Barta Čestmír

Způsob přípravy vyhřívané hadice nebo trubky a přípravek k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 260147

Dátum: 15.12.1998

Autori: Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: F16L 11/12

Značky: způsob, způsobu, provádění, trubky, přípravy, tohoto, vyhřívané, přípravek, hadice

Text:

...je tavná teplota použité hadice nebo trubky. íJednoduehoet technologie vyroby a nižší výrobní náklady jsou předoàti popaanéhovzpůaobu vyroby vyhřívanê°hadiee nebo, trubky.Uspořádáni připravku pro provádění způsobu pripąavy vyhři~ Vané hadica nebo trubky podle vynálezu je uvodeno na přiloženém výkresu.Připravek je tvořen tyčí , na jejimž povrchu je vytvořena alespoň jedna drážka g ve tvaru šroubovice. Tyč je ukončena šestihranem 1.Tyč...

Způsob přípravy čistých nebo směsných monokrystalů chloridu, bromidu, jodidu rťutného nebo jodidu rtuťnatého

Načítavanie...

Číslo patentu: 270091

Dátum: 13.06.1990

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12

Značky: rtuťného, čistých, přípravy, směsných, rtuťnatého, monokrystalů, bromidů, jodidu, chloridů, způsob

Text:

...druhým koncom, kterým je zajiitąn orientovaný růet monokryetalu kolomelu odohýlený od kryetelografickáho eměruuooljo ůhal 65 ° , byla vodorovně umietöna v kryetelizátoru, který udržoval v eublimačni časti ampule teplotu 400 °c a v růetovú části teplotu 370 °c a empuli poaunovel rychloeti 9,5 mm/den. Pěetováni nonokryotelu kelomelu bylo ukončeno, když monokryatal doedhl délky 128 mm, potom byla ampule postupně temperována na pokojovou teplotu...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze na vloženém krystalovém zárodku

Načítavanie...

Číslo patentu: 270090

Dátum: 13.06.1990

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12, C30B 35/00

Značky: pěstování, plynné, krystalovém, rtuti, fáze, vloženém, halogenidů, zárodku, monokrystalů, ampule

Text:

...Ja určen pro vlozeni kryetalograficky orientovaného monokryetalickěho zárodku, je upraven do tvaru trubičky o vnitřnim průměru nejmáně 2 mm a délky nejměně 15 mm, která je v mietě průchodu do hlavni růatově ampule mirně zůžena, přičemž do těto trubičky je vložen nejprve kryatalový zarodek váloověho tvaru o průměru menäim nebo rovněm vnitřnimu prnměru trubičky, dále valeček napriklad z křemenněho akla o etejném průměru jako kryetalový...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 269437

Dátum: 11.04.1990

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12, C30B 35/00

Značky: monokrystalů, fáze, pěstování, ampule, halogenidů, plynné, rtuti

Text:

...způaoby použití empula pro pěatování monokrystelů podle vynálezu jsou po paány v následujících příkladech.Křemennárůetová empule o vnitřním průměru 26 mm, zatevená na jednom konci, byla neplněna surovinou chloridu ŕrtutného a poté do ní byla zasunute druhá ampule dnem dovnítř,která měla vnější průměr 2 Š,5 mm tak, že vzdálenost dna růstové ampule od dna zasunuté druhé ampule byla 250 mm. Po vložení této soustevy do pece byl...

Objemová akustooptická jednotka

Načítavanie...

Číslo patentu: 269357

Dátum: 11.04.1990

Autori: Barta Čestmír, Klíma Miloš, Košťál Emil

MPK: G01N 21/00, G02B 5/04, G01J 3/14...

