C30B 35/00

Taviace nádoby

Načítavanie...

Číslo patentu: E 18676

Dátum: 19.12.2011

Autor: Roligheten Rune

MPK: C30B 35/00, C04B 35/591, F27B 14/10...

Značky: nádoby, taviace

Text:

...Z tuhých látok v materiáli aspoň 63,5 hmotn. sú(častice) kovového prášku kremíka. Zo zmesi tuhých látok a kvapalín možno tuhé látky obnoviť ohriatim zmesi v otvorenom usporiadaní pri normálnom tlaku na teplotu 250 °C počas 24 h. Z týchto takto získaných tuhých látok aspoň 63,5hmotn. je kovový prášok kremíka.0016 Kovový prášok kremíka podľa tohto vynálezu je striebrosiw alebo tmavosivý prášok s kovovým leskom. Možno ho zakúpiť od mnohých...

Spôsob a zariadenie na delenie monokryštalických materiálov, zariadenie na nastavovanie monokryštálu a skúšobný postup

Načítavanie...

Číslo patentu: 286535

Dátum: 12.11.2008

Autori: Hammer Ralf, Gruszynsky Ralf, Flade Tilo, Kleinwechter André, Kumann Cornelia

MPK: C30B 35/00, B28D 5/00, C30B 33/00...

Značky: materiálov, skúšobný, zariadenie, delenie, spôsob, monokrystalů, monokrystalických, nastavovanie, postup

Zhrnutie / Anotácia:

Pri spôsobe delenia sa prvý uhol (ró) medzi určitou kryštalografickou orientáciou (K) a smerom (V) posuvu volí tak, že sily (Fx-, Fx+) pôsobiace na deliaci nástroj (2, 8) počas delenia v smere kolmom na deliacu rovinu (T) sa navzájom kompenzujú alebo sa sčítajú na vopred stanovenú silu (F--›). Zariadenie na delenie má meracie zariadenie (6) na meranie vychýlenia (X) deliaceho nástroja (2, 8) v smere kolmom na smer (V) posuvu. Zariadenie je...

Téglik pre kryštalizáciu kremíka a spôsob jeho výroby

Načítavanie...

Číslo patentu: E 7726

Dátum: 30.06.2006

Autor: Rancoule Gilbert

MPK: C30B 11/00, C30B 35/00, C30B 15/00...

Značky: kremíka, výroby, kryštalizáciu, spôsob, téglik

Text:

...čo patentový spis WOA 1-2004/O 53207 opisuje povlak z nitridu kremíka, nanášaný plazmovým rozprašovaním. Patentový spis US 3 746 569 opisujepirolitické vytváranie povlaku z nitridu kremika na stenáchrúrky z kremeňa. Patentový spis US 4 218 418 opisuje postup vytvárania sklenenej vrstvy vo vnútri téglika z kremeňa prostredníctvom rýchleho ohrievania zabraňujúci praskanie kremíka počas tavného spracovania. Patentový spis US 3 660 075 opisuje...

Postup výroby výrobku zo sintrovaného amorfného oxidu kremičitého, forma a brečka použitá v tomto postupe

Načítavanie...

Číslo patentu: E 4714

Dátum: 04.08.2004

Autori: Linnot Cyril, Poullain Bernard

MPK: C03B 19/06, C30B 15/10, B28B 1/26...

Značky: tomto, křemičitého, forma, použitá, výrobků, amorfného, brečka, postup, sintrovaného, oxidů, výroby, postupe

Text:

...byt bimodálne a hmotnostný pomer kvapaliny vbrečke môže byť znížený na úroveň menej ako 20 .0024 Zníženie množstva kvapaliny (najčastejšie vody) umožňuje efektívne zredukovať zmenšenie rozmerov, no neodstránia ho úplne.0025 Toto zmenšenie rovnako súvisí aj s kompaktnosťou surového výrobku. Bimodálna distribúcia neumožňuje dosiahnuť optimálnu kompaktnosť surového výrobku. Dosiahnutá hustota V surovom stave je tak podľa patentu W 0 0117902...

Zařízení na měření odchylky krystalografického směru křemíkového monokrystalického zárodku od osy jeho rotace

Načítavanie...

