Sposob tvarovania výkonových solitónových impulzov v pikosekundovej oblasti

Číslo patentu: 254013

Dátum: 17.12.1987

Autori: Véghová Klára, Červeň Juraj, Oravec Július, Kukuča Roman

Stiahnuť PDF súbor.

Text

Pozerať všetko

URAD PRO WNMEY (45) Vydané 15 11 sa A cum .(75) Autor vynâlezu QRAVEQ ÚLIUS doc. ing. CvSc., VÉGHDVÄ KLÁRA ing. CSC.,CERVEN IURA ing., KUKUCA ROMAN ing., BRATISLAVA54 Spôsob tvarovania výkonnvých solitñnových impulznv v piknsekundovei oblastiSpôsob tvarovanie výkonových solitónových impulzov V pikosekundovej oblasti sa dá použit V systémoch na moduláciu svetelných impulzov V optoelektronike, V meracej technike pikosekundových javov, v mikrovlnných fázových závesoch, na testovanie frekvenčných vlastností lineárnych sústav, V obvodoch veľmi rýchlych počítačov, V experimentálnej jadrovej iyzike a podobne.Principiälne odlišný spôsob od existujúcich na tvarovanie elektromagnetických impulzov výplynul z teórie nárazových vĺn a teórie solitönov, podľa ktorej sa dá pre nelineärne prostredia s disperziou stanoviť horná hranica rýchlosti časových zmien elektromagnetických veličín šíriacich sa v nom.Podstata uvedeného spôsobu tvarovanie impulzov spočíva v tom, že V procese šírenia vstupnej impulznej vlny v nelineárnom prostredi s parametrizovanými vlastnosťami po vyformovani nárazovej vlny so stacionárnou zónou nespojitosti vzniká súbor solitónových vIn a separuje sa jediný solltónový impulz s minimálnou dĺžkou a maximálnym výkonom.vynález sa týka spôsobu tvarovanie výkonových solitónových impulzov V pikosekun- dovej oblasti V nelineárnom disperznom pro stredí. Principiálne odlišný spôsob od existujúcich na tvarovanie elektromagnetických impulzov vyplynul z teórie narazových vĺn a teórie solitónov, podľa ktorej sa dá pre nelinearne disperzné prostredie s diskrétnou štruktúrou stanoviť horná hranica rýchlosti časových zmien elektromagnetických veličín šíriacich sa v ňom. Interakcnými účinkami prostredia a vlny v ňom sa dá na základe parametrických podmienok,stanovených autormi vynálezu, táto hranica dosiahnut.Časové parametre veľmi krátkych impulzov získaných známymi spôsobmi sú limitované rýchlosťou preklápacích procesov tvarovacích systémov. Rýchlosť preklápacích procesov v dlskrétnych výkonových tvarovačoch vylučuje ich priame použitie v pikosekundovej technike. Spôsoby tvarovania impulzov v systémoch s diódami s nahromadeným nábojom, obvodmi CMOS s komplementarnymi unipolarnymi tranzistormi, obvodmi NMOS s unipolárnymi tranzistormi a kanálom typu N, ďalej obvodmi so zdokonalenou Schottkyho tranzistorovotranzlstorovou logikou ASTTL, obvodmi ECL s emitorovo viazanou logikou umožňujú tvarovať impulzy s časmi od rádovo desiatok ns~ do stoviek ps podľa použitých systémov.Nevýhodou skôr uvedených systémov na báze integrovaných obvodov sú veľmi malé výkony, ktoré V optimálnych aplikáciach nepresahujú rádovo stovky mW. Spôsoby na báze diöd s nahromadeným náhojom sú výkonovo priaznivejšie, avšak opakovania frekvencia tvarovaných impulzov nepresahuje stovky kHz.Uvedené nedostatky odstraňuje spôsob tvarovanie výkonových solitónových impulzov v pikosekundovej oblasti využitím javov tvarovania nárazových a solitónových elektromagnetických vĺn, ktorým sa minimalizuje dlžka impulzov a zvyšuje hranica okamžitých výkonov V porovnaní so známymi spôsobmi podľa vynálezu, podstata ktorého je v tom, že V procese šírenia vstupnej impulznej vlny v nelineárnom disperznom prostredí s parametrizovanými vlastnosťa 4mi po vyformovaní nárazovej vlny so stacionárnou zónou nespojltosti vzniká súbor solitónových vĺn a separuje sa jediný solitónový impulz s minimálnou dĺžkou a maximálnym výkonom.Parametre elektromagnetických účinkov na šíriacu vlnu sú definované vlastnosťami prostredia tak, že- charakter nelinearity prostredia musi vyhovovat podmienke vzrastu preletových rýchlostí funkčných hodnôt vlny pri rastúcom vybudení systému tvarovanie- prostredie ako disperzný prostriedok pôsobenia na impulznú vlnu musí mat vlastnosti dolnopriepustného filtračného systému- bezstratový prenos energie vyšších zložiek spektra generovaných nelinearitami musí byť garantovaný vysokou kvalitou reaktančných prvkov filtračného DP systému.Spôsobom tvarovania podľa vynálezu sa dosahuje pokrok, ktorý sa prejavuje tým, že posúva hranicu minimálnych dlžok elektromagnetických impulzov do oblasti rádcvo desiatok ps, hranicu okamžitých výkonov do oblasti radovo desiatok W.Počítačovou simuláciou spôsobu tvarovania boli získané dva príklady získania solitónových výkonových impulzovObr. 1 - zo zvcnového tvaru vstupnej impulznej vlnyObr. 2 - z trojuholnikového tvaru vstupnej vlny.Vzťahovými znakmi na príkladoch sú označené4 osamotena vlna výkonového solitónového impulzu po separáciíSpôsob tvarovania výkonových solitónových impulzov v pikosekundovej oblasti sa dá použiť v rade vedeckotechnických odborov, napríklad v experimentálnej jadrovej fyzike, v meracej technike pikosekundových javov, na moduláciu svetelných impulzov v optoelektronike, na testovanie frekvenčných vlastnosti lineárnych sústav, v mikrovlnných fázových závesoch, V obvodoch veľmi rýchlych počítačov a podobne.Spôsob tvarovanie výkonových solitónových impulzov v pikosekundovej oblasti,ktorým sa minimalizuje dosiahnuteľná dlžka elektromagnetických impulzov na radovo desiatky ps, hranicu maximálnych okamžitých výkonov posúva do oblasti rádovo desiatok W, vyznačujúci sa tým, že vstupná impulzná vlna sa šíri v nelineárnom prostre di s parametrizovanými nárazovými vlastnosťami, po vyformovaní nárazovej vlny so stacionárnou zónou nespojitosti sa šíri v nelineárnom disperznom prostredí s parametrizovanými solitónovými vlastnosťami a separuje sa jediný solitónový impulz s minimálnou dĺžkou a maximálnym impulzným výkonom.

MPK / Značky

MPK: H03K 5/01

Značky: impulzov, výkonových, solitónových, oblastí, spôsob, pikosekundovej, tvarovania

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/4-254013-sposob-tvarovania-vykonovych-solitonovych-impulzov-v-pikosekundovej-oblasti.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Sposob tvarovania výkonových solitónových impulzov v pikosekundovej oblasti</a>

Podobne patenty