Značky: objemová, akustooptická, jednotka

Text:

...k této boční stěně s píezoelektrickýn nčnlčem je pak umístěn ebsorbér.objemová akustooptícká jednotka podle vynálczu dosahuje oproti dosavadním řeše. nín velkou iířku pąsna akustooptické interakce, což-dovoluje u intenzítního noduléto ru dosáhnout vyäšího nezního nodulačního kmitočtu. Navíc je současně splněna pcdmínka na×inàlnívitupní úhlové apertury, což je zvláätě významne při aplikací ladítelných optických řiltrů s obrazovýni...

Způsob výroby monokrystalů skupiny AIIIBV v podmínkách beztíže

Načítavanie...

Číslo patentu: 269338

Dátum: 11.04.1990

Autori: Barta Čestmír, Tříska Aleš, Moravec František

MPK: C30B 29/40

Značky: podmínkách, aiiibv, výroby, monokrystalů, skupiny, způsob, beztíže

Text:

...nebo jeho taveninou zemezuje parazitní nukleaoi na stěnách ampule, a tím umožnuje dosáhnout vyšší jakosti vypěstovanáho monokiąyrstelu, projevující se nižším obsahom růstových vad, například dislokací a růstových nehomogenit. Uvedeným způsobem lze vypěstovst monokzwstaly skupiny AIHBV větších rozměrů při zachování homogenity v celém objemu.Způsob výroby monokrystslů skupiny AIHBV podle vynálezu je vysvětlen na příkladu pěstováxmí...

Ampule pro růst monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 269286

Dátum: 11.04.1990

Autori: Hejl Milan, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: jednomocné, růst, ampule, halogenidů, rtuti, monokrystalů

Text:

...zvětšuje i celý polykryetelický zárodekl Krystalová zrna, která jsou nejv-ýhodněji orientována vůči smeru izoterm teplotního pole rostou nejrychlcji, a proto postupně zatlačí ostatní méně výhodne orientovaná krystelová zrna a celkový počet jednotlivých krystalů ve Iázovén rozhraní zárodku se výrazně zmenší. Málokdy však tento vývoj vede k nastolení dominantního postavení jediného krystalu.Rovněž použití ampule, v níž krystalový zárodek vzniká...

Způsob tepelného zpracování monokrystalů trigermanátu tetravizmutitého – BGO

Načítavanie...

Číslo patentu: 269285

Dátum: 11.04.1990

Autori: Trunda Bohumil, Boháček Pavel, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Richter Otakar

MPK: C30B 11/00, C30B 29/22, C30B 29/32...

Značky: zpracování, monokrystalů, tetravizmutitého, trigermanátu, tepelného, způsob

Text:

...k teplote o 10 °C nižší, než je teplota tání, tj. 1 050 °C, tohoto monokrystalu.Způsob tepelného zpracování monokryatalů podle vynálezu umožňuje zvýšit luminiscenční účinnost, snížit ebsorbci luminiscence v monokrystalu, a tím i zlepšit energotickou rozli šovací schopno st.Temperaci monokrystalu za vysokého parciálního tlaku kyslíka dochází k dihĺzi kyslíku monokrystalem, a tím se odstraní vakance kyslíku, ktoré se vy-tvořily během růstu...

Optické prvky o zvýšené vzdornosti vůči fotochemickému rozkladu

Načítavanie...

Číslo patentu: 268870

Dátum: 11.04.1990

Autori: Tříska Aleš, Barta Čestmír, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk

MPK: G02B 1/02, C01G 21/16

Značky: fotochemickému, vůči, optické, zvýšené, rozkladu, prvky, vzdornosti

Text:

...nebo více halogenů ze skupiny cl, J, ar které mohou být stejné nebo se od sebe nohou liäit. Při tom optické prvky nohou být nejnéně na části svého povrchu opstřeny antiraľlexní vrstvou jako je 5102, MQFZ, Mgo nebo Ta 2 o 5, nebo nohou být ncjwéně na části svého povrchu opatřcny povlakea alkalického halogenidu obecného vzorce ux, kde symbol M značí Li, Na, K, Rb nebo cs, a syabol x značí halogen.vynález využívá poznatku, že optické prvky...