Číslo patentu: 270395

Dátum: 13.06.1990

Autori: Smejkal Vilém, Zátopek František

MPK: C30B 13/34, C30B 35/00

Značky: zárodku, křemíkového, monokrystalického, zařízení, krystalografického, měření, odchylky, směru, rotace

Text:

...pohybiivü uioženy ve emim osy roloce křemikoveho monokryetolickćho zárodku.Posuvem zařízení ve smĺru osy roloce křemiiceveho monokrysislickłho zàrodku lze dosćhnoul polohy. kdy psprsky bodevőho svůbeinőho zdroje jsou odróleny od vrcholu křemikovőho monokryeiolickího zćrodku s po sobrezeni objeklivem ns sálnůrnou pioiónku vohipuji přes oku lár do oko pozorovehie. Tim je ząjiłtłno. že prekticky veĺkere odrełene evůilo přichází do oko...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze na vloženém krystalovém zárodku

Načítavanie...

Číslo patentu: 270090

Dátum: 13.06.1990

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00, C30B 29/12

Značky: zárodku, vloženém, monokrystalů, ampule, fáze, krystalovém, plynné, halogenidů, pěstování, rtuti

Text:

...Ja určen pro vlozeni kryetalograficky orientovaného monokryetalickěho zárodku, je upraven do tvaru trubičky o vnitřnim průměru nejmáně 2 mm a délky nejměně 15 mm, která je v mietě průchodu do hlavni růatově ampule mirně zůžena, přičemž do těto trubičky je vložen nejprve kryatalový zarodek váloověho tvaru o průměru menäim nebo rovněm vnitřnimu prnměru trubičky, dále valeček napriklad z křemenněho akla o etejném průměru jako kryetalový...

Kelímková sestava pro pěstování krystalů

Načítavanie...

Číslo patentu: 270083

Dátum: 13.06.1990

Autori: Jindra Josef, Koďousek Milan, Bouček Ivan

MPK: C30B 35/00

Značky: pěstování, sestava, kelímková, krystalů

Text:

...je opatren svislým ćepem z materialu o tepelná vodivosti vyšší, než má material kelímku. Čep nosiče pritom vyplňuje objem etredoveho uzavrenáho otvoru kelímku z 50 až 100 k podle stupně potreby.Tato potreba roste pri pestovaní v kelimková sestava většího průměru a te pri pŕschodu k pêstovàhí v sestava e vetiím portom pěetovaoíoh otvorů (tj. pestovaných krystalických ingotů). Tak jak je v teehnice pestovaní krystelů obvykle, je treba...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 269437

Dátum: 11.04.1990

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00, C30B 29/12

Značky: monokrystalů, halogenidů, plynné, pěstování, rtuti, ampule, fáze

Text:

...způaoby použití empula pro pěatování monokrystelů podle vynálezu jsou po paány v následujících příkladech.Křemennárůetová empule o vnitřním průměru 26 mm, zatevená na jednom konci, byla neplněna surovinou chloridu ŕrtutného a poté do ní byla zasunute druhá ampule dnem dovnítř,která měla vnější průměr 2 Š,5 mm tak, že vzdálenost dna růstové ampule od dna zasunuté druhé ampule byla 250 mm. Po vložení této soustevy do pece byl...

Dvouzávitový induktor pro přípravu monokrystalů křemíku metodou vysokofrekvenční letmé pásmové tavby

Načítavanie...

Číslo patentu: 269305

Dátum: 11.04.1990

Autori: Daníček Zdeněk, Zbořílek Aleš, Štencl Stanislav, Zamastil Jaroslav, Mrázek Dušan

MPK: C30B 35/00, C30B 13/24

Značky: monokrystalů, pásmové, dvouzávitový, vysokofrekvenční, induktor, přípravu, tavby, metodou, křemíku, letmé

Text:

...potřebném rozsahu průmärů ingotu křemíku od tenkého monokrystalického zárodku o průměru 3 mm do íinálního průměru křemíkováho monokryatelu o průměru 70 mmvíce, při relativně vysoká energetická účinnosti. Další výhodou je relativně nízká impendance paralelní kombinace obou ohłívacích závitů a optimální tvar průřezu induktoru,které jsou příznivé z hlediska omezení nebezpečí vysokotrekvenčních výbojů.Na výkresu je na obr. 1 znázorněn částečný...

