C23C 14/30

Zariadenie na vytváranie ochranných vrstiev na vnútorných plochách rotačných telies odparovaním látky elektrónovým lúčom

Načítavanie...

Číslo patentu: 288254

Dátum: 19.01.2015

Autori: Lofaj František, Dusza Ján, Kottfer Daniel, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 14/24, C23C 14/22, C23C 14/30...

Značky: látky, vytváranie, zariadenie, ochranných, telies, vrstiev, rotačných, elektrónovým, plochách, lúčom, vnútorných, odpařováním

Zhrnutie / Anotácia:

Zariadenie na vytváranie ochranných vrstiev na vnútorných plochách rotačných telies odparovaním látky elektrónovým lúčom pozostávajúce z vákuovej komory, v ktorej je umiestnené rotačné teleso, na ktoré je pripojený cez elektrickú vákuovú priechodku elektrický zdroj. V zariadení je ďalej umiestnené elektrónové delo s priamo žeravenou alebo dutou katódou, pripojené cez elektrickú vákuovú priechodku na elektrický napájací zdroj. V zariadení je...

Způsob nanášení vrstvy hliníku planárním magnetronem

Načítavanie...

Číslo patentu: 263089

Dátum: 11.04.1989

Autori: Skřivan Boris, Pašek Vladimír, Mirovský Jaromír

MPK: C23C 14/30

Značky: způsob, hliníku, planárním, magnetronem, vrstvy, nanášení

Text:

...30 °c, pod katodou rychlosti 0,01 až 0,02 m/s s následným ochlezením. Podložky mohou procházet pod katodou s následným ochlazením v několika cyklech, jejichž počet závisí na požadované konečné tlouštce nanášené vrstvy.Způsobem nanášení vrstvy hliníku podle vynálezu se snižuje sálání z povrchu katody i množství etomů dopadajících na podložąu. Výsledná vrstva hliníku je nanášena postupně po několika velmi tenxých vrstvách. Jsou zaručeny...

Spôsob prípravy oteruvzdornej vrstvy nitridu titánu na elektricky vodivom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 255357

Dátum: 15.03.1988

Autori: Kavečanský Viktor, Král Jozef, Ferdinandy Milan, Liska Dušan

MPK: C23C 14/30, C23C 14/48

Značky: spôsob, přípravy, vodivom, vrstvy, titanu, substráte, oteruvzdornej, nitridů, elektricky

Text:

...odmasťovačke a V dôsledkubombardovania aj ohrev substrátu na požadovanú teplotu, ,ktorá závisí na vlastnostiach základného materiálu substrátu a ktorá je vyššia ako 350 °C.Proces vytvárania TiNx vrstvy podľa vynálezu je možne popísať napriklad z hladiska povlakovaného substrátu, pričom počas procesu je potrebné prihliadať na vlastnosti základného materialu a tomu prispôsobiť aj technologické parametre prípravy vrstvy. svojimi...

Sposob prípravy oteruvzdornej tenkej vrstvy karbidu titánu na elektricky vodivom pevnom substráte

Načítavanie...

Číslo patentu: 254656

Dátum: 15.01.1988

Autori: Pecár Ivan, Ferdinandy Milan, Liska Dušan, Král Jozef

MPK: C23C 14/30, C23C 14/48

Značky: elektricky, titanu, oteruvzdornej, substráte, tenkej, vrstvy, vodivom, spôsob, přípravy, karbidu, pevnom

Text:

...uhľovodíka plynule zvyšuje V intervale pomerov k titánu od 0,2 do 0,7 a za tým v intervale od 0,7 do 1,0.Ďalej je podľa vynálezu účelne, aby povrch pevného elektricky vodivého substrátu bol bombardovaný iónmi inertného plynu, čo» spôsobuje odprašovanie adsorbovaných vrstiev z jeho povrchu a súčasne ohrev substrátu na požadovanú teplotu.Vrstvy na báze karbldu titánu pripravené podľa vynálezu sa vyznačujú požadovanou adhéziou k povliekanêmu...

