, výroby

Text:

...křemíková deakala povrchem opracovaným řezéním z monokryatalu křemíku,ee jednostranné oleptá, dále se provede difnze hliníku z vrstvy difuzautu naneseného na neoleptanou stranu křemíkové desky při teplotě 1250 i 20 ° c po dobu maximálně 25 nad poté následuje oboustranná difuze fosforu při teplotě 1200 až 125 o° c po dobu maximálně 3 hod., načež se křemíková deska epájí nastraně nadifundované hlinikem s molybdenovou dilataění elektrodou...

Způsob výroby výkonových velkoplošných polovodičových struktur

Načítavanie...

Číslo patentu: 240039

Dátum: 01.06.1987

Autori: Kuželka Jozef, Hodál Gustáv, Kuželka Miroslav, Staoo Viktor, Švajlen Milan, Jurák Július

MPK: H01L 21/02

Značky: výroby, polovodičových, výkonových, způsob, struktur, velkoplošných

Text:

...standartním fotolitograrickým postupom. Případně je možné oboustranně nadifundovanou N vrstvu jednostranné oleptst, přičemž je nutné druhou stranu překryt alespoň fotorezistem. Oba způsoby jsou značně pracné.Tuto nevýhodu odstraňuje způsob výroby výkonovych velkoplošných polovodičovych struktur podle vynálezu, jehož podstatou je,že do křemíkově vrstvy se nadifunduje fosfor při teplotě 1230 až125 o° c po dobu 0,5 až 2 hod., načež v některé z...

Způsob výroby fotolitografické masky výkonové polovodičové součástky

Načítavanie...

Číslo patentu: 243318

Dátum: 15.05.1987

Autori: Chrz Vladimír, Gerhard Václav, Štryncl Vladimír, Dürrer Milan

MPK: H01L 21/02

Značky: polovodičové, masky, fotolitografické, součástky, výroby, výkonové, způsob

Text:

...polovodičové součástky podle vynálezu, jehož podstatou je, že na upravený povrch si destičky se nanese âávka chemicky upraveného fotoresistu. Po jeho samovolném rozprostření se vznikla vrstva pracuje obvyklým způsobem. Fotorssist je opatřen płídavkem rozpouštědla fotoresistu a organické látky s nízkým povrchovým napätím.Uvedeným způsobem výrobyfotolitografické masky výkonové polovodičové součástky pomoci chemicky upraveného fotoresistu...

Sposob výroby polvodičového systému pre epitaxnú mesa diódu

Načítavanie...

Číslo patentu: 250594

Dátum: 15.04.1987

Autori: Stančík Milan, Klein Ladislav

MPK: H01L 21/02

Značky: systému, spôsob, diódu, polvodičového, výroby, epitaxnú

Text:

...tlaku LPCVDJ, kde sa predpokladá vertikálne uloženie kremíkových dosiek v zásobníku. Uloženie vyhovuje požiadavkámpre hromadnú technológiu. Jeho nevýhodu je rovnaká ako použitie termických oxidov. Vznikajú taktiež na nežiadúcich plochách kremíkových d-osiek.Z týchto dôvodov sa v niektorých prípadoch od použitia ochranných oxidov upúšta. Volí sa druhý spôsob riešenia problému. Vzniknutá, nadiľundovana, nežiadúca vrstva sa odstraňuje...

Výkonová polovodičová součástka pro vysoká závěrná a blokovací napětí

Načítavanie...

Číslo patentu: 232182

Dátum: 01.04.1987

Autori: Školník Václav, Muller Ilja, Homola Jaroslav, Pína Bohumil, Hartman Jan, Pojman Pavel

MPK: H01L 21/02

Značky: závěrná, blokovací, napětí, součástka, vysoká, výkonová, polovodičová

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká výkonové polovodičové součástky pro vysoká závěrná a blokovací napětí, ve které je vysokonapěťový přechod PN vytvořen ve dvou stupních. První je umístěn v hloubce větší než 30 um uvnitř plochy polovodičové součástky. Druhý stupeň přechodu PN je umístěn na obvodu v okrajové části plochy polovodičové součástky v hloubce 5 až 20 um. Povrchová koncentrace mělkých příměsí ve druhém stupni je nižší než 2.1015 atomů cm-3.

Spôsob výroby krátkokanálového MOS tranzistora

Načítavanie...

Číslo patentu: 232011

Dátum: 01.04.1987

Autori: Beluský Peter, Šatala Zoltán, Remešík Marian, Mikuš Oliver, Hejzlar Josef

MPK: H01L 21/02

Značky: tranzistora, spôsob, výroby, krátkokanálového

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka výroby polovodičových prvkov, špeciálne spôsobu výroby krátkokanálového MOS tranzistora. Vynález rieši spôsob výroby krátkokanálového MOS tranzistora s hradlom z polykryštalického kremíka resp. s hradlom z polykryštalického kremíka a kovu využitím štandardnej 4 až 5 ? fotolitografie. Podstata vynálezu spočíva v izotropnom plazmochemickom leptaní v polykryštalického kremíka a v následnej selektívnej termickej oxidácii štruktúry...

Uzávěr epitaxního reaktoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 249050

Dátum: 12.03.1987

Autori: Slezák Jiří, Mikyška Josef, Veselý Zdeněk

MPK: H01L 21/02, C30B 35/00

Značky: reaktoru, epitaxního, uzáver

Text:

...přihřívá nejvíce ochlazovanou horní část grafitu zpětným zářením. Toto konstrukční řešení umožňuje použít k těsnění rotujícího závěsu grafitu levných a dostupných běžných hřídelových těsnění a současně zabraňuje reakčním zplodinám usazovat se nad zrcadlemo Tyto zplodiny bývají totiž častým zdrojem kontaminaoe křemíkových desek.Připojený výkres znázorňuje v nárysném řezu příklad konkrétního provedení uzávěru vertikálního epitaxního reaktoru...