Ampule pro růst monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 269286

Dátum: 11.04.1990

Autori: Hejl Milan, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: ampule, rtuti, růst, monokrystalů, jednomocné, halogenidů

Text:

...zvětšuje i celý polykryetelický zárodekl Krystalová zrna, která jsou nejv-ýhodněji orientována vůči smeru izoterm teplotního pole rostou nejrychlcji, a proto postupně zatlačí ostatní méně výhodne orientovaná krystelová zrna a celkový počet jednotlivých krystalů ve Iázovén rozhraní zárodku se výrazně zmenší. Málokdy však tento vývoj vede k nastolení dominantního postavení jediného krystalu.Rovněž použití ampule, v níž krystalový zárodek vzniká...

Verneuilův hořák se sníženým radiálním teplotním gradientem

Načítavanie...

Číslo patentu: 269247

Dátum: 11.04.1990

Autori: Smíšek Václav, Kment Vítězslav, Dolejš Václav

MPK: C30B 35/00

Značky: horák, radiálním, sníženým, verneuilův, gradientem, teplotním

Text:

...nákladné, trysky umístěné blíže středu se přehřívají s pokud nejsou zhotoveny z vysokožáznýoh materiálů,musí být hořák opatřen vodnín chlazením, oož komplikuje celá výrobní zařízení.Přodněten vynálesu je Jednoduchý Vornsuilův hořák ee aníženým rsdiálním teplotnín gradientem, provedení tak, še výtokové otvory topněho plynu g Jsou buč všechny, nebo Jejich část nakloněny vo smčru výtoku plynu k ose hořák o 2 až 10 ůhlovýoh stupňů. Nanoněná otvory...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 267414

Dátum: 12.02.1990

Autori: Hejl Milan, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: halogenidů, monokrystalů, fáze, ampule, pěstování, plynné, rtuti, jednomocné

Text:

...na monokrystalický růst. to ie. že se stane dominantním jediné krystalové zrno zárodku a ostatní budou eliminována. bylo navrženo uspořádání. kdy postupně od své špičky se rozšiřuiící ampule je v určité vzdálenosti opět postupně zúžena a od tohoto místa se pak znovu postupně rozšiřuie až Dřeide do válcové části. V tomto případě byla pro chlorid rtutný HgzCL 2 experimentálně zjištěná pravděpodobnost přechodu krystalového zárodku do...

Pouzdro pro radiační dotovní křemíku

Načítavanie...

Číslo patentu: 267959

Dátum: 12.02.1990

Autor: Škába Václav

MPK: C30B 35/00

Značky: dotovní, radiační, pouzdro, křemíku

Text:

...otevře e. dovoluje chlazení kryetelu protéknjíoí vodou. Provedení pouzdra o rontilen i ve víöku dovcluje oząřcvat pouzdro e kryetąlu L v chránené poloze, tj. víčken proti dnu oząřoveoího knnálu.Na připojeuýoh výkonoch Jaou znázornäny podélná řezy pouzdrem podle vynálezu. Obr. 1 představuje základní provedení o. obr. 2 provedení I vnntilem i vo Tíčľül.Těleeo l, vyrobené z hliníku vysoké čistoty, má rotační tvar a. obklopuje Krystal g...

Zařízení pro radiační dotování krystalů křemíku

Načítavanie...

Číslo patentu: 267958

Dátum: 12.02.1990

Autori: Škába Václav, Bělohradský Luboš

MPK: C30B 35/00

Značky: krystalů, zařízení, radiační, křemíku, dotování

Text:

...V oząřovąci poloze nacházeji V ozařovacim Icaxuílu à, tvořonćm hlinilcovox trubltou 100 r 2 m délky 54 m. Na apodnim konci je ozařovaci lesná). i opatřen dnem Ž a čepom 6,uloženým v grafitovém ložislsu z, ktoré je částí nosné konstrukce 8. Ta je Ve střední části tvořeno hliníkovou trubkou 1140 x 3 mm a Její epodni část čtvercového průřozu 1142 x 142 mm spočivá na nosné mřiži 2 aktivní zőny reaktor-u. V honuí části nosné Iconstrukco § je...