Měrná kyveta pro stanovení absorpce světelného záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 267610

Dátum: 12.02.1990

Autori: Barta Čestmír, Žemlička Jan, Tříska Aleš, Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk

MPK: G01N 21/00

Značky: kyveta, záření, světelného, měrná, absorpce, stanovení

Text:

...ze zdroje Ž svetelného zàření, ktorý je od svého vstupu 1 do měrné kyvety střídavč ocrálí od víka A a 3 mérné kyvety a po n odrazech opustí výstupem jj měrnou kyvetu.Na bckorysu celého zařízení na obr. A je uvedena usporádání celého zařízení včetně zdroje Q světelného zárení a detektoru lg světelného zátení.Na obr. 5 je zakreslena dráha světcĺnćho paprsku Z v půdorysném průmětu. Měrná kyveta je v tomto případě tvoŕena pouze jedním...

Způsob výroby supravodivého materiálu

Načítavanie...

Číslo patentu: 267465

Dátum: 12.02.1990

Autori: Tříska Aleš, Pokorná Zdena, Barta Čestmír, Pollert Emil, Nevřiva Miloš

MPK: B22F 9/24, H01L 39/12

Značky: materiálů, supravodivého, výroby, způsob

Text:

...podrobena krýstalizaei s výhodou V zadaném směru daném gradientem teploty V rozmezí 0, až 150 °C/cm. Výslcdný produkt je možno podrobit následné temperncí při teplotě 600 až 1 100 OC s výho dou V oxidačnim prostředí V zadaném gradientu teploty V rozmezi O 1 až 1 O OC cm. Y ĺVýhodou způsoąu podle vynálezu je jeho rychlost při současném,2 ískánl supravodivého materiálu vyšších parametrů a možnost získání různých tvarů materiálů vhodných k...

Ampule pro pěstování monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 267414

Dátum: 12.02.1990

Autori: Hejl Milan, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: rtuti, ampule, pěstování, jednomocné, fáze, plynné, halogenidů, monokrystalů

Text:

...na monokrystalický růst. to ie. že se stane dominantním jediné krystalové zrno zárodku a ostatní budou eliminována. bylo navrženo uspořádání. kdy postupně od své špičky se rozšiřuiící ampule je v určité vzdálenosti opět postupně zúžena a od tohoto místa se pak znovu postupně rozšiřuie až Dřeide do válcové části. V tomto případě byla pro chlorid rtutný HgzCL 2 experimentálně zjištěná pravděpodobnost přechodu krystalového zárodku do...

Měrná kyveta pro stanovení absorbce světelného záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 266826

Dátum: 12.01.1990

Autori: Barta Čestmír, Hejl Milan

MPK: G01N 21/03

Značky: stanovení, měrná, kyveta, záření, světelného, absorbce

Text:

...světelného paprsku je zajištěna jeho relativně dlouhá celková dráha v měřeném prostředí, čímž se dosahuje zvýšení citlivosti a přesností měření.obdobných výsledků lze dosáhnout řešením měrné kyvety tvořené vnějším pláštěm uzavřeným dvěma víky podle vynálezu. Podstatou vynálezu je, že vnitřní funkční povrch vnějšího pláště je pokryt reflexní vrstvou, například z hliníku, popřípadě V místě posledního z odrazu světelného paprsku před výstupem z...

Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 266743

Dátum: 12.01.1990

Autori: Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 29/12

Značky: monokrystalů, halogenidů, rtuti, výroby, jednomocné, způsob

Text:

...nedostatku je dosažitelné úplně definovanou krystaloqrafickou orientací, což je účelom předloženěho řešení.Způsob výroby monokrystalü halogenidů jednomocné rtuti podle vynálezu používá způsobu podle čs. patentu 147 476, podle kterého halogenid jednomocně rtuti v uzavřené ampuli po evakuaci a zatavení resublimuje na monokrystal, a způsobu podle PV 1678-87, podle kterého se krystalografický směr (001) odohyluje od směru růstu o úhel 5 °...