Spôsob prípravy tvrdej oteruvzdornej vrstvy na hliníkových zliatinách

Načítavanie...

Číslo patentu: 251458

Dátum: 16.07.1987

Autori: Ferdinandy Milan, Liska Dušan, Král Jozef

MPK: C23C 14/30, C23C 14/48, C23C 10/08...

Značky: zliatinách, spôsob, přípravy, hliníkových, oteruvzdornej, vrstvy, tvrdej

Text:

...dosahuje hodnôt 15 D 00 až 35 000 N . mm.Podstata vynálezu e bližšie vysvetlená na nasledovných príkladoch.Substrát z hliníkovej zliatiny buol umiestnený vo vákuovej komore odčerpanej na počiatočný tlak 104 Pa, ako elektróda tvoriaca katódu v iónovoplátovacom systéme. Po očístení substrátu V tlejivom výboji Ar pri tlaku 10 Pa a zápornom elektrickom potenoiáli « 2,8 kV na hliníkovom substráte oproti uzemnenej vákuovej komore, bol me...

Sposob prípravy tenkých vrstiev na substráte z titánu alebo jeho zliatin

Načítavanie...

Číslo patentu: 250859

Dátum: 14.05.1987

Autori: Král Jozef, Liska Dušan, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 14/48, C23C 14/30

Značky: zliatin, tenkých, titanu, přípravy, substráte, spôsob, vrstiev

Text:

...vlastností talkto pripravenej vrstvy je možno ovplyvňovať zmenou rýchlosti oćlparovania hlinílka v intervale 0,01 až 10,0 g.min 1,ďalej prúdovou .hustotou z intervalu 0,1 až 3,0 mA . om a zmenou parciálneho tlaku zmesi plynov inertného plynu a dusíka.Vrstva vytvorená spôsobom podľa vynálezu sa vyznačuje oproti vrstve pripravenej bez prítomnosti dwsíska zvýšenou tvndosťou a najmä nižším stupňom opotrełbenia. Pri povrchovej nitridácii sulbstrátu...

Sposob priamej tvorby vrstvy TiA13 v povrchovej vrstve titánu a jeho zliatin

Načítavanie...

Číslo patentu: 249917

Dátum: 15.04.1987

Autori: Král Jozef, Liska Dušan, Ferdinandy Milan

MPK: C23C 14/30, C23C 14/48

Značky: vrstvě, tia13, titanu, povrchovej, tvorby, zliatin, priamej, vrstvy, spôsob

Text:

...vytvorenia protidifúznej bariéry na p-ovrchu substrátu. Táto skutočnosť spolu s experimentálne overenou vlastnosťou TiAls a to,že koeficient Al v TiAls je ne ovela vyšší než Al v Ti, poskytuje možnost vytvárať TiAls vrstvu aj pri nižších teplotách než 600 C za kratší čas.spôsobom podla vynálezu sa na titáne a jeho zliatinách vytvárajú difúzne vrstvy z intermetalicke zlúčeniny TiAls, prípadne TiAl 3 Al, ktorých mikrotvrdost je 11000 až 15...

Sposob tvorby TiA13 difúznej vrstvy na titáne a jeho zliatinách

Načítavanie...

Číslo patentu: 249915

Dátum: 15.04.1987

Autori: Diko Pavel, Liska Dušan, Ferdinandy Milan, Král Jozef

MPK: C23C 14/30, C23C 10/08, C23C 14/48...

Značky: difúznej, vrstvy, zliatinách, spôsob, titáne, tvorby, tia13

Text:

...prebieha ťažšie a preto musia byť podmienky žíhaniia iné.Výber možno objasniť podla nasledujúcích príkladovPred samotným procesom vytvárania Al vrstvy na titánovej zliatine OT 4-1 sa vákuová komora zariadenia pre iónové plátovanie odčerpe na tlak rádove 105 Pa. Al je odparovaný pomocou elektrónového lúča, čo zabezpečuje vysokú rýchlost rastu Al vrstvy a oproti odparovaniu z odparovanéhwo zdroja tiež vyššiu kinetickú energiu odparoVaných Al...