Zařízení pro pěstování krystalů předem určeného tvaru

Načítavanie...

Číslo patentu: 266567

Dátum: 12.01.1990

Autori: Farkas László, Szöke Péter, Paitz József, Zimmer György, Polgár Pál

MPK: C30B 35/00, C30B 15/20

Značky: určeného, pěstování, tvaru, zařízení, krystalů, předem

Text:

...nejsou proveditelné s potřebnou přesností a byly by i zbytočné s ohledem na rozlišovací schopnost, dosažitelnou u potencio metro.Ukolem vynálezu je současně eliminovat uvedené problémy a vyřešit zařízení, které by bylo schopne zajistit zjištění délky vytažení krystalu s dostatečnou rozlišovací schopností a zajistit také, aby přesnost měření nebyla omezována výstupními signály elektronického vážicího zařízení. V zásadě je úkolem vynalezu...

Zařízení pro pěstování vysokotajících oxidových monokrystalů z taveniny

Načítavanie...

Číslo patentu: 265100

Dátum: 12.09.1989

Autori: Kvapil Jiří, Holas Miroslav, Perner Bohumil, Kvapil Josef

MPK: C30B 29/16, C30B 35/00

Značky: zařízení, vysokotajících, oxidových, taveniny, pěstování, monokrystalů

Text:

...(1) je Umístěno 3 až 20 vodorovnýoh stínících přepážek (SL opatřených v ose otvory pro umístění zárodkuV pozorovaní a hlavní odvod tepla z taveniny a krystalu, jejichžprůměr je roven 15 až 50 vnějšího průměru kelímku (2). V přípa dě potřeby může být tvar otvoru modifikován dodateěným výřezemv okraji kruhového otvorulumožňujícím lepší pozorování zejménav počáteční fázi růstu. První z těchto přepážek leží nad horním okrajem kelímku (2) ve...

Rozebíratelná ampule pro pěstování krystalů jodidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 264067

Dátum: 12.05.1989

Autori: Barta Čestmír, Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 35/00

Značky: rozebíratelná, rtuti, pěstování, plynné, krystalů, fáze, jodidu, ampule

Text:

...vypěotovanóho kryatalu ą nojaou zâaleka opi~ málni. Při áolüptáváuí ampuleoáâšc dojít jednak k chamickému poš kození krystalu, zogmćną jeho xunhäníah plech a jaduak k Gíiávsmsžůdóuoíoh látok do krystaiu, což nagüäĺřnä Qvĺivawjü äeúü »ą~- 3 ~ - 264 067 zikálni vlastnosti. V průběhu řezání ampulo, například diamantow vou pilou, na druhé straně dochází k mechanickému nąruäcní povrchu i objemu krystalu. Jedná se totiž o materiál vrstvené...

Zařízení k čistění výchozí suroviny vícenásobnou resublimací

Načítavanie...

Číslo patentu: 263339

Dátum: 11.04.1989

Autori: Barta Čestmír, Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 23/00, C30B 35/00

Značky: výchozí, suroviny, vícenásobnou, zařízení, čištění, resublimací

Text:

...suroviny.Těsněpodé 1 vnějšího pláätě g jsou umíatěna nejmáně dvě tepelně cloníci a teplo reflektujićí segmenty Q, 1 . Uspořádáni těchto eegnentů na obr. 1 vyznačuje výchozí situaci. Je rovněž uveden odpoviddjící tepelný průběh.Na obr. 2, 3 a 4 je znázorněno posouváni segmentu Q zvolenou.rychlostí V rozmezi od 0,1 do 40 nm/hod vo sněru podálné osy trubkové pece l vlovo tak dlouho, až mezera mezi segmenty 1 a 3 odpoví kdá šiřee segmentu. Tím...

Zariadenie na čistenie vnútra pracovnej nádoby pre prípravu a rast najmä monokryštálov

Načítavanie...

