C23C 14/48

Skener na mapovanie iónového prúdu

Načítavanie...

Číslo patentu: U 6224

Dátum: 03.09.2012

Autori: Černý František, Konvičková Svatava, Vlčák Petr, Horažďovský Tomáš, Jech Vladimír

MPK: H01J 37/00, C23C 14/48

Značky: prúdu, iónového, skener, mapovanie

Text:

...Poloha komôrky sa zisťuje zmeranim napätiajazdca prípojeného špirálového potenciometra, ktorý je napájaný konštantným napätím. Rozsah pohybu l 40 ° je vymedzený koncovými dorazmi, ktoré zároveň slúžia na kalibráciu polohovania ramena s komôrkou. Dosiahnutie koncového dorazuje indikované zväčšenim odberu prúdu motora.Kalibrácia polohovania ramena sa vykoná tak, že po dosiahnutí jedného koncového dorazu sa odpočítahodnota výstupného...

Monolitické keramické teleso s okrajovou oblasťou zmesného oxidu a kovovým povrchom, spôsob jeho výroby a jeho použitie

Načítavanie...

Číslo patentu: E 16273

Dátum: 06.10.2010

Autori: Rübig Günter, Mahringer Christian, Schreiner Alexander, Sorin Lenz

MPK: C04B 41/52, A61L 27/10, A61L 27/30...

Značky: oblasťou, spôsob, keramické, použitie, těleso, oxidů, povrchom, okrajovou, kovovým, výroby, monolitické, zmesného

Text:

...vzhľadom na zmenu lcryštálovej mriežky je potrebné obávať sa pnutia, ktoré taktiež môže mať vplyv na oslabenie spoja. V porovnaní s inými dentálnymi zliatinami má titán zvlášť nízky koeficient tepelnej rozťažnosti. Koeficienty tepelnej rozťažnosti keramiky a kovu však musia vzájomne zladiť, aby sa zabránilo praskaniu a odlupovaniu keramiky, k akým by došlo pri fazetovaní titánu konvenčnou keramikou. Ako je známe odborníkovi v odbore, kovy sa...

Spôsob prípravy oteruvzdornej vrstvy nitridu titánu na elektricky vodivom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 255357

Dátum: 15.03.1988

Autori: Liska Dušan, Kavečanský Viktor, Ferdinandy Milan, Král Jozef

MPK: C23C 14/48, C23C 14/30

Značky: oteruvzdornej, nitridů, substráte, spôsob, elektricky, titanu, vrstvy, vodivom, přípravy

Text:

...odmasťovačke a V dôsledkubombardovania aj ohrev substrátu na požadovanú teplotu, ,ktorá závisí na vlastnostiach základného materiálu substrátu a ktorá je vyššia ako 350 °C.Proces vytvárania TiNx vrstvy podľa vynálezu je možne popísať napriklad z hladiska povlakovaného substrátu, pričom počas procesu je potrebné prihliadať na vlastnosti základného materialu a tomu prispôsobiť aj technologické parametre prípravy vrstvy. svojimi...

Sposob prípravy oteruvzdornej tenkej vrstvy karbidu titánu na elektricky vodivom pevnom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 254656

Dátum: 15.01.1988

Autori: Král Jozef, Ferdinandy Milan, Pecár Ivan, Liska Dušan

MPK: C23C 14/48, C23C 14/30

Značky: titanu, elektricky, spôsob, vrstvy, přípravy, pevnom, tenkej, vodivom, substráte, karbidu, oteruvzdornej

Text:

...uhľovodíka plynule zvyšuje V intervale pomerov k titánu od 0,2 do 0,7 a za tým v intervale od 0,7 do 1,0.Ďalej je podľa vynálezu účelne, aby povrch pevného elektricky vodivého substrátu bol bombardovaný iónmi inertného plynu, čo» spôsobuje odprašovanie adsorbovaných vrstiev z jeho povrchu a súčasne ohrev substrátu na požadovanú teplotu.Vrstvy na báze karbldu titánu pripravené podľa vynálezu sa vyznačujú požadovanou adhéziou k povliekanêmu...

Spôsob tvorby tenkých mäkkých kovových tribologických povlakov na pevné elektricky vodivé substráty

Načítavanie...