Rozebíratelná ampule pro pěstování krystalů jodidů rtuti z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 264067

Dátum: 12.05.1989

Autori: Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír, Gilar Oldřich, Tříska Aleš

MPK: C30B 35/00

Značky: pěstování, rozebíratelná, fáze, ampule, plynné, rtuti, krystalů, jodidu

Text:

...vypěotovanóho kryatalu ą nojaou zâaleka opi~ málni. Při áolüptáváuí ampuleoáâšc dojít jednak k chamickému poš kození krystalu, zogmćną jeho xunhäníah plech a jaduak k Gíiávsmsžůdóuoíoh látok do krystaiu, což nagüäĺřnä Qvĺivawjü äeúü »ą~- 3 ~ - 264 067 zikálni vlastnosti. V průběhu řezání ampulo, například diamantow vou pilou, na druhé straně dochází k mechanickému nąruäcní povrchu i objemu krystalu. Jedná se totiž o materiál vrstvené...

Zařízení k čistění výchozí suroviny vícenásobnou resublimací

Načítavanie...

Číslo patentu: 263339

Dátum: 11.04.1989

Autori: Barta Čestmír, Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 23/00, C30B 35/00

Značky: suroviny, zařízení, čištění, vícenásobnou, výchozí, resublimací

Text:

...suroviny.Těsněpodé 1 vnějšího pláätě g jsou umíatěna nejmáně dvě tepelně cloníci a teplo reflektujićí segmenty Q, 1 . Uspořádáni těchto eegnentů na obr. 1 vyznačuje výchozí situaci. Je rovněž uveden odpoviddjící tepelný průběh.Na obr. 2, 3 a 4 je znázorněno posouváni segmentu Q zvolenou.rychlostí V rozmezi od 0,1 do 40 nm/hod vo sněru podálné osy trubkové pece l vlovo tak dlouho, až mezera mezi segmenty 1 a 3 odpoví kdá šiřee segmentu. Tím...

Způsob výroby monokrystalů halogenidů rtuťných z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 263315

Dátum: 11.04.1989

Autor: Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12

Značky: způsob, rtuťných, monokrystalů, fáze, výroby, plynné, halogenidů

Text:

...také obtížné získat reprodukovatelně stejné výsledky, protože v důsledku aubliuace suroviny, respektive narůatání krystaluuvnitř ampule, se mění v průběhu procesu poloha výaledného těžištěo 2 253 315 anpulc, což může vést k poruše jojí souososti s peci a k nožádoucím změnám radiálniho toplotniho gradiontu uvnitř nonokrystalu.Uvedené nedostatky řeší způsob výroby monokrystalú hnlogonidů rtutných z plynné fázq prováděn vo statické ampuli...

Způsob přípravy povrchové vrstvy s vyšším indexem lomu na monokrystalech kalomelu

Načítavanie...

Číslo patentu: 262917

Dátum: 11.04.1989

Autori: Gilar Oldřich, Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk

MPK: B01J 15/00

Značky: způsob, vyšším, vrstvy, kalomelu, přípravy, povrchové, indexem, monokrystalech

Text:

...opakované přeleště~ mi opticky funkčních ploch u případně úplná, respektive částečně252 917 3 odbrouäoní vzniklé vrstvy na těoh plochách, kdo noní z různých důvodů äádoucí vůboc, nobo kdo je třoba tímto způaobon docílit onížoní indoxu lonu na povrchu vzorku. Tí vznikno povrchovú vrstva oo zvýäonýu indoxon lou s požadovanými paramotry, ktoré aúžo oloužit jako ovětlovodná prostředí.Yzorok nonokryotalu kalomolu Hg 2 c 12 byl vybroušon a...