Číslo patentu: 261426

Dátum: 10.02.1989

Autori: Vadina Štefan, Hanzel Pavel, Pavlovec Oldřich

MPK: C30B 35/00

Značky: najmä, vnútra, přípravu, monokryštálov, čistenie, pracovnej, zariadenie, nádoby

Text:

...itvedené nevýhody zmierňuje zariadenie na čistenie vnútra pracovnej nádoby pre prípravu a rast najmä monoikryštálov podľa vynálezu, ktorého podstata spočíva v tom, že zariadenie je tvorené nošnou tyčou uloženou otočne v osi čistenej nádoby. Nanosnej tyčí je proti plášta a oproti každého veka pracovnej nádoby uložený aspoň jeden ultrazvukový žiarič.Zariedenímna čistenie vnútra pracovnej nádoby pre prípravu a rast najmä monokryštálov sa...

Zařízení pro rychlou optimalizaci teplotních polí v krystalizátorech

Načítavanie...

Číslo patentu: 260928

Dátum: 12.01.1989

Autori: Pavlíček Zdeněk, Hejl Milan, Barta Čestmír, Rybář Vladimír

MPK: C30B 35/00

Značky: rychlou, optimalizaci, krystalizátorech, polí, zařízení, teplotních

Text:

...teplotu. Tato skutečnost významně přispívá ke zkrácení vývojové etapy a optimalizaci krystalochemických podmínek procesu kultivace krystalů. Popsané zařízení je zvlášt vhodné pro elektricky vyhřívané trubkové krystalizátory ze skla, nerezu a jiného materiálu s nízkou tepelnou vodivostí.Na přiložených obrázcích je uvedeno uspořádání zařízení podle vynálezu. Na obr. 1 je znázorněna vodicí tyč s jedním distančním držákem a jedním posuvným...

Vakuová aparatura pro epitaxi z molekulárních svazků

Načítavanie...

Číslo patentu: 259949

Dátum: 15.11.1988

Autori: Seidl Radko, Sulek Josef

MPK: C30B 23/00, C30B 35/00

Značky: molekulárních, vakuová, aparatúra, epitaxi, svazků

Text:

...trubicí, která je u protilehlého konce obvodově vakuotěsně upevněna v přírubě. V prstencovém prostoru mezi oběma topnými trubicemi jsou uloženy topné elementy a mezi topnými elementy a vnější trubicí je uspořádán tepelně odrazný plášč. Část vakuové aparatury napojená na pomocnou vývěvu může být tvořena komorovým členem, v jehož stěnách jsou upraveny průchodky pro elektrické přívody k topným elementům, případně pro mechanické ovládání clon...

Zařízení pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 257089

Dátum: 15.04.1988

Autori: Rouček Luděk, Tříska Aleš, Liška Oldřich, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00, B01J 19/00

Značky: pevných, látek, tuhnutí, krystalizaci, tavení, zařízení, temperování

Text:

...V pouzdrech, a nakonec podavače je v části přívrácené k patroně opatřen zámkem s čelní drážkou pŕo výčnělek patrony,přičemž používaný otvor zásobníku manipulační trubice, elektrická pec a podavač jsou souosé.Výčnělkem může být rotační výstupek s profilem T a podavač může být opatřen teploměrem.Výhodou zařízení podle tohoto vynálezu je kratší délka technologické cesty a z toho plynoucí menší rozměry celého zařízení, dále skutečnost, že...

Zařízení ke kontinuálnímu měření koncentrací a změn koncentrací roztoků během pěstování monokrystalů

Načítavanie...

Číslo patentu: 255739

Dátum: 15.03.1988

Autori: Blažek Karel, Štverak Bohumil, Zikmund Jan, Pechlák Bohuslav

MPK: C30B 35/00

Značky: měření, zařízení, monokrystalů, koncentrací, kontinuálnímu, změn, během, roztoku, pěstování

Text:

...cyklü dlouhodobě stabilní. iTyto nevýhody odstraňuje zařízení ke kontinuálnímu měření koncentrací a změn koncentrací roztoků během pěstování nonokrystalů podle vynálezu, založeného na měření absorpce gamma-záření sledovaným roztokem. jehož podstata spočívá v tou, že z jedné strany měřeného roztoku je umístěn zářič o energií 0,01 až 2,0 Mev s poločasem radioaktivní přeměnyestejným nebo větěím než délka sledovaného děje a aktivitouod 1...

