C30B 9/00

Spôsob výroby monokryštalického prášku Cu(In,Ga)Se2 a slnečného článku s monočasticovou membránou, obsahujúcou tento prášok

Načítavanie...

Číslo patentu: E 801

Dátum: 22.12.2003

Autori: Mellikov Enn, Raudoja Jaan, Geyer Volker, Altosaar Mare

MPK: C30B 29/00, C30B 9/00, C30B 29/10...

Značky: článků, monočasticovou, spôsob, prášok, prášků, cu(in,ga)se2, obsahujúcou, slnečného, membránou, monokrystalického, výroby

Text:

...vynálezu, dosiahli značne vyšší koeficient účinnosti.To by mohlo byť spôsobené nasledujúcimi dôvodúmi0009 Pri známom spôsobe podľa doterajšieho stavu techniky by v dôsledku použitia stechiometrického množstva Cu vzhľadom na Culnseg, ktorý sa má pripraviť, mohol vzniknúť problém, že by sa mohli vytvoriť častice prášku s vysokým obsahom Cu. V týchto časticiach by mohlo dochádzať k fázovej segregácii na stechiometrickú CulnSe 2 a kovovú CuSe...

Zařízení pro výrobu vrstevnatých struktur metodou kapalné epitaxe

Načítavanie...

Číslo patentu: 239204

Dátum: 01.08.1987

Autori: Herrmann Frank Peter, Nohavica Dušan

MPK: C30B 9/00

Značky: struktur, zařízení, kapalné, metodou, epitaxe, vrstevnatých, výrobu

Zhrnutie / Anotácia:

Dosavadní zařízení neumožňovala reprodukovatelnou přípravu supertenkých vrstev v počtu řádově 10 .sup.2.n. bez změny jejich složení. Podstata zařízení spočívá v tom, že jedna komora pro prvou výchozí taveninu je spojena s druhou komorou pro druhou výchozí taveninu, ve vybrání spojovacího kanálku je uložena zárodečná destička, přičemž v každé komoře je upraven tlakový píst. Mezi oběma výchozími taveninami je těsnicí kluzné tělísko. Těsnicí...