Chromik Štefan

Spôsob tvarovania tenkých vrstiev v kryoelektronike s použitím fullerénu C60

Načítavanie...

Číslo patentu: 286586

Dátum: 29.12.2008

Autori: Chromik Štefan, Vincenc Oboňa Jozef

MPK: H05K 3/02, H01L 39/24, G03F 7/027...

Značky: tenkých, spôsob, fullerénu, kryoelektronike, vrstiev, tvarovania, použitím

Zhrnutie / Anotácia:

Pri výrobe štruktúr s využitím tvarovaných tenkých vrstiev YBCO, potrebných pre kryoelektroniku, sa často stáva, že použitá maska v kombinácii s použitým leptadlom nezabezpečí kvalitný výsledok. Objavujú sa chyby nedokonale odleptaných plôch so zvyškami rezíduí, chyby následkom podleptania vytvarovaných motívov atď. Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú optickou litografiou pomocou vákuovej...

Spôsob tvarovania submikrometrových štruktúr v kryoelektronike využitím fullerénu C60

Načítavanie...

Číslo patentu: 286519

Dátum: 12.11.2008

Autori: Chromik Štefan, Vincenc Oboňa Jozef, Kostič Ivan

MPK: H01L 39/14, H01L 39/24, C23C 16/04...

Značky: využitím, fullerénu, submikrometrových, tvarovania, struktur, kryoelektronike, spôsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález rieši výrobu masky z fullerénu C60, ktorý sa nanáša na inverznú masku vyrobenú elektrónovou litografiou, prípadne hlbokou UV litografiou pomocou vákuovej depozície. Pomocou lift-off techniky sa z týchto dvoch vrstiev vyrobí pozitívna maska C60 spôsobilá kvalitne zabezpečiť odprášenie pomocou argónového zväzku.

Spôsob tepelného spracovania vysokoteplotných supravodivých tenkých vrstiev

Načítavanie...

Číslo patentu: 268584

Dátum: 14.03.1990

Autori: Pleceník Andrej, Chromik Štefan, Levársky Ján, Beňačka Štefan

MPK: H01L 39/24

Značky: spracovania, vysokoteplotných, vrstiev, tepelného, spôsob, tenkých, supravodivých

Text:

...teplotách, takze dlfúznymi procesmi dochádza k interakcii podložky a vrstvy. čím sa zhoršujú základné kritické parametre supravodića, najmä jeho krítická teplota a kritická prúdová hustota vrstiev.Zmienenć nedostatky v podstatnej miere odstraňuje spôsob tepelného spracovania vysokotoplotných supravodivých tenkých vrstiev na báze oxidov prvkov vzácnych zemín podla vynálezu,ktorého podstata spočíva v tom, že vrstva sa žíha vo vákuu s...

Spôsob prípravy vysokotepelných supravodivých tenkých vrstiev

Načítavanie...

Číslo patentu: 267358

Dátum: 12.02.1990

Autori: Leverský Ján, Pleceník Andrej, Beňačka Štefan, Chromik Štefan

MPK: H01L 39/24

Značky: supravodivých, tenkých, spôsob, vrstiev, vysokotepelných, přípravy

Text:

...procesu a vybratí vzoriek na laboratórnu atmosféru používať pec s možnosťou prívodu kyslíka do priestoru, kde sa nachádza vzorka.Uvedené nedostatky odstraňuje spôsob príEravy vysokoteplotných supravodivých ten ých vrstiev na báze prvkov vzácnych zemín podľa vynálezu, ktorého podstata spočíva v tom, že vrstvy sa nanášajú kodepozíciou rvkov vzácných zemín pri tlaku kyslíka 10 Pananášania sa vrstvy ponechajú vo vákuovej aparatúre pri...

Justážny znak pre priamu elektrónovú litografiu

Načítavanie...

Číslo patentu: 254170

Dátum: 15.01.1988

Autori: 0, Chromik Štefan, Hudek Peter, Roman Pavol

MPK: B41M 1/42

Značky: priamu, litografiu, justážny, elektrónovú

Text:

...z ťažkotaviteľného kovu, ale stačí,aby materiál mal dostatočnú atomovú hmotnosť.Uvedené nedostatky v podstatnej miere odstraňuje justážny znak pre priamu elektrónovú litografiu podľa vynálezu, ktorého podstata spočíva v, tom, že justažny znak je zložený z adhéznej vrstvy chrómu alebo zliatiny chromniklu a z funkčnej vrstvy antimónu. ustážny znak sa deponuje výhodne termickým odparenĺm vrstiev chrómu alebo chromniklu v tom istom vákuovom...

Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr

Načítavanie...

Číslo patentu: 218176

Dátum: 15.09.1984

Autori: Osvald Jozef, Chromik Štefan

Značky: vytvárania, submikrometrových, struktur, spôsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektromechanických metód ovrstvenia tenších odpovedajúcich štruktúr a odstraňuje nutnosť používať pomerne hrubé vrstvy elektrónových rezistov, ktoré znemožňujú presné vytvorenie obrazcov submikrometrových rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike.

Spôsob prípravy pások submikrometrovej šírky

Načítavanie...

Číslo patentu: 218175

Dátum: 15.09.1984

Autor: Chromik Štefan

Značky: submikrometrovej, šířky, spôsob, přípravy, pások

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález sa týka spôsobu prípravy pások submikrometrovej šírky z rôznych materiálov a tiež jednoduchších elektronických štruktúr, pozostávajúcich z týchto pások, na polovodičových, izolačných, príp. kovových podložkách. Podstata spôsobu prípravy pások submikrometrovej šírky podľa vynálezu spočíva v tom, že na podložku opatrenú schodíkmi sa nanesie pod ostrým uhlom vrstva z ľubovolného materiálu a ďalej sa táto vrstva leptá, kým na stene schodíka...