Krystalizátor pro tepelné zpracování pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 254848

Dátum: 15.02.1988

Autori: Rouček Luděk, Tříska, Barta Čestmír, Liška Oldřich

MPK: C30B 35/00

Značky: tepelně, pevných, kryštalizátor, zpracování, látek

Text:

...pro nedostatek prostoru vůbec není možno používat dvě nebo více zařízení vedle sebe. Ukázalo se proto jako ůčelné a výhodné, aby bylo vyřešeno zařízení které nebude mít nevýhody dosud známých konstrukcí, zejména které umožní aby v případě potřeby bylo možno pracovní podmínky nebo zpracovávané materiály vystřídat, a to případně několikráte. Uvedené cíle byly splněny tímto vynálezem krystalizátoru pro tepelné zpracování pevných látek,...

Zařízení pro výrobu tenkých křemíkových tyčí

Načítavanie...

Číslo patentu: 242447

Dátum: 01.12.1987

Autori: Heinschke Fred Dipl, Jung Kurt, Buchwalder Joachim, Peukert Klaus, Rack Peter, Hemmann-hans-joachim, Liesenberg Otto

MPK: C30B 35/00

Značky: výrobu, tenkých, křemíkových, tyčí, zařízení

Text:

...vzájemné vykovávají pouze posuvný pohyb, což zabraňuje poruchám funkce těsnění vlivem nerovnosti povrchu tenké kře~ míkové tyče a tím nežádoucímu vniknutí vzduchu do komory zařízení.Na přiloženýoh výkreseoh je znázorněn příklad zařízení pro tažení tenkýoh křemíkových tyčí podle předloženého vynálezu. Na obr. 1 je schematicky znázorněno celé zařízení pro výrobu tenkých křemíkových tyčí s jedním tažícím meohanismem. Na obr. 2 je zázorněn nárys...

Zařízení pro pěstování monokrystalů oxidů kovů, obsahujicích barevné ionty

Načítavanie...

Číslo patentu: 247399

Dátum: 16.11.1987

Autori: Benda Antonín, Bueko Michal, Boeeka Antonín, Kalina Vladimír

MPK: C30B 35/00, C30B 15/00

Značky: monokrystalů, barevné, obsahujících, ionty, zařízení, oxidů, kovů, pěstování

Text:

...g se středovým otvorem, válcová komora 5 s víkem 5, vnitřní stínící trubka 1 ahorní stínicí systém 8.Válcový kelímek j z wolframu o vnitřním průměru 90 mm a vnitřní výšce 95 mm, tlouštce stěny a dna 10 nm byl vložen do odporového topení 2. vytvořeného ze smyček tvaru chráneného U, zhotovených z wolframového drátu o průměru 4 mm a sestavených za sebou po obvodu kruhu o průměru 130 mm. Kolem odporového topení g byly souose s ním a kelímkam j...

Zařízení pro pěstování monokrystalů z roztoků

Načítavanie...

Číslo patentu: 239023

Dátum: 01.11.1987

Autori: Nováková Blanka, Matěcha Jaromír, Zikmund Jan

MPK: C30B 35/00

Značky: roztoku, zařízení, monokrystalů, pěstování

Zhrnutie / Anotácia:

Zařízení pro pěstování monokrystalů z roztoků, resp. prvek pro přenos točivého momentu hřídele krystalizátoru, na kterém se upevňuje míchadlo nebo nosiče zárodků, zabezpečující naprostou těsnost krystalizační aparatury, kde točivý moment hřídele (9) je přenášen od nízkootáčkového motoru (3) na principu magnetické spojky, která je tvarově souměrná podle oddělující membrány (4), přičemž v horním dílu (l) je ukotven motor (3), na jehož hřídel je...

Způsob pěstování monokrystalů vysokotajících oxidů a zařízení k jeho provádění

Načítavanie...

