Zapojení taktovacího obvodu

Číslo patentu: 215835

Dátum: 20.12.1983

Autori: Vojta Ludomír, Hájek Antonín

Stiahnuť PDF súbor.

Zhrnutie / Anotácia

Vynález se týká zapojení taktovacího obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci, zejména pro opakovače systémů s pulsně kódovou modulací - PCM. Při přenosu PCM signálu dochází k jeho zkreslení, které se projevuje změnou tvaru, amplitudy a časovou nestabilitou přenášených impulsů. Taktovací obvod umožňuje obnovení časové polohy pomocí krystalu, který je buzen sinusovým signálem, vznikajícím v paralelním rezonančním obvodu, buzeným tvarově obnovenými impulsy. Vysoký činitel jakosti krystalu je snížen na požadovanou hodnotu impedancí paralelního rezonančního obvodu přes laděný transformátor, připojený na jeden vývod krystalu a odporem připojeným na druhý vývod krystalu. Amplituda vybuzených tlumených kmitů není závislá na hustotě přicházejícího kódu.

Text

Pozerať všetko

75 Autor vynálezu VOITA LUDOMÍR ing. CSc., HÁIEK ANTONÍN ing., PRAHAVynález se týká zapojení taktovaciho obvodu s krystalem pracujicím V sériové rezonanci, ze~ jména pno oipakovąače systémů s pulasně kódovou modulaci - PCM.Při přenosu PCM signálu dochází k jeho zkreslení, které se pnojievuje změnou tvaru, amplitudy a časovom nestabilnou přenášených impulsü. Taktovaci obvod umožňuje obnovení časové polohy .pomocí krystalu, který je buzen sinusovým sig.nálem, vznikajicím V paralelním rezonančnim obvodu, buzeným tvaräově obnovenými impulsy. Vysoký činitel jakosti Krystal-u je snižen na požadovanon hodnotu impedancí paralelního rezonančního obvodu přes laděný transformálor, připojený na jeden vývod kryshaiu a odporom připojeným na druhý vývod Krystal-u. Amplituda vybuzených tlxumených kmitů není závislá na husto tě přicházejícího kódu.vynález se týká zapojení taktovacího obvodu s krystalem pracujícím v sériové rezonanci, zejména pro Opakovače systémů s pulsně kódovou m-ndulací.Při přenosu pulsně kódovou modulací signálu dochází vlivem přenosového prostředí a rušení ke zkreslení přeznášeného signálu. Zkreslení se projevuje zmenou tvaru, amplitudy a časovou nestabilitou přenašených impulsů. Úkolem opakovače je provést obnovu zkreslených impulsů. Časová poloha lmpulsů se obnovuje pomocí taktovacího signálu. K jeho získání se používá pasívního paralelního rezonančního obvodu, naladěnêho na bitovou frekvenoi přenášených impulsů,buzieného dvoucestně usměrněxnýml impulsy z výstupu korekčních obvodu, ktere obnovují tvar přichazejících impulsů. ALm-plituda vybuzených tlumených kmitů na výstupu rezonančnlho obvodu však kolísá s hustotou přicházejícího kódu. K .omezení nežádoucíhao kolísání je třeba, aby člnltel jakosti rezonančního obvodu dosahoval vysokých hodnoit, naaipř. v systémoch s pulsně kódovou modvulací druhého řádu Q 1000.. Známe zapojení s požadovaným činitelem jav kosti využívá k získání taktovacího signálu krystalu, pracujícího v sériové rezonanci, buzeného emitorovým sledovačem dvoucestně usměrněnými impulsy. Vysoký člnitel jakosti krystalu Q 100 000 je snížen na požadovanou hodnotu odporem zapojeným do série s krystalem. Nevýhocla je však V tom, že panazitní rezonance, které vykazuje každý Krystal, vzrostou ve stejném p 0 měru, jakým byl snížen činitel jakosti krystalu. To je V tomto spojení zvláště nepříznivé, protože impulsní signál budící kryĺstal se skládá z velkého počtu harm-onických složek, z nichž některé mohou mít shodnou frekvenci s frekvencí parazitních kmitü krystalu. To má za následok, že napětí na výstupu krystalu má čvasově proměnné fázonvé skoky. Navíc se nevhodné uplatňuje jalová složka výstupní impedaoce tranzistoru budicího krystal, která zjpůsobuje rozladění krystalu tím větší, čím bude nižší mezní kmitočet tran zistoru.