Číslo patentu: 246407

Dátum: 15.12.1987

Autori: Urban Ivan, Hajduk Jaroslav, Podzemný Augustýn

MPK: C23C 14/48

Značky: pevně, kovových, povlakov, mäkkých, tenkých, substráty, tribologických, spôsob, vodivé, tvorby, elektricky

Text:

...energeticky a materiálovo vysoko úspornú technológiu, bez negatívneho vplyvu na životné prostredie, tvorbu povlakov s vynikajúcou adhéziou k substrátu pri nízkych teplotách bez ovplyvnenie štruktúry základného sulbstrátu. Použitím takto vytvorenýc-h povlakov sa dosiahne zníženie .koeficientu trenia a tiež opotrebenia v staženýsch podmienkach namáhania.Vynález možno objasniť prostredníctvom nasledujúceho príkladuPred samotným vytváraním tenkého...

Spôsob vytvárania tenkých vrstiev karbidu wolfrámu na elektricky vodivom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 252860

Dátum: 15.10.1987

Autori: Král Jozef, Ferdinandy Milan, Liska Dušan, Czajlík Mikuláš

MPK: C23C 14/48, C23C 14/16

Značky: substráte, wolframu, tenkých, vrstiev, vodivom, vytvárania, spôsob, karbidu, elektricky

Text:

...ipľĺľ-ľliälVé, dosahujú ipožaudsovainú »čisrtotu, ~s možnosťou dosiąachinruitiwai vysokej rýcihluoxslti paletu vrstvy počars inalrnášamila, krtorá závisí na rvohllositi islurblimecile ih 1 exva 1 kierbvonyuliu~ wolfrámu, ikrtorú možrno regulovať intenzitou jeho orhreviu. Ďalšou výhxodiou vsrpôswobu podľa vymálezu je možnost ovplyvňovať zloženie,šnruikrtüunu, a -mechenicilvě vlaetnnoeti ivmstvy, 4a to veľlkosifou tlaku vo nváikoovewj...

Spôsob vytvárania tenkých vrstiev wolfrámu na elektricky vodivom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 252859

Dátum: 15.10.1987

Autori: Czajlík Mikuláš, Liska Dušan, Ferdinandy Milan, Král Jozef

MPK: C23C 14/16, C23C 14/48

Značky: vytvárania, spôsob, substráte, wolframu, tenkých, vrstiev, vodivom, elektricky

Text:

...epočiva v diem, že »takto vytvorené vnetvy dosahujú vysokú čistom s minimálnym oslisiathovm zbytvkoveh~o~ whlŕka, čo je dané podimiemk-ami vekwa a rozkledlomi hexakairbooyhu w-o 1 f~rámu~ v podmieril~rach plazmy. Ďalšia vvliordia spôsobu ,podľa vylnelezui spočiva. v utom, že zmenou eleiklirických perametrrov pri etimuláoii plazmy možno regulovať vlaedinolsiti vrxetiev napr. šttmikrúru. üb 252859-drobne rýrohhosť-o-u s-ublinmácie...

Spôsob vytvárania oteruvzdornej vrstvy nitridu titánu na pevnom elektricky vodivom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 252707

Dátum: 15.10.1987

Autori: Liska Dušan, Ferdinandy Milan, Král Jozef, Czajlík Mikuláš

MPK: C23C 14/48, C23C 14/16

Značky: nitridů, pevnom, spôsob, elektricky, substráte, titanu, vytvárania, vrstvy, oteruvzdornej, vodivom

Text:

...zvyčajne argónom, a parami sublimujúceho hemakarbonylu volfrámu pri zníženom tlaku z intervalu 104 Pa až 10 Pa, za čím sa bezprostredne na pevný elektricky vodivý substrát pôsobí plazmou tvorenou dusíkom a paraml od parovaného titanu za zníženého tlaku z intervalu 103 Pa až 1 D Pa.Podstata vynálezu je bližšie vysvetlená na nasledovných príkladoch.Oceľový substrát bol umiestnený vo vákuovej komore odčerpanej na počiatočný tlak 105 Pa, ako...

Spôsob prípravy tvrdej oteruvzdornej vrstvy na hliníkových zliatinách

Načítavanie...

Číslo patentu: 251458

Dátum: 16.07.1987

Autori: Král Jozef, Liska Dušan, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 10/08, C23C 14/30, C23C 14/48...