Zařízení pro hydromechanické mytí křemíkových desek

Načítavanie...

Číslo patentu: 249042

Dátum: 12.03.1987

Autor: Raška Stanislav

MPK: H01L 21/02

Značky: zařízení, mytí, desek, hydromechanické, křemíkových

Text:

...s mycí tryskou, vyústěnou k mycímu stěrači a smáčející křemíkovou desku i mycí stěrač během mytí a oplachu.Výhodou zařízení pro hydromechanické mytí podle vynálezu je snadné a reprodukovatelné mytí hladkých 1 maskovaných křemíkových desek při zachování vysoké čistoty. Pro mytí se spotrebuje minimální množství mycích 1 oplachových prostředků. Minimální rozměry mycího stěrače umožňují jeho použití i během oplachu ke zrychlení dočistění...

Způsob čistění křemenných aparatur

Načítavanie...

Číslo patentu: 233937

Dátum: 01.03.1987

Autori: Dušek Jaroslav, Nováková Miluše, Gabaš Ivan, Zamastil Jaroslav, Stöckelová Jaroslava, Šimko Timotěj

MPK: H01L 21/02

Značky: čištění, křemenných, aparatur, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká způsobu čistění křemenných aparatur pro vysokoteplotní technologické operace v polovodičové výrobě. Podstata tohoto způsobu spočívá v tom, že se křemenná aparatura ohřeje na teplotu o 5 až 100° k vyšší než je teplota technologické operace v této aparatuře prováděné, načež se aparatura proplachuje proudem dusíku polovodičové čistoty o průtoku 2 až 5 litrů/min., nebo proudem vodní páry po dobu 10 hodin. Potom se křemenná aparatura...

Způsob tvarování kovových vrstev pro polovodičové součástky

Načítavanie...

Číslo patentu: 248797

Dátum: 12.02.1987

Autori: Rothbauer Miloš, Novotný Zdeněk

MPK: H01L 21/02

Značky: součástky, kovových, způsob, polovodičové, vrstev, tvarování

Text:

...u kterého by mohlo dojít k narušení energetickými ionty, například u arzenidu galia. V případě polovodičového materiálu, kde narušení nehrozí, se můžeproleptat dielektrická vrstva úplně. Následná použití izotropní metody leptání umožní získání přesně definované hrany profilu pro nanesení a vytvarování kovové vrstvy. Tímto leptánĺm nedojde k poškození povrchu polovodičového materiálu energetickými ionty.V dalším je podrobněji popsána...

Způsob kusového zpracování křemíkových desek

Načítavanie...

Číslo patentu: 248516

Dátum: 12.02.1987

Autor: Raška Stanislav

MPK: H01L 21/02

Značky: křemíkových, desek, zpracování, způsob, kusového

Text:

...v odpadní misoe.- 2 248 516 Výhody způsobu zpracování křemíkových desek podle vynálezu je možno rozdělit na technologické a konstrukční. Technologické zvyšují kvalitu zpracování, případně umožňují zavedení nových technologických kroků. Konstrukční výhodyznanenají snížení rozměrů, ceny a poruchovosti zařízení. Při pokrývání íotorezistem je možno dosáhnout potrebného mírného zesílení fotorezistové vrstvy na okrajích desky, podstatného...

Sposob vytvorenia testovacej štruktúry pre meranie koncentračného profilu prímesí v polovodičoch

Načítavanie...

Číslo patentu: 248248

Dátum: 12.02.1987

Autori: Daniška Vladimír, Doležal Ivan

MPK: H01L 21/02

Značky: koncentračného, polovodičoch, testovacej, struktury, příměsí, spôsob, meranie, profilů, vytvorenia

Text:

...nemu-si udelkórovaný alebo leptaný prechod PN zodpovedať metalurgiokému prechodu. Alternatívna metóda zviditeľnenia prechodu PN je použitie elelktrónovéh-o rastronvacieh-o mikroskopu. spoločným nedostatkom týchto metód je ich nevhddnost pre meranie laterálneho koncentračného profilu.Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje spôsob vytvorenia testovacej štruktúry pre vmeranie koncentračného profilu prímesí v .polovodičoch, ktorého...

Sposob selektívnej implantácie bóru do izolačných oblastí polovodičových substrátov

Načítavanie...

Číslo patentu: 248236

Dátum: 12.02.1987

Autori: Mancel Milán, Kóňa Marián, Hokky Karol

MPK: H01L 21/02

Značky: implantácie, bóru, polovodičových, substrátov, oblastí, izolačných, selektívnej, spôsob

Text:

...halogeni-cly bóru ako fluorid vboritý BFs alebo chlorid boritý B 013. Použitím molekulárnych iónov vhalogenidov bóru sa h-motnosť implantovaných iónov podstatne zväčší, napríklad ión flonildu horitěho BF 2 »má pribľližne 4,5 krát a ión chloridu boritého B 012 7,5 krát väčšiu hmotnost ako ión atomarnehlo bóru, a úmernetomu klesá hĺbka »vniku tónov. Umožní to vynechať prvú vrstvu svetlocitlrivého laku a.namiesto nej použiť »vrstvu nítridu...