Spôsob výroby veľmi rýchlej výkonovej diódy

Číslo patentu: 244978

Dátum: 15.11.1987

Autor: Pliskanovskij Stanislav Tichonovie

Stiahnuť PDF súbor.

Text

Pozerať všetko

(751 Autor vynálezu DUDÍK MIROSLAV ing., PIESTANY(50 Spôsob výroby veľmi rýchlej výkonovej diódyRiešenie sa týka spôsobu výroby veľmi rýchlej výkonovej diódy. Podstatou navrhovaného spôsobu je, že kremíková epitaxná doska 0 štruktúre NNP sa z-o spodnej strany zbrúsi, následne nadífunduje, opätovne zbrúsi, spodná strana dosky sa opatrí 2 obojstranne symetrickýmí kovovými kontaktmi a doslka sa jednostranne chemicky rozčlení na jednotlivé systémy.-Vytíäléz sa týka spôsobu výroby velmi rýohlej výkonovej diódy, ktorá má velmi nízky úbytok napätia v prednom smere a môže pracovať s vysoko pracovnou rýchlosťou.Podľa doteraz známeho spôsobu sa prevýrobu velmi rýchlych výkonových diód s nízkym úbytkom napätia v prednom smere využíva mesa techn-ológia kombinovaná so sklenno-u pasivaciou PN prechodu, pri ktorej sa do- epitaxnej vrstvy N typu narastenej na nízkoodporovom substrate N vytvorí PN prechod difüziou akceptoru, ďalej sa kremiková .doska naoxiduje, zavedú sa do nej rekombinačné centrá, napr. difúziou zlata k získaniu vysokofrekvenčných vlastností,spodná strana kremikovej dosky sa vybrúsi a v epitaxnej vrstve sa vyleptajú kanáliky až pod PN prechod za použitia fotolitografickej techniky, dalej sa do vyleptaných kianalov nanesie pasivačné nizkoalkalické sklo,staví sa, naneste sa metalizácia napr. Ni chemickou cestou alebo naparovaním vo vákuu a nakoniec sa kremiková doska rozčlení mechanicky pomocou diamantových píl na jednotlive systemy. Taíkto získané systémy sa zapuzdria pomocou fólii mäkkej spájky do kovového alebo puzdra z umelej hmo-tyr-Nevýhodotu. tohtospôsobu je značná zložitosť technologického postupu s vysokými nárokmi na vybavenosť drahými zariadeniam 1. Ďalším známym spôsobom výroby velmi rýchlych výkonových diód s nízkym úbytkom napätia v prednom smere je Schottkyho technológia, ktorá spočíva vo vytvorení bariérového kontaktu medzi kovovou vrstvou a polovodičom, čo zaisťuje získanie vysokej pracovnej rýchlosti a nízkeho úbytku napätia v prednom smere. Nevýhodou tohto spôsobu je obtiažnosť vyrábať velikoplošné výkonové diody s požadovanou reprodukovateľnostou a ďalej, že nemožno za súčasného stavu techniky dosahovať vyšších záverných napätí ako 70 V, ~čo postačuje pre výstupné napätia napájacích zdrojov len do maximalne 10 V.Uvedené nevýhody stávajúceho stavu techniky je možné v značnej miere znížiť použitím spôsobu výroby velmilrýchlej výkonovej diody s nízkym übytkom napätia v pred 4nom smere podľa vynalezu, ktorého podstata spočíva v tom, že kremíková epitaxná doska o štruktúre NNP sa zo sp-odnej strany zbrúsi k zaisteniu vysokého getračného účinku pre vysokoteplotné operácie. Po následnom nadifundovaní a opätovnom zabrúsení spodnej strany kremikovej doslky sa táto opatrí obojstranne symetrickými kovovými kontaktmi a jednostranne sa chemicky rozčlení na jednotlivé systémy.Na pripojenom výkrese obr. 1 znázorňuje epitaxnú kremikovú dosku, obr. 2 zbrúsenü epitaxnú dosku, obr. 3 predstavuje obojstranne nadifundovanú epitaxnü dosku, obr. 4 opätovne zbrúsenú dosku a na obr. 5 je jednostranne rozčlenený systém.Konkrétnym príkladom využitia spôsobu výroby podľa vynálezu je postup výroby 25 A veľmi rýchlej usmerňovacej diódy, pri ktorom sa kremiková doska s epitaxn-ou vrstvou N typu vodivosti 2 hrúbkou 35 mm o špecifickom odpore 3 až 6 cm, narastenou na substrátovej kremikovej doske 1 .o špecifickom odpore pod 0,005 cm zbrúsi zo spodnej strany o 50 um hru-stvom o velkosti zrna 10 až 30 rn, prevedie sa do nej diiúzia bóru 3 do hlbky 17 m o maximálnej povrchovej koncentrácii, nadifunduje sa donej zlato, doska sa zbrúsi na 250 m. Po tom sa naparia vo vákuu symetricke Ni kontakty o priemere 5 mm a tieto sa -opatria spájkou PbSnl 4 pomocou ponorenia do taveniny, na P stranu sa naneste asfaltový lak a doska sa rozčleni v zmesi kyselín HNO 3 HF 51. Po rozpustení asfaltoveho laku v organickom rozpüšťadle sa získané systémy zapuzdria do kovového puzdra včetne zapasivovania PN prechodu silikonovým kaučukom. Takto vyrobené usmerňovacie diody majú zotav-o-vaciu dobu v záver nom smere 30 až 60 S, úbytok napätia v.prednom smere pri 25 A pod 0,8 V a záverné napätie pri 100 A je vyššie ako 170 V. Potreba týchto diod v poslednom čase prudko stúpa, pretože pri vysokej pracovnej rýchlostl sa vyznačujú nepatrnou energetickou stratou a môžu byť preto výhodne používané v impulzne riadených napájacích zdrojoch pre elektronické počítače, ich výstupné jednotky a iné elektronické zariadenia.Spôsob výroby velmi rýchlej výkonovej diody s nízkym úbytkom napätia V prednom smere z kremikovej epitaxnej dosky nadifundovanej zlatom o štruktúre NNP, vyznačený tým, že kremíkova epitaxna doska sa pred viysokoteplotnými operáciami zospodnej strany zbrúsi na definovanú drsnost a následne nadifundovaná, opätovne zbrúsená, obojstranne nakontaktovaná kremiková doska sa jednostranne chemicky rozčlení na jednotlivé systémy.

MPK / Značky

MPK: H01L 21/02

Značky: výkonovej, výroby, diody, rýchlej, velmi, spôsob

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/3-244978-sposob-vyroby-velmi-rychlej-vykonovej-diody.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Spôsob výroby veľmi rýchlej výkonovej diódy</a>

Podobne patenty