Způsob přípravy výchozí suroviny pro růst monokrystalů z plynné fáze

Načítavanie...

Číslo patentu: 262039

Dátum: 10.02.1989

Autori: Barta Čestmír, Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 23/00, C30B 29/12

Značky: přípravy, suroviny, růst, výchozí, plynné, fáze, způsob, monokrystalů

Text:

...se z druhá ampule 3 helogenidem rtuč nm vyčerpá vzduch e ampule ee zataví. Tento způsob má zásadní ne výhodu v tom, že při více než jedné eublimaci je nutné čiětěnw,§ 31 292 nan halogenid rtuti sublimovat znovu opačným směrem do původníhovýchozího prostoru první ampule, který je však již znečiětěn netěkavými látkami - nečietotami po první eublimaci. Halogenid rtuti ee tak zpětně znečiščuje a opakované eublimace tak ztrácejísvůj význam. V...

Zařízení pro rychlou optimalizaci teplotních polí v krystalizátorech

Načítavanie...

Číslo patentu: 260928

Dátum: 12.01.1989

Autori: Hejl Milan, Pavlíček Zdeněk, Rybář Vladimír, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: polí, teplotních, zařízení, rychlou, optimalizaci, krystalizátorech

Text:

...teplotu. Tato skutečnost významně přispívá ke zkrácení vývojové etapy a optimalizaci krystalochemických podmínek procesu kultivace krystalů. Popsané zařízení je zvlášt vhodné pro elektricky vyhřívané trubkové krystalizátory ze skla, nerezu a jiného materiálu s nízkou tepelnou vodivostí.Na přiložených obrázcích je uvedeno uspořádání zařízení podle vynálezu. Na obr. 1 je znázorněna vodicí tyč s jedním distančním držákem a jedním posuvným...

Způsob výroby monokrystalů halogenidů jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 259697

Dátum: 17.10.1988

Autori: Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12, C30B 23/00

Značky: jednomocné, způsob, monokrystalů, halogenidů, výroby, rtuti

Text:

...° až 90 °. Monokrystaly halogenidu vypěstované způsobem podle vynálezu vykazují při testování ortoskopickýmí a laaerovými metodami vyšší optickou jakost než monokrystaly halogenídů pěstované v v jiném krystalografickém směru. Vyšší optická jakost je dána ce 1 ýmaouborem ukazatelů, jako je nižší počet šlír a vnítřních praeklin, menší počet nehomogenít v indexu lomu v monokryetalu,nižší rozptyl světle v celém spektrálním rozsahu propustnoeti a...

Detektor záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 259461

Dátum: 17.10.1988

Autori: Barta Čestmír, Pavlíček Zdeněk, Nováková Růžena, Tříska Aleš, Gilar Oldřich

MPK: G01T 1/20

Značky: detektor, záření

Text:

...(Pbclzl má povrch pokryt nanesenou vrstvou oxidu hořečnatého M 90 o tlouštce 10 až 150 nm, případně mezi povrchem scintilátoru a vrstvou oxidu hořečnatého je nanesena ještě vrstva oxidu tantaličného (Ta 205)o tlouščce 10 až 100 nm. Nanesenou vrstvou oxidů může být pokryta také alespoň jedna základna scintilátoru,-případně pouze ta část povrchu scintilátoru, která je spojene s výstupním okénkem detektoru nebo přímo s vyhodnocovacím...

Viacfázový tuhý elektrolyt

Načítavanie...

Číslo patentu: 258647

Dátum: 16.09.1988

Autori: Fedorov Pavel, Barta Čestmír, Sobolev Boris, Trnovcová Viera, Mariani Emil

MPK: H01M 10/39, H01M 6/18

Značky: tuhý, viacfázový, elektrolyt

Text:

...elektrónovou vodivosťou, aby aspoň jedna z fáz bola rýchlym iónovým vodičom fluoridovými tónmi, aby všetky fázy mali dostatočne vysoké a navzájom blízke rozkladné napätie a aby fázový diagram systému bol eutektického typu. Fazu s rýchlou iónovou vodivostou fluoridovými iónmi volíme tak, aby obsahovala aspoň jeden dobre polarizovatelný katiön ťažkého prvku, alebo katión s inertným párom elektrónov a aby mala štruktúru vhodnú pre výskyt...

