Membrána pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu

Číslo patentu: 246679

Dátum: 13.03.1986

Autori: Jíša Pavel, Majer Josef

Stiahnuť PDF súbor.

Text

Pozerať všetko

22153312272 PD PIS vYNÁLEzu 246679Aumrvyníhzu PANOCH MIROSLAV RNDI., SEMLER MILOSLAV RNDr., TURNOV(54) Mombránn pro vápnlkovou Iontově solokiivní oloktroduMembrána pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu, u níž je doaaženo širší oblasti lineárni Nerstovské odezvy na aktivitu vápenatých iontů, zlepšené selektivity pro vápenaté ionty vůči iontům alkalických kovů, rychlé odezvy a malého driftu potenciá 1 uelektrDdy, tvořené filmem plastické hmoty např. vysokomolekulárnim polyvinylchloridem, měkčené změkčovadlem jako o-nitrofeny 1 ~n-alkyletherem, kde jako neutrálniho nosiče je použito diamídu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové, bez rozlišení konfigurace na uhlíkovém atomu 4, jehož imidické dusikové atomy jsou symetricky substituovány dvěma fenyl a dvěma 2-n-alkyloxyethyly. schematického strukturního vzorcekde -R je n-alkyl -CnH 2 n 1, 5 počtém uhlíkových atomů 8 až 11, jako N,N-difenyl-N,N-di-(2-n-oktyloxyethyl)diamidu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové nebo N,N-difeny 1-N,N-di-(2-n-undecyloxyethylldiamidu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové.vynález se týká membrány pro vápníkové iontově selektivni elektrody.Pro dosud známé s v praxi používané vápnikové iontově selektivni elektrody jsou používány různé typy funkčních membrán.Jednou skupinou látek, aplikovaných v plastických membránách vápníkové iontově selektivní elektrody jsou takzvané neutrální nosiče, jejichž připravu a použití popsal Simon se spolupracovniky (D. Amman, R. Bissig, M. Güggi, E. Pretsoh, W. Simon Helv. chim. Acta § 31 1535 /1975/). Dále byly pcpsány nosiče na bázi substituovaných diamidů kyseliny tetramethyltriglykolové s acyklickým řetězcem (M. Panoch, M. Semler, 0. Ryba, J. Petránek, če. autorské osvědčení č. 213 944).Použití neutrálnich nosičů rozšiřilo možnosti analytické aplikace elektrody zlepšením selektivnich vlastnosti. Simonem popsané deriváty kyseliny methyltriglykolové l 4-methyl-3,6-dioxakorkovä však přesto vykazuji nízkou selektivitu vůči prakticky důležitým interferentůmnKe zvýšení selektivity vápnikové iontově salektivní elektrody s membránou s nsutrálnim nosičem na bázi substituovaných diamidů kyseliny 4-methyl-3,G-dioxakorkové se dojde použitím membrány, tvořsné filmem plastické hmoty, jako je vysokomolekulární polyvinylchlorid, měkčené změkčovadlem, jako je o-nitrofenyl-n-alkylether, podle vynálezu, jehož podstata spočivá v tom,že jako neutrálniho nosiče je použito diaminu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové, bez rozlišení konfigurace na uhlikovém atomu 4, jehož amidické dusikové atomy jsou symetricky substituovány dvěma fenyly a dvěma 2-n-alkyloxyethyly, schematického strukturního vzorcekde -R je alkyl, -CnH 2 n 1, s počtem uhlikových atomu n 8 až 11, jako N,N-difenyl-N,N-di-(2-n-oktyloxyethyl) diaminu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové nebo N,N-difenyl-N,N-di-(2-n-undecyloxyethyl) diamidu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové.Membràny s těmito neutrálnimi nosiči vykazuji širokou oblast lineárni Nernstovské odezvy na aktivitu vápenatých iontú, zlepšenou selektivitu pro,vápenaté ionty vůči iontům alkalických kovů, rychlou odezvu a malý drift potenciálu elektrody.Běžným způsobem byly připraveny polymerní membrány tloušřky 0,2 mm o složení 38,20 hmot. procent vysokomolekulárniho polyvinylchloridu, 59,42 hmot. o-nitrofenyl-n-oktyletheru,0.81 hmot. tetrafenylboritanu sodného a 1,57 hmot. neutrálního nosiče podle vynálezu,konkrétně N,Ň-difeny 1-N,N-di-(2-n-oktyloxyethyl) diamidu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové,bez rozlišení konfigurace na uhlikovém atomu 4, strukturního vzorce. Z membrány byla zhotovena elektroda s referenčnim roztokem roztokem Caclz o koncentraci c 0,1 mol/1 a vnitřní referenčni argentchloridovou elektrodcu. Tato vápniková íontově selektívni elektroda byla měřena V článku s nasycenou kalomelovou elektrodou při teplotě 293 Í 1 K. Ve vodných roztocich chloridu vápenatého byly naměřeny dále uvedené hodnoty elektromotorickéelektromotorická sila EMS v mvPro elektrody byly metodou oddělených vzorků za použití vodných roztoků chloridů příslušných 0,1 mol/1 při teplotě 293 ľl K stanoveny dále uvedené koeficíentyByla připravena stejně tlustá membrána o složení 38,53 hmot. polyvínylchloridu, 59,92 hmot. 0-nitrofenyl-n-oktyletheru, 0,49 hmot. E tetrafenylboritanu sodného a 1,06 hmot. procent neutrálniho nosiče, konkrétně N,N-difeny 1-N,N 4 di-(2-n-undecyloxyethyl) diamidu kyseliny 4-methyl-3,6-dioxakorkové bez rozlišení kdnfigurace na uhlíkovém tomu 4. stejně jakov příkladu 1 byla zhotovena vápníková iontově selektivni elektroda e měŕena její odezva na aktivitu vápníkových iontů a koeficienty selektivity. Byly naměřeny tyto hodnotystejně tlustá memhrána o složení 38,32 hmot. polyvinylchloridu, 59,59 hmot. o-nitrofenyl-n-dodecylatheru, 0,72 hmot. 5 tetrafenylboritanu sodného a 1,37 hmot. stejného neutrálniho nosiče jako V příkladu 1 byla použita pro zhotovení vápnikové iontově selektivni elektrody, která byla měŕena stejně jako v pŕíkladu 1 a byla zjištěna jednak odazva na aktivitu vápenatých iontú a koeficienty selektivity. Byly naměŕeny tyto hodnoty

MPK / Značky

MPK: C25B 11/04

Značky: elektrodu, selektivní, iontově, membrána, vápníkovou

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/5-246679-membrana-pro-vapnikovou-iontove-selektivni-elektrodu.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Membrána pro vápníkovou iontově selektivní elektrodu</a>

Podobne patenty