Účelom vynálezu je odstranit uvedené nevýhody. Podstata zapojení taktovacího obvodu s krystalem .pracujícím v sériové rezonanci podle vynalezu spočíva v tom, že paralelní rezonanční obvod, tvořený kondenzátorem a primárním vinutím laděného transformatoru, je jedním koncern připojen ke kladné svorce zdroje a druhým koncem ke zdroji budících impulsů. jeden konec sekundárního vi.nutí laděného transformá toru je přLpojen k zemi a druhý konec je připo- .jen k prvnímu vývodu krystalu. Druhý vývod krystalu je připo-jen ke vstupu lineárního zesilovače a přes odpor k zemi.V zapojení taktovacího obvodu podle vynálezu je krystal bu.zen sl-nusovým signálom, což účinně přispívá k potlačení parazitních kmitů krystalu.Príklad zapojení podle vy-nálezu je dále popsán pomocí výkresu. Výstup zdroje 1 budicích impulsů je připo-jen k primárnímu vinutí L 1 la děného transtormátoru TR, které s kondenzáto rem C tvoří paralelní obvod, naladěvný na bito vou frekvenci přenášených impulsů. Druhý konec paralelního rezonančního obvodu L 1, C je připojen na kladnou svorku U zdroje. Sekundarní vinutí L 2 laděného transformátoru TR je pripojene k prvnímu vývodu krystalu X, jehož druhý vývod je přlpojen ke vstupu lineárníhozesilovače 2. Vstup lineärního zesilovače 2 je připojení k zemi přes odpor R.Impulsy ze zdroje 1 hudicich impulsů jsou přivedeny na paralelní rezona-nční obvod L 1, C,na kterém vzniká sinusové napětí o frekvenci rovné bitové frekvenci přenášených impulsů. Sinusové napětí je přes laděný transformátor TR přivedeno na krystal X, z kterého je přivedeno na vstup llneárního zesilovače 2 s velkou vstupní impedancí. Vstup lineánního zesilovače 2 je uzemněn přes odpor R, jehož velikost se volí tak, aby byl potlačen vliv jalové složky vstupní impedance lineárního zesilovače 2. Odpor R sniží činitel jakosti krystalu X na hodnotu Q 10 000. Další snížení činitele jakosti je dosaženo impedancí paralelního rezonančního obvodu L 1, C,transtormovanou do série s krystalem X ladě ným transformátorem TR. Volbou transformačniho převodu, popřípadě změnou činitele jakosti paralelního rezovnančního obvodu L 1, C, lze nastatvit požadovanou hodnotu činitele jakosti krystalu .X. Vzhledem k průběhu impeda-nce paralelního rezonančního obvodu L 1, C, která je v rezonanci maximální, je činitel jakosti krystalu X snižen na požadovanou hodnotu pouze na rezonanční frekve.nci. Na ostatních frekvencích včetně parazitních rezonanoí je činitel jakosti snížen podstatné méně. Tím se dosáhne, že odstup parazitních kmltů od kmitů hlavní rezonan-ce není snížen, jak je tomu při snižování či.nitele jakosti krystalu pouze sériovým odporem. Protože Impedance pľaralelního rezonančního obvodu L 1, C je v rezonanci reálna, nedochazi k rozladěni rystalu X. .zapojení taktovacího obvodu s vkrystalem pracujícím v sériové rezonanci, zejména pro opakovače systémů s -pulsně kódovou modulací drue hého řádu, vyznačené tím, že paralelní rezo« nxannční obvod, tvořený kondenzátor-em C a pria máríním vlnutím L 1 laděného transformátoru TR, je jedním koncem připojen ke kladné svor~ ce U zdroje a druhým koncem ke zdroji 1budících impulsü, zatímroo jeden konec sekundârního vinutí L 2 laděného transformátoru TR je přllpojen k zemi a druhý konec sekundárního vinutí L 2 je přlipo-jen k prvnímu vývodu krystalu X 1, jehož druhý vývod je připo jeln ke vstupu lívneárního zesilovače 2 a přes odpor R k zemí.

MPK / Značky

Značky: obvodů, zapojení, taktovacího

Odkaz

<a href="http://skpatents.com/3-215835-zapojeni-taktovaciho-obvodu.html" rel="bookmark" title="Databáza patentov Slovenska">Zapojení taktovacího obvodu</a>

Podobne patenty