Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr

Číslo patentu: 218176

Dátum: 15.09.1984

Autori: Osvald Jozef, Chromik Štefan

Stiahnuť PDF súbor.

Zhrnutie / Anotácia

Vynález sa týka spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektromechanických metód ovrstvenia tenších odpovedajúcich štruktúr a odstraňuje nutnosť používať pomerne hrubé vrstvy elektrónových rezistov, ktoré znemožňujú presné vytvorenie obrazcov submikrometrových rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike.

Text

Pozerať všetko

(75) . . Autor vynálezu CHROMIK ŠTEFAN ihg., STUPAVA, OSVALD JOZEF ing., BRATISLA VA(54) Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr.Vynález sa týka spôsobu vytvánanía submíkrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k šírke. Umožňuje pripraviť takéto štruktúry bez použitia elektrornechanických metód ovrstvenią tenších odpovedajúcich štruktúr a odstraňuje nutnosť používať pomerne hrubé vrstvy elektrónových rezistov, ktoré znemožňujú presné vytvorenie olorazcov submikrometro~ vých rozmerov. Vynález má použitie v mikroelektronike.Vynález sa týka spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr s vysokým pomerom výšky obrazcov k ich šírke.Doteraz známe postupy sú nasledovné. Jedna z metód používa za účelom zabezpečenia vysokého pomeru výšky obrazcov k šírke nanesenie dvoch vrstiev rezistu oddelených tenkou kovovou vrstvou. Obrazec sa elektrónovou litografíou vytvorí vo vrchnej rezistovej vrstve, prenesie sa do kovovej vrstvy a táto potom slúži ako in situ maska pre röntgenovú litografiu na spodnej rezistovej vrstve. Iná metóda používa kombináciu elektrónovej a hlbokej UV litografie. V tomto prípade vrchná vrstva neprehlladmého rezistu alebo kovu slúži ako maska pri tvarovłaní spodnej rezistovej vrstvy hlbokou UV litografiou. Pri metóde je potrebné použit vhodnú kombináciu rezistov. Nevýhodou týchto metód je nutnost používať dva lŤtografické postupy a používať pomerne hrubé vrstvy rezistu, ktoré znižujú vernost prenosu. obrazca.Uvedené nevýhody v podstatnej miere odstraňuje vynález.Podstata spôsobu vytvárania submikrometrových štruktúr podľa vynálezu spočívav tom, že na podložku sa nanesie základnávrstva materiálus odprašovacím koeficientom k 2 1 pri energií dopadajúcich iónov orgánu 200 eV, s výhodou nanesenia zlatej vrstvy, na ktorú sa nanesie medzivrstva plazmochemicky lcptateľného materiálu s odprašovacím koeficientom k ł 0,4, s výhodou nanesenia medzivrstvy z nióbu, v ktorej sa lítograficky a pomocou plazmochemického leptania vytvorí štruktúra so submikromet rovými rozmermi a takto vytvorená medzivrstva tvorí masku pri prenesení obrazca do základnej vrstvy pôsobením vysokofrekvenčného» výboja inertného plynu.Výhodou spôsobu podľa vynálezu je, že odstraňuje nutnosť použit dva litografícké postupy, hrubé vrstvy rezistu PMMA a takisto potrebu elektrochemického zhrubovania používaného pri niektorých technológiách.Na pripojenom výkrese a to na obr. 1 je znázornená kremíková podložka s nanesenou vrstvou zlata, na obr. 2 je už nanesená vrstva .nióbu, na obr. 3 je znázornená vytvorená rezistová (PMMA) vrstva, na obr. 4 vidiet preneseníe obrazca z rezístu do m.askovacej vrstvy níóbu plazmochemickým leptaním a na obr. 5 je znázornená vytvarovaná zlatá vrstva pomocou vysokofrekvenčného leptania.Príklad Na kremíkovú podložku sa vákuovým na parením nanesie hned požadovaných 300 až.400 nm zlata. Potom sa nanesie asi 50 nm hrubá vrstva nióbu, ktorá sa pokryje rezistom (PM 1/IA) polyrnetylmetakrylátu, v ktorom vytvorí požadovaný obrazec. Tento obrazec sa prenesie do vrstvy nióbu reaktívnym plazmochemickým leptaním, ktoré neleptá zlatú vrstvuýV ďalšom obrazec V nióbe tvorí masku pre leptanie zlatej vrstvy voveľký rozdiel rozprašovacích koeficíentov~níóbu a zlata. Namiesto nióbovej vrstvy jemožné použit i iný materiál, ktorý má nízky rozprašovací koeficient a ktorý je možné plazmochemicky tvarovať.Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr pomocou plazmochemického leptania a leptanía vo vysokofrekvenčnom výboji inertného plynu vyznačujúci sa tým, že na podložku sa nanesie základná vrstvamateriálu s odprašovacím koeficientom k z 1 pri energií dopadajúcich íónov argónu 200 eV, s výhodou nanesenia zlatej vrstvy,na ktorú sa nanesie medzivrstva plazmoche micky leptateľného materiálu s odpnašovacím koeficientom k s 0,4, s výhodou nanesenia medzivrstvy z nióbu, v ktorej sa litograficky a pomocou plazmochemického leptania vytvorí štruktúra so submíkrometrovými rozmermi a takto vytvorená medzivrstva tvorí masku pni prenesení obrazca do základnej vrstvy pôsobením vysokofrekvenčného výboja inertného plynu.rvwrv WWW ľľrwo www ofłłłofofoĺ 202020202520. 02902020201 402020202

MPK / Značky

Značky: struktur, spôsob, vytvárania, submikrometrových

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/3-218176-sposob-vytvarania-submikrometrovych-struktur.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Spôsob vytvárania submikrometrových štruktúr</a>

Podobne patenty