Číslo patentu: 253137

Dátum: 15.10.1987

Autori: Jindra Josef, Ježek František, Mašek Václav, Hendrich Zdeněk, Bouček Ivan

MPK: C30B 35/00, C30B 29/28

Značky: monokrystalů, provádění, pěstování, způsob, oxidů, zařízení, vysokotajících

Text:

...obvykle oxidu fosforečného, po krátké době již nezachycuje, na jeho povrchu se vytvoří krusta a povrch je zablokován. Další vlhkost přináší do pece na svém povrchu surovina, a to jednak na počátku pěstování, jednak, a to ve zvýšené míře, při kontinuálním dávkování. Postupně se také z konstrukčních materiálů pece uvolňuje vlhkost zachycená kapilární kondenzącí v povrchových pórech. V případě aplikace grafitových stavebních částí postupně...

Epitaxní reaktor

Načítavanie...

Číslo patentu: 237194

Dátum: 01.10.1987

Autori: Veselý Zdeněk, Slezák Jiří, Mikyška Josef

MPK: H01L 21/02, C30B 35/00

Značky: reaktor, epitaxní

Zhrnutie / Anotácia:

Epitaxní reaktor konstruovaný úsporně co do použitého materiálu i co do prostoru, s možnosti snadné měnitelnosti dynamiky reaktoru. Umožňuje použít jednoduché křemenné trubice. Používá výstupní příruby jako chladiče odpadních plynů. Měnitelnost dynamiky reaktoru je dána řešením vstupní příruby jako plynové komory, ze které je reakční směs rozváděna do reaktoru systémem překryvných děrovaných plechů. Měnitelným vzájemným nastavením těchto plechů...

Zařízení pro tažení profilových krystalových těles z taveniny

Načítavanie...

Číslo patentu: 240011

Dátum: 01.06.1987

Autori: Vostracký Zdenik, Eech Miloslav, Vašaeek Vladimar

MPK: C30B 35/00

Značky: taveniny, profilových, tažení, krystalových, zařízení, těles

Text:

...z molybdenu, na teplotu nad 1800 °G dojde k difusnímu spoji mezi oběma prvky, který je dostatečně pevný, aby se při taiení krystalověho profilového tělesa neuvolnid, ale zase natolik slabý, že ve studeném stavu lze tvarovací člen lehkým úderem od nosné rozváděcí desky odstranit a nahradit novým. Další výhodou je to, že při zatuhnutí taženého krystalu do tvarovacího členu se tento sám odtrhne,uvolněný člen je volně spolu s krystalen...

Způsob pasivace povrchu výrobků z taveného křemene

Načítavanie...

Číslo patentu: 239487

Dátum: 15.04.1987

Autori: Fridrich Miloš, Tesaoová Anna, Sova Jioí, Špaeek Jindoich, Tesao Petr

MPK: C30B 35/00, C30B 29/20

Značky: výrobků, způsob, taveného, povrchu, pasivace, křemene

Text:

...vysoce čistého hydroxidu nebo oxidu hlinitého, jeho podstata spočívú v tom, de hladký povrch výrobku z taveného křemeno se nojprve vystaví působení směsi kyseliny tluorovodíkovd 20 až 405 M a kyseliny dusičná 30 až 60 ní v poměru 3 I až 1 3 objemových dílů při toplotd 40 aš B 0 °c po dobu 5 až 120 min, načeš se amočí ve vodném roztoku, obsahujíoím 0,1 a 1 gramiont iontů hlinitých na 100 g vody při pokojová teplot a na to ae vystaví...

Uzávěr epitaxního reaktoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 249050

Dátum: 12.03.1987

Autori: Mikyška Josef, Slezák Jiří, Veselý Zdeněk

MPK: C30B 35/00, H01L 21/02

Značky: uzáver, reaktoru, epitaxního

Text:

...přihřívá nejvíce ochlazovanou horní část grafitu zpětným zářením. Toto konstrukční řešení umožňuje použít k těsnění rotujícího závěsu grafitu levných a dostupných běžných hřídelových těsnění a současně zabraňuje reakčním zplodinám usazovat se nad zrcadlemo Tyto zplodiny bývají totiž častým zdrojem kontaminaoe křemíkových desek.Připojený výkres znázorňuje v nárysném řezu příklad konkrétního provedení uzávěru vertikálního epitaxního reaktoru...