Zařízení pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 257089

Dátum: 15.04.1988

Autori: Rouček Luděk, Barta Čestmír, Tříska Aleš, Liška Oldřich

MPK: C30B 35/00, B01J 19/00

Značky: látek, krystalizaci, pevných, zařízení, tuhnutí, tavení, temperování

Text:

...V pouzdrech, a nakonec podavače je v části přívrácené k patroně opatřen zámkem s čelní drážkou pŕo výčnělek patrony,přičemž používaný otvor zásobníku manipulační trubice, elektrická pec a podavač jsou souosé.Výčnělkem může být rotační výstupek s profilem T a podavač může být opatřen teploměrem.Výhodou zařízení podle tohoto vynálezu je kratší délka technologické cesty a z toho plynoucí menší rozměry celého zařízení, dále skutečnost, že...

Krystalizátor pro tepelné zpracování pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 254848

Dátum: 15.02.1988

Autori: Tříska, Rouček Luděk, Liška Oldřich, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: tepelně, zpracování, látek, kryštalizátor, pevných

Text:

...pro nedostatek prostoru vůbec není možno používat dvě nebo více zařízení vedle sebe. Ukázalo se proto jako ůčelné a výhodné, aby bylo vyřešeno zařízení které nebude mít nevýhody dosud známých konstrukcí, zejména které umožní aby v případě potřeby bylo možno pracovní podmínky nebo zpracovávané materiály vystřídat, a to případně několikráte. Uvedené cíle byly splněny tímto vynálezem krystalizátoru pro tepelné zpracování pevných látek,...

Způsob přípravy krystalograficky orientovaných krystalů na bázi halogenidu olovnatého

Načítavanie...

Číslo patentu: 255070

Dátum: 15.02.1988

Autori: Gilar Oldřich, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: C30B 29/12

Značky: halogenidů, přípravy, způsob, bázi, krystalograficky, olovnatého, orientovaných, krystalů

Text:

...připraven krystalizacĺ z taveniny nasyceně chlorem, přičemž tavenina vykazovala čistotu 7 N a byla stechiometricky dokonale čistá, tj. obsah olova a chloru odpovídal přesně poměru 12. Krystalizace byla vedena V zatavené, vertikálně uložené křeměnné ampuli o průměru 35 mm, délce 150 mm V ovzduší chloru,jehož tlak čínil při 20 OC 133 Pa. Tavenina Vyplňovala prostor ampule z jedné poloviny,její eměrové tuhnutí od jednoho konce ke druhému bylo...

Způsob přípravy čistých nebo směsných monokrystalů halogenidů olova

Načítavanie...

Číslo patentu: 250401

Dátum: 15.04.1987

Autori: Pavlíček Zdeněk, Tříska Aleš, Gilar Oldřich, Barta Čestmír, Krčová Eva

MPK: C30B 29/12

Značky: čistých, způsob, přípravy, olova, halogenidů, směsných, monokrystalů

Text:

...než odpovídá tenzi 13,3 Pa. Přitom se do taveniny vpravi 0,001 mol 9/0, popřípadě až do nasycení plynu, nebo plynu obsahujícího či uobsahujících halogen jako je C 12, H nebo COBr 2.Povrch reakčního prostoru přicházejícího ve styk s taveninou je vhodné opatřit Ipovlakem na bázi grafitu, popřípadě křemíku nebo dalších látek, které zamezí, popřípadě podstatné sníží smáčení stěn reakčního prostoru.Bylo zjištěno, že vyvinutý způsob přípravy...

