Membrána pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu

Číslo patentu: 252232

Dátum: 13.08.1987

Autori: Semler Miloslav, Panoch Miroslav

Stiahnuť PDF súbor.

Text

Pozerať všetko

ÚŘAD mo VYNÁLEZY A omevv(54) Membrána pro vápníkovou iontově selektivní eloktroduMembrána pro vápnikovou iontově selektivni elektrodu se zlepšenimi koeficienty selektivity, na bázi neutrálniho nosiče- substituovaného diamidu kyseliny 4,5-dimetyl-3,6-dioxaoktandiové bez rozlišení konfigurace na uhlíkových atomech 4 a 5,čehož je dosaženo tím, že amidické dusikové atomy diamidu jsou symetricky substituovány dvěma fenyly a dvěma 2-n-alkyloxyetyly, strukturniho vzorcevynález se týká membrány pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu se zlepšenýmiV praxi jsou široce použivány vápníkové iontově selektivní elektrody s membránou tvořenou filmem plastické hmoty, v níž je vhodným způsobem zabudována vlastni aktivní látka.Jednou skupinou aktivních látek, používaných pro přípravu těchto membrán jsou tzv. neutrální nosiče. Přípravu, použití a vlastnosti neutrálnich nosičú s acyklickým řetězcem popsal Simon se spolupracovniky (D.Amman, R.Bissing, M. Goggi, E.Pretsch, W. Simon Helv. Čhim.Acta §§, 1 535 /1975/). Dále byly popsány nosiče na bázi substituovaných diamidü kyseliny 4,4,5,5-tetrametyl-3,6-dioxaoktandiové 5 otevřeným řetězcem (M.Panoch, M.Semler,0.Ryba, J.Petránek čs.autorské osvědčení č. 213 944) a některé další s cyklickým řetězcem. Použití neutrálních nosičů rozšířilo možnosti analytické aplikace elektrody zlepšením selektivních vlastností.K dalšímu zlepšení koeficientu selektivity vápnikové iontově selektivni elektrody E neutrálnĺmi nosiči na bázi substituovaněho diamidu kyseliny 4,5-dimetyl-3,6-dioxaoktandiové,bez rozlišení konfigurace na uhlikových atomech 4 a 5 dojde použitím neutrálního hosiče podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že amidícké dusíkové atomy diamidu jsou symetricky substituovány dvěma fenyly a dvěma 2-n-alkyloxyetyly, to je látek strukturnĺho vzorcekde R je n-alkyl, CnH 2 n 1, S počtem qhlíkových atomů 8 až 11, jako je N,N-difenyl-N,N-di-(2-n-oktyloxyetylłdiamid kyseliny 4,5-dimetyl-3,6-dioxaoktandiové nebo N,N-difeny 1 ~N,N-di-(2-n-undecyloxyetyl)~diamid kyseliny 4,5-dimetyl-3,6-dioxaoktandiové.Membrány s těmito neutrálnimi nosiči vykazují širokou oblast lineárni Nernstovské odezvy na aktivitu vápenatých iontů, zlepšenou selektivitu pro vápenaté ionty vůči iontům alkalických kovů, rychlou odezvu a malý drift potenciálu elektrody. Všechny uvedené membrány dosáhnout při změně koncentrace vápenatých iontů, c lO 4 mol/1 na c 10-2 mol/1 95 směrnice do 20 sekund a drift potenciálu pro Vápenaté ionty. c 10-2 mol/l je menší než 1 lmv/24 h.složení membrán, odezva a selektivni vlastnosti jsou patrně z následujících příkladů. P ř I k la d 1 Byla zhotovena membrána tlouššky 0,2 mm 0 složení 0,77 hmot. neutrálního nosiče, konkrétně N,N-difenyl-N,N-di-(2-n-oktyloxyetyl)-diamid kyseliny 4,5-dimety 1-3,6-dioxaoktandiové, bez rozlišení konfigurace na uhlikových atomech 4 a 5, strukturního vzorce38,67 hmot. vysokomolekulárního polyvinylchloridu. Z membrány byla zhotovena elektrodaS referentním elektrolytem CaCl 2 0 koncentraci 0,1 mol/1 a vnitřní referentnĺ argetichloridovouelektrodou. Měření bylo prováděno při teplotě 239 až 295 K v článku s nasycenou kalomelovouelektrodou. Pro vodné roztoky chloridu vápenatého byly naměřeny tyto hodnoty elektromotorickéMetodou oddělených vzorků za použití vodných roztoků chloridů příslušných kationtůo koncentraci 0,1 mel/1 byly při teplotě 293 až 295 K stanoveny pro elektrodu tyto hodnotyByla zhotovena stejně tlustá membrána jako V příkladu 1 o složení 0,86 hmot. neutrálniho nosiče jako v přĺkladu 1, 0.43 hmot. tetrafenylboritanu sodného, 60,08 hmot o-nitrofenyl-n-dodexyletheru a 38,63 hmot. vysokomolekulárniho polyvinylchloridu. Membránabyla měřena ve stejném uspořádání a stejným způsobem jako v příkladu 1. Odezva elektrodya její koeficienty jsou dále uvedenyByla zhotovena stejně tlustá membrána jako v příkladu 1 o složení 1,23 hmot. neutrálniho nosiče, konkrétně N,N-difeny 1-N,N-di-(2-n-undecyloxyetyl)-diamid kyseliny 4,5-dimety 1-3,6-dioxaoktandiové, bez rozlišení konfigurace na uhlikových atomech 4 a 5, strukturniho0,59 hmot. S tetrafenylboritanu sodného, 59,76 hmot. 2 o-nitrafenyl-n 4 okty 1 etheru a 38,42 hmot. 3 vysokomolekulárniho polyvinylchloridu. Membrána byla měřena stejně jako v příkladu 1 a výsledky měření jsou uvedeny dáleByla zhotovena stejně tlustá memhrána jako v přikladu 1 o složení 1,49 hmot. neutrálniho nosiče jako v příkladu 3, 0,67 hmot. tetrafenylboritanu sodného, 59,55 hmot. o-nitrofenyl-n-dodexyletheru a 38,29 hmot. vysokomolekulárniho polyvinylchloridu. Membrána byla měřena stejně jako V přikladu 1 a výsledky měření jsou uvedeny dále

MPK / Značky

MPK: C25B 13/08

Značky: membrána, elektrodu, iontově, selektivní, vápníkovou

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/5-252232-membrana-pro-vapnikovou-iontove-selektivni-elektrodu.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Membrána pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu</a>

Podobne patenty