Značky: přípravy, zliatinách, tvrdej, oteruvzdornej, spôsob, hliníkových, vrstvy

Text:

...dosahuje hodnôt 15 D 00 až 35 000 N . mm.Podstata vynálezu e bližšie vysvetlená na nasledovných príkladoch.Substrát z hliníkovej zliatiny buol umiestnený vo vákuovej komore odčerpanej na počiatočný tlak 104 Pa, ako elektróda tvoriaca katódu v iónovoplátovacom systéme. Po očístení substrátu V tlejivom výboji Ar pri tlaku 10 Pa a zápornom elektrickom potenoiáli « 2,8 kV na hliníkovom substráte oproti uzemnenej vákuovej komore, bol me...

Způsob vytváření tenkého povlaku na povrchu tělesa plazmaticky aktivovanou chemickou reakcí z plynné fáze a zařízení k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 251011

Dátum: 11.06.1987

Autori: Havel Josef, Musil Jindřich, Hortlík František, Bárdoš Ladislav

MPK: C23C 14/48

Značky: chemickou, tenkého, aktivovanou, tělesa, plynné, provádění, zařízení, reakcí, způsob, povrchu, plazmaticky, vytváření, tohoto, fáze, povlaků, způsobu

Text:

...depozice, ktere jsou nnohen vyšší než dosud známé. Účinné chlazení je dosaženo magnetickým rozaítánín elektronů od substrátu. Podle amerického patentu USP 4 066 659 je chráněn způsob a zařízení pro povlakování substrátu, při něnž se vytváří izolační vrstva na jedne části vodiveho terče a druhá část terče se udržuje bez izolační vrstvy iontovýa bonbardováním. Vodívý terč je na střídaven elektricke potenciálu dostatečně vysokého...

Sposob prípravy tenkých vrstiev na substráte z titánu alebo jeho zliatin

Načítavanie...

Číslo patentu: 250859

Dátum: 14.05.1987

Autori: Král Jozef, Ferdinandy Milan, Liska Dušan

MPK: C23C 14/30, C23C 14/48

Značky: přípravy, tenkých, titanu, vrstiev, substráte, spôsob, zliatin

Text:

...vlastností talkto pripravenej vrstvy je možno ovplyvňovať zmenou rýchlosti oćlparovania hlinílka v intervale 0,01 až 10,0 g.min 1,ďalej prúdovou .hustotou z intervalu 0,1 až 3,0 mA . om a zmenou parciálneho tlaku zmesi plynov inertného plynu a dusíka.Vrstva vytvorená spôsobom podľa vynálezu sa vyznačuje oproti vrstve pripravenej bez prítomnosti dwsíska zvýšenou tvndosťou a najmä nižším stupňom opotrełbenia. Pri povrchovej nitridácii sulbstrátu...

Sposob priamej tvorby vrstvy TiA13 v povrchovej vrstve titánu a jeho zliatin

Načítavanie...

Číslo patentu: 249917

Dátum: 15.04.1987

Autori: Král Jozef, Liska Dušan, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 14/48, C23C 14/30

Značky: tvorby, povrchovej, zliatin, priamej, spôsob, vrstvy, vrstvě, tia13, titanu

Text:

...vytvorenia protidifúznej bariéry na p-ovrchu substrátu. Táto skutočnosť spolu s experimentálne overenou vlastnosťou TiAls a to,že koeficient Al v TiAls je ne ovela vyšší než Al v Ti, poskytuje možnost vytvárať TiAls vrstvu aj pri nižších teplotách než 600 C za kratší čas.spôsobom podla vynálezu sa na titáne a jeho zliatinách vytvárajú difúzne vrstvy z intermetalicke zlúčeniny TiAls, prípadne TiAl 3 Al, ktorých mikrotvrdost je 11000 až 15...

Sposob tvorby TiA13 difúznej vrstvy na titáne a jeho zliatinách

Načítavanie...

Číslo patentu: 249915

Dátum: 15.04.1987

Autori: Král Jozef, Liska Dušan, Diko Pavel, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 10/08, C23C 14/30, C23C 14/48...

Značky: spôsob, zliatinách, vrstvy, difúznej, titáne, tvorby, tia13

Text:

...prebieha ťažšie a preto musia byť podmienky žíhaniia iné.Výber možno objasniť podla nasledujúcích príkladovPred samotným procesom vytvárania Al vrstvy na titánovej zliatine OT 4-1 sa vákuová komora zariadenia pre iónové plátovanie odčerpe na tlak rádove 105 Pa. Al je odparovaný pomocou elektrónového lúča, čo zabezpečuje vysokú rýchlost rastu Al vrstvy a oproti odparovaniu z odparovanéhwo zdroja tiež vyššiu kinetickú energiu odparoVaných Al...