Materiál pro detekci ionizujícího záření

Načítavanie...

Číslo patentu: 250088

Dátum: 15.04.1987

Autori: Barta Čestmír, Polák Karel, Tříska Aleš, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk

MPK: G01T 1/202

Značky: detekci, materiál, záření, ionizujícího

Text:

...například fotodiody.Těmto novým požadavkům vyhovuje materiál pro detekci íonizujíciho záření podle vymálezu, jehož podstatou je, že je tvořen monokrystalem chloridu olovnatého aktivovanêho europiem - PbC 12 Eu v rozsahu od 0,01 mol. 0/0 do 5 mol. .Při použití scintilačního níateriálií z monokrystalu chloridu olovnatého aktivovaného europiem PbC 12 Eu se zvýši deteköní účinnost přibližně až o 40 9/0 ve srovnání s klasickým scintilačním...

Scintilační detektor

Načítavanie...

Číslo patentu: 247646

Dátum: 15.01.1987

Autori: Pavlíček Zdeněk, Gilar Oldřich, Barta Čestmír, Nováková Růžena, Tříska Aleš

MPK: G01T 1/20

Značky: detektor, scintilační

Text:

...indexu lomu, nejsou tak kvalitní jako u monokrystalu jodidu sodného, neboť na rozhraní mezi scintilačním krystalickým materiálem a výstupním okénkem, nebo mezi scintilačním detektorem a vyhodnocujícím optoelektronickým prvkem dochází ke ztrátám optického signálu vzhledem k reflexím.Tento nedostatek je odstraněn scintilačním detektorem z monokrystalického materiálu z trigermanátu tetravizmutitého BGO podle vynálezu, jehož podstatou je,...

Způsob elektrického vytápění pracovního pole při zpracování pevných látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 232597

Dátum: 01.01.1987

Autori: Tříska Aleš, Liška Oldřich, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: pracovního, látek, způsob, zpracování, pevných, vytápění, elektrického

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob elektrického vytápění pracovního pole pro tavení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek i za ztížených podmínek gravitace pomocí proudů teplotního záření, při kterém se popřípadě teplota každého proudu samostatně řídí a proměnlivě nastavuje v rozmezí 100 až 1900 °C, například plynule. Na pracovní pole se přivádí teplo dvěma protilehlými proudy teplotního záření, s výhodou vertikálními a souosými, při čemž popřípadě plocha...

Zařízení k elektrickému vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru

Načítavanie...

Číslo patentu: 232596

Dátum: 01.01.1987

Autori: Barta Čestmír, Liška Oldřich, Tříska Aleš

MPK: C30B 35/00

Značky: žáruvzdorného, vytápění, elektrickému, prostoru, pracovního, zařízení

Zhrnutie / Anotácia:

Zařízení k elektrickému vytápění žáruvzdorného pracovního prostoru pro tažení, temperování, tuhnutí a krystalizaci pevných látek i za ztížených podmínek gravitace, obsahující odporový topný prvek a pracovní komoru, která je popřípadě z vnější strany nejméně na jednom místě zesílena, při čemž každé zesílení je popřípadě opatřeno odporovým topným prvkem. Na každé ze dvou protilehlých odvrácených stran pracovní komory s výhodou ve tvaru trubice s...

Způsob připojení elektromechanického měniče na element halogenidu jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 236964

Dátum: 01.10.1986

Autori: Barta Čestmír, Klíma Miloš, Košťál Emil, Novák Jiří

MPK: H02M 1/00

Značky: element, měniče, připojení, elektromechanického, jednomocné, rtuti, halogenidů, způsob

Zhrnutie / Anotácia:

Vynález se týká technologie připojení elektromechanického měniče na element halogenidu jednomocné rtuti difuzí kovových vrstev. Jeho podstata spočívá v tom, že se na povrch halogenidu jednomocné rtuti nanese alespoň jedna vrstva halogenidu dvojmocného prvku, s výhodou napařením, jež se následně opatří kovovou vrstvou.

Kultivační pec pro kultivaci monokrystalů scintilačních látek

Načítavanie...

Číslo patentu: 231338

Dátum: 15.05.1986

Autori: Barta Čestmír, Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk

MPK: C30B 35/00, G01T 1/20

Značky: monokrystalů, látek, scintilačních, kultivační, kultivaci

Zhrnutie / Anotácia:

Kultivační pec podle vynálezu závislá na AO 226 233 je tvořena samostatným válcem, uvnitř kterého je vytvořen kultivační prostor a na kterém je umístěna elektricky izolující vrstva a elektrické topení v jedné nebo více vrstvách. Tepelná izolace je tvořena dvěma cylindrickými válci, mezi nimiž je vytvořen evakuovaný prostor. Tato izolace je samostatná a odnímatelná, a tím je umožněna snadná opravitelnost elektrického topení tím, že se tepelná...

Kultivační, vytavovací nebo temperační zařízení pro výrobu krystalických scintilátorů

Načítavanie...

Číslo patentu: 230541

Dátum: 15.05.1986

Autori: Gilar Oldřich, Pavlíček Zdeněk, Barta Čestmír

MPK: C30B 35/00

Značky: vytavovací, kultivační, temperační, zařízení, výrobu, scintilátorů, krystalických

Zhrnutie / Anotácia:

Kultivační, vytavovací nebo temperační zařízení pro výrobu krystalických scintilátorů, tvořené dvěma cylindrickými koaxiálními plášti, vyznačené tím, že prostor (3) mezi vnějším pláštěm (1) a vnitřním pláštěm (2) je vyplněn grafitovou vatou s vláknem do průměru 100 ?m, přičemž na vnější straně vnitřního pláště (2) je umístěno elektrické topení (4 a 5), které je od pláště (2) odděleno elektricky izolující vrstvou (6) a od prostoru (3) je...

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého a ampule k provádění tohoto způsobu

Načítavanie...

Číslo patentu: 230514

Dátum: 15.05.1986

Autori: Gilar Oldřich, Barta Čestmír, Tříska Aleš, Pavlíček Zdeněk

MPK: G01T 1/20, C30B 15/00

Značky: způsob, rtuťnatého, tohoto, pěstování, jodidu, provádění, ampule, krystalů, způsobu

Zhrnutie / Anotácia:

Způsob pěstování krystalů jodidu rtuťnatého z plynné fáze, kdy se výchozí surovina nachází v oblasti s teplotou Ta rovnou 106 až 126 °C a rostoucí krystal se nachází v oblasti s teplotou Tb rovnou 85 až 125 °C, vyznačený tím, že vlastní růst krystalů jodidu rtuťnatého, které se pěstují s výhodou na krystalograficky orientovaných zárodcích, které rostou ve směrech (001), (100) nebo (110) s odchylkou plus 45° nebo minus 45° a růst je řízen...

Monolitický polarizační hranol z monokrystalu halogenidu jednomocné rtuti

Načítavanie...

Číslo patentu: 226135

Dátum: 15.04.1986

Autori: Barta Čestmír, Trnka Jaroslav

Značky: hranol, polarizační, monolitický, halogenidů, monokrystalů, rtuti, jednomocné

Zhrnutie / Anotácia:

Monolitický polarizační hranol z monokrystalu halogenidu jednomocné rtuti, vyznačený tím, že jeho průřez tvaru pravoúhlého lichoběžníka je vymezen body ABDEFG, přičemž vztahy mezi jednotlivými body jsou dány soustavou rovnic:, kde ? je úhel, pod kterým dopadá svazek záření na plochu polarizačního hranolu s projekcí AG, ? je úhel odklonu plochy polarizačního hranolu s projekcí BD od plochy hranolu s projekcí, AF je projekce plochy polarizačního...